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[发明专利]核磁共振测井波谱的校正方法-CN201510383206.1有效
发明人：王振林;孙中春;齐红岩;王志维;于静;王伟;黄亚雄 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：该校正方法包括：步骤S1，采用核磁共振波谱分离模型将中性储层的核磁共振波谱分为含水谱与含油谱；步骤S2，采用表面弛豫率计算模型计算中性储层的孔隙的水表面弛豫率与油表面弛豫率；步骤S3，利用油表面弛豫率计算中性储层的含油部分的孔喉半径分布；步骤S4，根据水表面弛豫率对含油部分的孔喉半径分布进行校正，得到校正后的中性储层的含油部分的饱含水的核磁共振波谱；步骤S5，对含水谱与校正的含油部分的饱含水的核磁共振波谱进行叠加，得到校正后的中性储层的饱含水的核磁共振波谱
校正核磁共振波谱含油弛豫率核磁共振测井水表面油表面波谱含水孔喉表面弛豫率分离模型计算模型对中性叠加分析

[发明专利]一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法-CN201210254017.0有效
发明人：张苗;母志强;薛忠营;陈达;狄增峰;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：-x/Si（0≤x<1）超晶格结构，然后于超晶格结构上依次生长Si缓冲层及SizGe1-z层，接着将H或He等离子注入至Si衬底并进行快速退火处理，使所述超晶格结构吸附上述离子，最终得到低缺陷密度、高弛豫度的与具有氧化层的Si衬底键合，并通过智能剥离可以制备低缺陷密度、高弛豫度的SGOI；在得到的弛豫SizGe1-z层上外延小于临界厚度的应变硅，通过智能剥离的方法可以制备高应变度、低缺陷密度的绝缘体上的应变硅本发明通过超晶格吸附离子增加了离子注入制备弛豫SiGe材料的稳定性，获得了低缺陷密度、高弛豫度的SiGe材料，降低了工艺难度，适用于工业生产。
一种利用离子注入定点吸附工艺制备半导体材料方法

[发明专利]一种黄花鱼水分和脂肪含量的无损测定方法-CN201510895026.1在审
发明人：谭明乾;耿少特;藏秀;迟琪 -专利权人：大连工业大学
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本发明提供一种黄花鱼水分和脂肪含量的无损测定方法，包括步骤：(1)黄花鱼样品测试：利用CPMG序列采集横向弛豫信号，得到黄花鱼样品的横向弛豫图谱；(2)黄花鱼水分和脂肪含量的测定，(3)黄花鱼水分和脂肪含量预测模型的建立：以T2弛豫谱作为独立变量、水和脂肪含量值作为因变量建立预测模型，(4)信号数据分析和处理。本发明提出的方法，研究了光谱和组分之间的相关性，以黄花鱼的低场核磁共振弛豫数据为研究对象，以黄花鱼中水分和脂肪含量为指标，建立黄花鱼水分和脂肪含量PCR和PLSR预测模型，实现了黄花鱼水分和脂肪含量的快速检测
一种黄花鱼水分脂肪含量无损测定方法

[发明专利]一种测定溶液中稀土钆离子浓度的方法-CN201510687810.3在审
发明人：张明;胡丽敏;王春宏;田焕娜;王志峰;王津蜀 -专利权人：扬州大学
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：一种测定溶液中稀土钆离子浓度的方法，涉及离子浓度的检测技术领域，先建立Gd³⁺浓度溶液中氢质子的横向弛豫速率1/T₂与Gd³⁺浓度的标准曲线换算方程；再采用CPMG序列进行扫描，对待测样品溶液中的氢质子的横向弛豫速率1/T₂进行测定；然后将待测样品溶液中的氢质子的横向弛豫速率1/T₂代入建立的Gd³⁺浓度溶液中氢质子的横向弛豫速率1/T₂与Gd³⁺浓度的标准曲线换算方程中，计算取得待测样品溶液中稀土钆离子的浓度。
一种测定溶液稀土离子浓度方法

