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[发明专利]Ge、SiGe或锗化物的洗涤方法-CN201680090904.5有效
发明人：颜畅子;永井达夫;法里德·赛巴伊;库尔特·沃斯汀 -专利权人： 校际微电子中心;栗田工业株式会社
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸溶液电解而得到的电解液、将酸溶液混合过氧化氢而得到的溶液、或使臭氧气体溶解于硫酸溶液而得到的溶液，洗涤时的处理温度优选为50℃以下。
ge sige 锗化物洗涤方法

[发明专利]并行处理设计装置、以及并行处理设计方法-CN202110987586.5在审
发明人：菅井友骏;新谷浩平;伊沃·库克库伊特;尼古拉斯·克努德;青楫翔;汤姆·戴恩 -专利权人：丰田自动车株式会社;校际微电子中心
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明提供一种并行处理设计装置、以及并行处理设计方法。CPU包括：观测点计算部，其在多个设计变量的维数超过规定维数的情况下，放弃设计上的贡献较少的设计变量，并利用采集函数和罚函数而对用于搜索如下区域的多个观测点进行计算，所述区域为，能够执行与成为所述规定维度以下的多个设计变量的各自相关的性能的区域；概率分布计算部，其针对所述多个性能中的每一个，而分别对在被计算出的所述多个观测点处能够执行所述多个性能中的每一个的概率分布进行计算；多性能可执行区域输出部，其将针对所述多个性能中的每一个而计算出的概率分布的总乘积作为多性能可执行区域而进行输出。
并行处理设计装置以及方法

[发明专利]光伏电池及其形成方法-CN201280069627.1无效
发明人：盖伊·达米恩·瑟奇·博卡恩;约尔格·霍尔泽尔;尼古拉斯·E·鲍威尔;卢瓦克·图斯;唐纳德·阿德里安·伍德;阿德里安娜·佩特科娃·赞姆博娃 -专利权人：道康宁公司;校际微电子中心
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种包括底部基板的光伏(PV)电池，所述底部基板包含硅并且包括上掺杂区。涂层设置于所述上掺杂区上，并且具有外表面。指状物设置于所述涂层中。每个指状物具有与所述上掺杂区电接触的下部，和通过所述外表面向外延伸的上部。每个指状物包含第一金属。汇流条与所述上掺杂区间隔开，所述上掺杂区不与所述汇流条物理接触。所述汇流条与所述指状物的所述上部电接触。所述汇流条包含第二金属和不同于所述第一金属和第二金属的第三金属。所述第三金属具有不超过约300℃的熔融温度。本发明还提供一种形成所述PV电池的方法。
电池及其形成方法

[发明专利]制造太阳能模块的方法以及由此获得的太阳能模块-CN201280042216.3无效
发明人： G·博卡恩;A·W·诺里斯;乔纳森·高瓦尔茨;F·德罗斯 -专利权人：道康宁公司;校际微电子中心
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明描述了一种制造太阳能模块的方法。利用所述方法能够在所述制造过程中提早将半导体元件安装到承载构件上，而不会在后续加工过程中造成任何不利影响。
制造太阳能模块方法以及由此获得

[发明专利]相变存储器装置和控制方法-CN200980121842.X无效
发明人：卢德维奇·古克斯 -专利权人： NXP股份有限公司;校际微电子中心
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器装置，包括：多个相变存储器单元，每一个单元均包括在第一电极(44)和第二电极(42)之间导电连接的相变材料(50)，所述第一电极和所述第二电极用于在所述相变存储器装置的编程周期内向所述相变材料施加具有预定极性的复位电流脉冲；以及控制器(70)，与所述第一电极和所述第二电极相连，用于在向相应单元施加第一数量的编程周期之后，对在下一个编程周期向所述相应单元施加的复位电流脉冲的极性进行反转。本发明还涉及用于控制这种存储器装置的方法。
相变存储器装置控制方法

