“成晶率”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2402955个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构及工艺-CN202111178509.1在审
发明人：黄俊凯;程然;何赛灵 -专利权人：深圳市德金元科技有限公司
申请日： 2021-10-10 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构及工艺，属于半导体技术领域。晶圆级芯片封装结构及工艺包括，将光刻胶均匀涂布在所述第一芯片的钝化层上，经热盘软烤定型成膜，通过曝光‑显影方式，利用显影液暴露第一焊盘，然后通过物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、溅射、电镀、化学镀或者植球工艺中的至少一种制备得到金属凸块本发明结合晶圆级芯片封装与系统集成方法相结合的优势，减小封装结构的面积、降低制造成本、提高了晶圆级芯片封装结构及工艺的良率。
一种晶圆级芯片封装结构工艺

[发明专利]低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法-CN201510139978.0有效
发明人：张晓星 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法，通过将驱动TFT区域与显示TFT区域的缓冲层设置成不同的厚度，使驱动TFT区域的缓冲层的厚度较大，显示TFT区域的缓冲层的厚度较小，在多晶硅结晶过程中形成了不同的温度梯度，实现了对结晶颗粒大小的控制，使得驱动TFT区域的多晶硅层在晶化过程中形成较大的晶格尺寸，提高了电子迁移率，使得显示TFT区域的多晶硅层在晶化过程中实现碎晶，保证了晶界均一性，提高了电流的均一性，从而满足了不同
缓冲层均一性低温多晶硅TFT 多晶硅层基板结构晶化过程驱动电子迁移率多晶硅结晶电性要求结晶颗粒温度梯度晶格晶界制作发光保证

[发明专利]一种纳米纤维晶须纸张增强剂的制备及应用于造纸法烟草薄片涂料的方法-CN201210505118.0有效
发明人：杨飞;陈克复;袁庆钊;陶红;饶国华;杨仁党;李军;胡静;周瑢;高文花;曾健;刘德桃 -专利权人：广东中烟工业有限责任公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： D21H21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米纤维晶须纸张增强剂的制备及应用于造纸法烟草薄片涂料的方法，先制备成纳米纤维晶须纸张增强剂，再将其应用于造纸法烟草薄片涂料。由于纳米纤维晶须是具有纳米尺度的纤维素，化学活性比具有纤维尺度的纤维素大得多，能与纤维较容易地产生氢键结合。此增强剂应用于造纸法制备烟草薄片涂料后，由于提高造纸法烟草薄片的表面强度，所以减少了加工过程的造碎率，降低成本，提高原料的使用率。同时由于此纳米纤维晶须纸张增强剂是纯纤维素，不含有木素，添加到造纸法烟草薄片涂料中不会产生杂气，影响吸味。
一种纳米纤维纸张增强制备应用于造纸烟草薄片涂料方法

[实用新型]蓝宝石长晶炉-CN201620303347.8有效
发明人：赵能伟 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种蓝宝石长晶炉，包括环形的内加热器和外加热器以及均匀设置在所述内加热器与外加热器之间的多个坩埚，所述坩埚底部设有冷却装置，所述内加热器和外加热器的功率为可控的。本实用新型提供的一种蓝宝石长晶炉，采用两种不同直径的环形钨加热器，将钨坩埚置于两环形加热器之间，且均匀对称分布，每只坩埚底部均设置冷却装置，通过控制加热器的功率和冷却介质的流量及温度，形成稳定的温场和热场，从而极大地提高了蓝宝石长晶材料的利用率和大尺寸晶体的成晶率，降低了生产成本。
蓝宝石长晶炉

[发明专利]晶圆良率损失预测方法及自定义缺陷密度图形自报告系统-CN202110863716.4在审
发明人：胡向华;汪金凤;何广智;顾晓芳;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆良率损失预测方法及自定义缺陷密度图形自报告系统，其中，所述晶圆良率损失预测方法包括依次获取晶圆上所有芯片的整体缺陷密度；建立缺陷密度数据模型；获取所述晶圆的缺陷密度图形；依次分析所述缺陷密度图形中所有芯片的失效率；以及，预测所述晶圆的良率损失情况。本发明通过建立晶圆的缺陷密度数据模型自动输出不同的缺陷密度范围对应的缺陷密度图形并预测晶圆上所有芯片的良率损失情况，为缺陷分析提供精准的缺陷密度报告以及良率损失预测。
晶圆良率损失预测方法自定义缺陷密度图形报告系统