[发明专利]一种镁合金微弧氧化陶瓷层界面特性分子动力学模拟方法-CN202210499096.5在审
发明人：赵盖;阮煜灵;汪国庆;宋敬伏;丁庆军 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁合金微弧氧化陶瓷层界面特性分子动力学模拟方法，首先在分子动力学模拟软件中构建两个摩擦副模型并分别设置边界条件并选择势函数，对两个摩擦副模型进行结构弛豫，并将弛豫过后的两个摩擦副模型组合生成摩擦界面模型，然后对摩擦界面模型进行弛豫；接着解除弛豫系综，根据工况对摩擦界面模型进行加载，得到摩擦界面模型的轨迹文件；最后对摩擦界面模型的轨迹文件进行分析。
一种镁合金氧化陶瓷界面特性分子动力学模拟方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111155634.0在审
发明人：刘铂洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和初始第二区；对所述第一区表面进行改性处理，形成所述第一区表面的弛豫层，所述弛豫层为晶体，且所述弛豫层的晶格常数小于所述衬底的晶格常数；在部分所述弛豫层表面形成第一鳍部，所述第一鳍部的晶格常数大于所述衬底的晶格常数；刻蚀所述初始第二区，形成第二区和位于所述第二区表面的第二鳍部，对所述衬底进行的改性处理，提高了第一鳍部内产生的压应力，有利于减小沟道方向的空穴的电导有效质量
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于ZnO单晶物理参数的无损检测方法-CN201510063230.7有效
发明人：成鹏飞;宋江 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开的用于ZnO单晶物理参数的无损检测方法主要是基于点缺陷弱束缚电子跳跃电导的介电弛豫效应高频下弱束缚电子的输运仅限于晶胞内，主要表现为介电弛豫；低频下弱束缚电子的输运可跨越耗尽层，甚至整个晶粒，主要表现为电导过程，此时介电弛豫效应将达到饱和；根据介电常数发生改变的拐点所对应的频率就能推算耗尽层、晶粒的几何尺寸；测试过程主要以介电谱为主表征耗尽层厚度和晶粒尺寸，同时通过模量谱对低频电导和高频弛豫信息进行确诊
用于 zno 物理参数无损检测方法

[发明专利]基于弛豫GeSn材料的光电探测器-CN201610255106.5有效
发明人：张春福;韩根全;王轶博;汪银花;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于弛豫GeSn材料的光电探测器，包括衬底、弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区、保护层和金属电极。弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区均采用GeSn材料；发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在器件的外围。本发明通过在衬底和n+型区之间插入一层Sn的组份高于n+型区、光吸收区、p+型区GeSn合金的GeSn层作为应变弛豫层，使得采用该材料生长方法和结构的光电探测器较于传统GeSn探测器有着相同Sn组份下更好的光电特性和更宽的探测范围
基于 gesn 材料光电探测器

[发明专利]图形化应变的半导体衬底和器件-CN200510008258.7有效
发明人：程慷果;拉马查恩德拉·德瓦卡鲁尼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种方法，它包括在衬底上形成应变材料和弛豫材料的图形；在应变材料中形成应变器件；以及在弛豫材料中形成非应变器件。在一个实施方案中，应变材料是处于拉伸或压缩状态的硅(Si)，而弛豫材料是处于正常状态的Si。硅锗(SiGe)、碳化硅(SiC)、或相似材料的缓冲层被形成在衬底上，且具有与衬底的晶格常数/结构失配。SiGe、SiC、或相似材料的弛豫层被形成在缓冲层上，并使应变材料处于拉伸或压缩状态。在另一实施方案中，掺碳的硅或掺锗的硅被用来形成应变材料。此结构包括其上图形化有应变材料和非应变材料的多层衬底。
图形应变半导体衬底器件

[发明专利]纯钙钛矿结构铅基弛豫铁电陶瓷粉体材料的制备方法-CN200910015132.0无效
发明人：徐志军;初瑞清;郝继功;张燕杰;李伟;付鹏 -专利权人：聊城大学
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C04B35/624 文献下载
摘要：本发明公开了一种纯钙钛矿结构铅基弛豫铁电陶瓷粉体材料及其制备方法。利用氧化物、硝酸盐、乙酸盐等前驱体与有机物按照摩尔比1∶1.5-3称取后，采用两步颗粒包裹法制备纯钙钛矿结构的弛豫铁电陶瓷粉体材料。本发明可以在较低温度下合成出制备性能优异铅基弛豫铁电陶瓷所需要的纯钙钛矿结构的粉体材料，即制备出的粉体颗粒较小，而且合成过程中存在的团聚属于软团聚。为制备低成本、高性能铅基弛豫铁电陶瓷材料创造了条件，在工业生产中存在着广泛的应用前景。
纯钙钛矿结构铅基弛豫铁电陶瓷材料制备方法