[发明专利]多位相变存储单元-CN200980111512.2有效
发明人：卢多维克·R·A·古;托马斯·吉勒;朱迪特·G·利松尼;迪克尔·J·C·C·M·武泰;大卫·I·马德恩 -专利权人： NXP股份有限公司;校际微电子中心
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种相变存储单元，具有多于一个的存储区域(14，18)，每个存储区域是变窄的相变存储材料区域(2)，其在第一和第二电极(4，6)之间延伸。可以通过应用合适的电流和/或电压编程条件将多个存储区域(14，18)中的每个存储区域编程为处于低电阻状态或高电阻状态。在多个存储区域中的每个存储区域中，高电阻状态的电阻和用于将高电阻状态转换为低电阻状态的编程条件均是不同的。
相变存储单元

[发明专利]制造半导体器件的方法以及半导体器件-CN200980111511.8有效
发明人：芮古纳斯塞恩·辛葛拉马拉;雅各布·C·虎克;马库斯·J·H·范达纶 -专利权人： NXP股份有限公司;校际微电子中心
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有合适功函材料的栅极电极。所述方法包括：提供衬底(100)，衬底(100)包括多个有源区(110，120)和覆盖有源区(110，120)的介电层(130)；以及在介电层上形成层的叠层(140，150，160)。形成层的叠层包括：在介电层(130)上沉积具有第一厚度(例如，小于10nm)的第一金属层(140)；在第一金属层(140)上沉积具有第二厚度的第二金属层(150)，第二厚度大于第一厚度；将掺杂剂(152，154)引入第二金属层(150)中；将器件暴露于升高的温度，以使至少一些掺杂剂(152，154)从第二金属层(150)迁移超过第一金属层(140)与第二金属层(150)之间的界面；以及将叠层图案化成多个栅极电极(170)。这样，形成的栅极电极在介电层(130)附近具有掺杂剂分布，使得栅极电极的功函最优化，而栅极电介质不会由于掺杂剂渗透而劣化。
制造半导体器件方法以及

[发明专利]垂直相变存储单元-CN200980111502.9有效
发明人：卢多维克·R·A·古;大卫·I·马德恩 -专利权人： NXP股份有限公司;校际微电子中心
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种垂直相变存储单元(2)具有相变存储材料的有源区(24)，通过提供仅在相变存储材料的一部分上延伸的接触或者仅使相变存储材料一部分外露的绝缘层，来限定有源区(24)。每个单元可以有多于一个的有源区(24)，从而允许在每个单元中存储多于一位的数据。
垂直相变存储单元

[发明专利]非易失性存储器件-CN200880014411.9有效
发明人：卢多维克·古克斯;朱迪思·里索尼;托马斯·吉勒;德克·武泰斯 -专利权人： 校际微电子中心;NXP股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：存储器件包括存储数据的存储单元阵列和向存储单元施加电压来把数据写入存储单元的电压施加单元。每个存储单元都具有包含铜的第一层，所述第一层与包含硫系材料的第二层接触。电压施加单元被布置成通过在第一阻态与第二较低阻态之间切换每个单元来写数据。电压施加单元被布置成通过在第一层和第二层上施加电位差使得第一层上的电位比第二层上的电位高0.5V或更小，来把单元切换到第一阻态。电压施加单元被布置成通过在第一层和第二层上施加电位差使得第二层上的电位比第一层上的电位高0.5V或更小，来把单元切换到第二阻态。在阻态之间切换时的电流小于10μA。该器件的存储单元可以在阻态之间反复触发，并且阻态是非易失性的。
非易失性存储器

[发明专利]用于在电阻转换器件中受控地形成电阻转换材料的方法和由此获得的器件-CN200780031802.7有效
发明人：卢多维克·古克斯;德克·武泰斯 -专利权人： 校际微电子中心
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于在电阻转换器件中受控地形成电阻转换层的方法。所述方法包括提供包括底部电极(10)的衬底(2)；在所述衬底上提供包括凹槽(7)的介电层(4)，该凹槽含有用于形成所述电阻层(11)的金属；在所述衬底上提供包括开口(8)的介电层(5)，该开口暴露所述凹槽金属的；和在所述凹槽和开口中形成电阻层。
用于电阻转换器件受控形成材料方法由此获得

[发明专利]用于制造电阻转换器件的方法和由此获得的器件-CN200780031861.4无效
发明人：卢多维克·古克斯;德克·武泰斯 -专利权人： 校际微电子中心
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：为了改进电阻转换存储器的可量测性，披露了一种交叉点电阻转换结构，其中插塞本身用于存储电阻转换材料，并且顶部电极层例如使用机械化学抛光(CMP)或仅通过机械抛光而与所述插塞自动对齐。
用于制造电阻转换器件方法由此获得