[发明专利]具晶型的依来曲普坦自由碱及其制法和应用-CN201310330052.0在审
发明人：李朝龙;魏彦君;王华;梁浩 -专利权人：上海威智医药科技有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C07D403/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具晶型的依来曲普坦自由碱及其制法和应用，该具晶型的依来曲普坦自由碱可通过XRD谱图和DSC迹线表征；其制法包括：1）在油状的依来曲普坦自由碱中，加入第一溶剂，搅拌，得到固体；2）将步骤1）得到的固体溶于第二溶剂，搅拌，滴加水，搅拌，析出固体，得到具晶型a的依来曲普坦自由碱；或将步骤1）得到的固体溶于第三溶剂，静置，析出固体，得到具晶型b的依来曲普坦自由碱。本发明的具晶型的依来曲普坦自由碱具有纯度高、稳定性好等优点，通过此自由碱成盐可得到高产率和高纯度的依来曲普坦氢溴酸盐。
具晶型依来曲普坦自由及其制法应用

[发明专利]一种一次烧成微晶玻璃复合板的制备方法-CN201410491244.4有效
发明人：朱培祺;朱丽萍;刘咏平;麦晓君;梁永健 -专利权人：佛山市禾才科技服务有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：一种一次烧成微晶玻璃复合板的制备方法，包括以下步骤：A、坯体冲压成型：选择公知配方的坯体粉料和粒度≤200目的微粉层粉料分成布料后，冲压成素坯；B、施微晶玻璃熔块：在步骤B的坯体表面布撒微晶玻璃熔块并喷洒一层聚氨酯类固定剂7.5％，白炭黑3.2-4.4％，消泡剂1-1.5％，分散剂0.3-1.3％，余量为溶剂；C、烧成：送入窑炉中烧成，烧成温度为1200-1300℃；D、抛磨加工：将烧成后冷却的制品经抛光磨边加工得到微晶玻璃复合板成品本方法可以避免窑炉预热带对微晶玻璃熔块的吸附作用造成的不良影响，提高产品良率。
一种一次烧成玻璃复合板制备方法

[发明专利]一种一次烧成微晶玻璃复合板的制备方法-CN201410491105.1有效
发明人：朱培祺;朱丽萍;岑永炽;张远强;刘敏玉 -专利权人：佛山市禾才科技服务有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C03C8/14 文献下载
摘要：一种一次烧成微晶玻璃复合板的制备方法，包括以下步骤A、坯体冲压成型选择公知配方的坯体粉料和粒度≤200目的微粉层粉料分成布料后，冲压成素坯；B、施微晶玻璃熔块在步骤B的坯体表面布撒微晶玻璃熔块并喷洒一层聚氨酯类固定剂4.8％，凹凸棒石粘土1.8‑2.4％，消泡剂0.6‑1％，分散剂0.6‑1.6％，余量为溶剂；C、烧成送入窑炉中烧成，烧成温度为1150‑1250℃；D、抛磨加工将烧成后冷却的制品经抛光磨边加工得到微晶玻璃复合板成品本方法可以避免窑炉预热带对微晶玻璃熔块的吸附作用造成的不良影响，提高产品良率。
一种一次烧成玻璃复合板制备方法

[发明专利]在金属基体陶瓷涂层上制备纳米改性非晶陶瓷涂层的方法-CN201310467089.8有效
发明人：阎殿然;董艳春;陈学广;张建新;杨勇;褚振华 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明在金属基体陶瓷涂层上制备纳米改性非晶陶瓷涂层的方法，涉及对金属材料的镀覆，步骤是：将纳米Y-ZrO2粉与由1.0～15.0%B2O3、1.0～10.0%Al2O3、7.0～10.0%CaO、1.0～3.0%MgO、4.5～6.5%K2O、8.0～10.0%Na2O和其余为SiO2组成的非晶陶瓷混合粉在球磨机中进行湿混20分钟，再经干燥得到纳米晶陶瓷+非晶陶瓷混合粉，后与水按质量比为1:1～5:3的比例调成料浆，采用喷浆法或涂覆料浆法将该料浆喷刷到工件的金属基体陶瓷涂层的表面上，最后进行烧结形成纳米Y-ZrO2改性的非晶陶瓷涂层，该涂层的通孔率低和耐650℃高温液锌腐蚀。
金属基体陶瓷涂层制备纳米改性方法