[发明专利]用于高迁移率器件的SiGe应变弛豫缓冲层及其制造方法-CN200480001996.2有效
发明人：罗曼·德鲁格尼;罗杰·陆;菲利普·缪尼尔－贝拉德;马蒂·凯迈克斯 -专利权人：校际微电子中心;库恩克里克飞利浦电子公司
申请日： 2004-01-14 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括一半导体基片和处于其上的至少一薄应变弛豫缓冲层，薄应变弛豫缓冲层基本由三层的叠层组成，其特征在于，薄应变弛豫缓冲层不是半导体器件的有源部分，以及限定薄应变弛豫缓冲层的所述三层基本具有相同的恒定
用于迁移率器件 sige 应变缓冲及其制造方法

[发明专利]一类基于双酰腙的不对称双核镝单分子磁体及其合成方法与弛豫行为-CN202211507869.6在审
发明人：王凯;吴翠娥;滕青湖;梁福沛 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2022-11-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本发明基于不对称双核镝单分子磁体优良的磁性、合成的困难以及现有的稀缺性，公开一类基于双酰腙配体的不对称双核镝单分子磁体及其合成方法与弛豫行为。这类不对称双核镝磁体的交流磁化率在零场下即表现出频率依赖的磁弛豫现象，且在外加磁场下转变为双重弛豫过程，具备单分子磁体的典型特征。
一类基于双酰腙不对称双核镝单分子磁体及其合成方法行为

[发明专利]一种基于Plasma羟基化提升涂层抗弛豫性能的碱金属气室制作方法-CN201811452033.4有效
发明人：全伟;池浩湉;陆吉玺;房建成 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C22/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Plasma羟基化提升涂层抗弛豫性能的碱金属气室制作方法。该方法采用等离子体清洗机对气室内面进行羟基化，由于碱金属气室尾管较细，省去了传统的羟基化方法清洗后需要将粘稠的清洗溶液采用毛细玻璃管抽出的操作，避免抽出清洗溶液过程中戳破气室，改善目前气室制作过程中耗时，耗力，一致性和抗弛豫效果不理想的问题，同时，可使得玻璃表面具有更多的羟基，无需移除清洗溶液以及后续烘干，缩短了羟基与外界的接触时间，减小羟基污染，可维持较多的羟基数量，在与有机氯硅烷反应的过程中，实现更为平整均匀的覆盖面，增大对顺磁杂质的表面覆盖率，增强涂层的抗弛豫性能。
一种基于 plasma 羟基提升涂层抗弛豫性能碱金属制作方法

[发明专利]用利用多回波磁振成像的多步自适应拟合法的脂和铁量化-CN201310692760.9有效
发明人：钟晓东;M·D·尼克尔;S·坎宁吉泽 -专利权人：西门子保健有限责任公司;西门子公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： A61B5/055 文献下载
摘要：一种用利用多回波磁振成像的多步自适应拟合法的脂和铁量化。用于量化解剖组织中的脂肪和铁的计算机实现的方法包括使用磁共振(MR)脉冲序列获得代表解剖组织的多个多回波信号数据集。该第一阶段分析包括选择第一有效横向弛豫率值。接着，创建包括第一水量值、第一脂肪量值和第一有效横向弛豫率值的第一算法输入。然后，基于第一算法输入执行非线性拟合算法以计算第二水量值、第二脂肪量值和第二有效横向弛豫率值。随后基于第二水量值和第二脂肪量值确定第一质子密度脂肪分数值。
利用回波成像自适应拟合量化

[发明专利]一种类线性无铅弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201911089513.3在审
发明人：刘岗;董佳;严岩;李洋 -专利权人：西南大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种类线性无铅弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法，属于介电电容器材料制备领域。本发明的类线性无铅弛豫铁电陶瓷材料的化学组成为0.82Na
制备弛豫铁电陶瓷储能效率储能无铅电容器材料温度稳定性反应条件固相反应化学组成理想材料密度应用烧结传统的对设备高储能介电合成测试

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