[发明专利]半导体器件和生产这种器件的方法-CN200780022094.0有效
发明人：埃尔文·海曾;约斯特·梅拉伊;韦伯·D·范诺尔特;约翰内斯·J·T·M·东科尔斯;菲利皮·默尼耶-尼拉尔德;安德列亚斯·M·皮翁特克;L·J·蔡;斯特凡·范胡林布罗伊科 -专利权人： NXP股份有限公司;校际微电子中心
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有衬底(11)和半导体主体(1)的半导体器件(10)，该器件包括具有依次排列的集电极区域(2)、基极区域(3)和发射极区域(4)的双极晶体管，其中，半导体主体包括突出的台面(5)，该台面至少包括基极区域(3)和集电极区域(2)的一部分，该台面被绝缘区域(6)包围。根据本发明，半导体器件(10)还包括场效应晶体管，该场效应晶体管具有源极区域、漏极区域、插入式沟道区域、叠加栅极电介质(7)和栅极区域(8)，所述栅极区域(8)形成了场效应晶体管的最高部分，台面(5)的高度高于栅极区域(8)的高度。通过根据本发明的方法，可以便宜而又容易地生产这种器件，这种双极晶体管可以具有良好的高频特性。
半导体器件生产这种器件方法

[发明专利]制造双极型晶体管的方法-CN200780008689.0有效
发明人：维波·D·范诺特;简·松斯基;安德里亚斯·M·皮昂特克 -专利权人： NXP股份有限公司;校际微电子中心
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种在半导体衬底(11)上制造双极型晶体管的方法，所述半导体衬底(11)上形成有分别由均为第一导电类型的第一、第二和第三半导体材料构成的第一、第二和第三层(1，2，3)。将第二层(2)的第一部分转换为包括第一电绝缘材料的埋入绝缘区域(15)。由与埋入绝缘区域(15)相邻的第二层(2)的第二部分和与第二层(2)的第二部分相邻的第一层(1)的一部分形成包括比如集电极区域的第一导电类型的第一半导体区域(6)。然后，通过将第三层(3)转换成与第一导电类型相反的第二导电类型，在埋入绝缘区(15)和第一半导体区(6)上形成基极区(7)。然后在基极区(7)的一部分上形成包括比如发射极区的第一导电类型的第二半导体区域(8)。该方法形成的双极型晶体管有利地减小了集电极到基极区域(6，7)的非本征电容，这是由于该电容的值主要取决于埋入绝缘区(15)，而掩埋绝缘区的介电常数比第一半导体区到基极区(6，7)PN结的介电常数低得多。
制造双极型晶体管方法

[发明专利]纵向相变存储器单元及其制造方法-CN200680047931.0有效
发明人：卢多维克·古克斯;德克·J·C·C·M·武泰斯;朱迪思·G·里索尼·雷耶斯;托马斯·吉勒 -专利权人： NXP股份有限公司;校际微电子中心
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向相变存储器(PCM)单元，其包括与第一相变材料层(14)相接触的底部电极(5)、具有开口(13)的电介质材料层(12)、通过电介质层中的开口与第一相变材料层相接触的第二相变材料层(6)、和与该第二相变材料层相接触的顶部电极(7)的叠层。
纵向相变存储器单元及其制造方法

[发明专利]用于控制PCM单元中“首先熔化”区的方法及其获得的器件-CN200680017036.4有效
发明人：迪尔克·武泰;卢多维克·古;朱迪思·利松尼;托马斯·吉勒 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;校际微电子中心
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提出了一种相变材料存储器单元。所述单元包括至少一个已构图的相变材料层，并且其特征在于该已构图的层包括具有不同电阻率的至少两个区域。如果相变材料的电阻率在具有有限尺寸的良好限制区域中(“热点”)比该区域外部的高，那么对于电极之间流过的给定的电流，与其中电阻率较低的相变材料区域相比，在该区域内部将有利地产生更多焦耳热。
用于控制 pcm 单元首先熔化方法及其获得器件

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