[发明专利]一种利用脉冲电场制备非晶颗粒态淀粉的方法-CN200810028986.8无效
发明人：曾新安;张本山;韩忠 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用脉冲电场制备非晶颗粒态淀粉的方法，该方法先将淀粉与水在常温下混合，搅拌成均匀的淀粉乳悬浮液；然后在调好的淀粉乳中加入电解质，使淀粉乳的电导率为50～2000μS/cm；再将淀粉乳泵入脉冲电场处理器中进行非晶化处理；电场场强为40～60kV/cm，脉冲宽度10～100μs，脉冲频率10～1000Hz，脉冲波形为平方波，淀粉乳受到脉冲电场处理的时间为1～1000ms；最后将非晶化处理后的淀粉乳过滤、干燥、粉碎、过筛后得成品本发明利用脉冲电场在低于淀粉糊化温度的条件下制备非晶颗粒态淀粉，制备周期短，避免了加入大量化学试剂和高温加热的负面影响，产品非晶化程度高。
一种利用脉冲电场制备颗粒淀粉方法

[实用新型]印制线路板或晶圆电镀装置用搅拌件-CN201220207696.1有效
发明人：吴燕 -专利权人：吴燕
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C25D21/10 文献下载
摘要：印制线路板或晶圆电镀装置用搅拌件，设置于电镀槽内印制线路板或晶圆的电镀面一侧，即位于遮蔽板与印制线路板或晶圆之间；该搅拌件包括一固定框架及至少一根水平或垂直设置于固定框架内的搅拌棒；所述的搅拌棒截面为三角形，或菱形，或，直尺状结构；直尺宽度方向与印制线路板或晶圆电镀面成垂直或一倾斜角；搅拌件长度大于等于印制线路板长度或晶圆直径。本实用新型在电镀过程中可有效地提高印制线路板电镀镀层的厚度均一性，降低因电镀层厚度不均一而造成的线路短路和断路的风险，提升印制线路板的生产良率，降低制造成本。
印制线路板电镀装置搅拌

[发明专利]成膜装置、成膜方法及存储介质-CN201010531521.1有效
发明人：熊谷武司;竹内靖;加藤寿 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、成膜方法及存储介质。该成膜装置使旋转台旋转而使BTBAS气体吸附在晶圆(W)上，接着，向晶圆(W)的表面供给O3气体，使吸附在晶圆(W)表面的BTBAS气体氧化而形成氧化硅膜，在这个过程中，作为用于加热晶圆(W)而生成氧化硅膜的加热部
装置方法存储介质

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201010250341.6有效
发明人：加藤寿;菊地宏之;牛窪繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，使旋转工作台旋转，使BTBAS气体吸附在晶圆(W)上，接着向晶圆(W)表面供给O3气体，使其与吸附在晶圆(W)表面的BTBAS气体发生反应而形成氧化硅膜时，在形成氧化硅膜之后，由活化气体喷射器对晶圆(W)上的氧化硅膜供给Ar气体的等离子体，在每个成膜循环都进行改性处理。
装置方法

[发明专利]一种面向晶圆扫描平台的精密鲁棒控制方法及系统-CN202010546633.8有效
发明人：匡治安;于兴虎;高会军 -专利权人：宁波智能装备研究院有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种面向晶圆扫描平台的精密鲁棒控制方法及系统。该方法包括：建立晶圆扫描平台系统模型；获取晶圆扫描平台系统的反馈信号和参考信号；根据上述信号确定晶圆扫描平台的位置误差；根据位置误差设计分数阶滑模面；对分数阶滑模面进行求导处理得到求导处理后的数据；根据求导处理后的数据和晶圆扫描平台系统模型得到等效控制率；确定趋近控制率；根据等效控制率和趋近控制率确定最终控制率；根据最终控制率对晶圆扫描平台控制器的相关参数进行调整。本发明能够解决现有控制方法在晶圆扫描平台上控制精度不够、鲁棒性不足的问题。
一种面向圆扫描平台精密鲁棒控制方法系统

[发明专利]一种非晶合金粉末及其制备方法-CN202010341029.1在审
发明人：赵军喜 -专利权人：江苏萌达新材料科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明公开一种非晶合金粉末及其制备方法，所述非晶合金粉末的合金元素质量百分比为Si5.8‑6.5％，Cr2.0‑3.0％，C0.6‑1.2％，B2.0‑3.0％，Nb0.2‑0.4％,余量为Fe，激光粒度在一种非晶合金粉末的制备方法，将Si、Cr、C、B、Nb、Fe六种原材料按比例配好，投入中频炉冶炼，熔化至1400‑1450℃成液体后通过水气联合法雾化；高压水雾化后粉末经过干燥，筛分，合批，得到成品非晶合金粉本发明成品率大于95％，传统雾化法成品率只有60‑70％，而且能够大大降低能耗；本发明生产过程中的原料碳酸钴及碳化铬在高温熔解裂变和化学成份分解过程，同时相互渗透形成的结晶体，元素分布广泛，空隙度均匀，
一种合金粉末及其制备方法