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[发明专利]磁共振成像磁场依赖弛豫法系统和方法-CN201680079723.2有效
发明人：查德·泰勒·哈里斯;亚历山大·盖尔斯·潘瑟;杰夫·艾伦·施泰因比;戴维·马克·德舍纳;菲利普·J·贝蒂 -专利权人：圣纳普医疗公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01R33/50 文献下载
摘要：本披露提供磁共振成像(MRI)磁场依赖弛豫法系统和方法。弛豫参数，其包括纵向弛豫时段(T1)和横向弛豫时段(T2)，是根据在同一MRI系统中不同的磁场强度下获取的磁共振信号数据估算。通过测量此弛豫参数作为磁场强度函数可生成T1分散数据、T2分散数据、或两者。定量的生理参数可基于这种分散数据来估计。举例，铁含量可从T2分散数据估计。
磁共振成像磁场依赖法系方法

[发明专利]一种原子气室内壁氢化铷抗弛豫膜层厚度的测量方法-CN202011210823.9在审
发明人：郑建朋;李新坤;何娇;刘院省;蔡玉珍;王风娇;黄伟;赵雄;邓意成;王学锋 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子气室内壁氢化铷抗弛豫膜层厚度的测量方法，应用于原子气室测试评估领域。首先在氦气氛围中将内壁镀有氢化铷抗弛豫膜层的原子气室进行物理破碎，利用原子力显微镜和光谱分析仪进行检测，通过不同厚度抗弛豫膜层的光谱透射率的测试数据，建立抗弛豫膜层厚度与光谱透射率的映射关系；然后基于上述映射关系，利用光谱分析仪，通过无损检测方式，测量待测原子气室的光谱透射率，通过数学模型拟合得到原子气室内壁抗弛豫膜层的厚度；从而实现对原子气室内壁抗弛豫膜层厚度的无损检测。本发明解决目前原子气室内壁氢化铷抗弛豫膜层难以有效测量的问题。
一种原子内壁氢化铷抗弛豫膜层厚度测量方法

[发明专利]一种弛豫振荡器系统-CN202310430109.8在审
发明人：张哲瑞;汝嘉耘;宋飞;张京华 -专利权人：芯翼成科技（成都）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：本申请实施例涉及集成电路技术领域，公开了一种弛豫振荡器系统。上述弛豫振荡器系统包括：弛豫振荡电路，弛豫振荡电路包括比较器、与比较器的负输入端连接的第一电容、与比较器的正输入端连接的第二电容、分别与正输入端和负输入端连接的RC模块、以及与比较器的输出端连接的切换模块，切换模块用于根据输出端输出的信号，将弛豫振荡电路切换为第一模式，或将弛豫振荡电路切换为第二模式，在第一模式下，RC模块与正输入端导通，第一电容与负输入端导通；在第二模式下，RC模块与负输入端导通，第二电容与正输入端导通本申请实施例提供的弛豫振荡器系统，可以为系统提供稳定频率的时钟，易于实现且成本较低。
一种振荡器系统

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211462898.5在审
发明人：孔真真;张毅文;刘靖雄;任宇辉;王桂磊;李俊峰;周娜;高建峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法通过在第二硅衬底上依次生长SiGe弛豫缓冲层和完全弛豫的SiGe应变弛豫层之后，将第二硅衬底上的SiGe应变弛豫层键合在第一硅衬底上的电介质层上，之后再去除第一硅衬底和SiGe弛豫缓冲层，并减薄SiGe应变弛豫层，最后在减薄后的SiGe应变弛豫层上外延生长拉应变硅层，实现高迁移率的拉应变硅层SOI结构，同时制造出高迁移率、少杂质沾污、低杂质沾污
一种半导体结构制备方法

[发明专利]半导体存储器件结构及其制作方法-CN201711439944.9有效
发明人：祝啸 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法，半导体存储器件包括硅基底、锗硅渐变缓冲层、锗硅弛豫层、硅外延层、沟槽隔离结构及埋入式字线结构。所述锗硅弛豫层被部分去除以形成填充沟槽及弛豫侧壁，所述硅外延层包含填充于所述填充沟槽内的填充部以及覆盖于所述填充部及所述弛豫侧壁上的顶层部。藉由所述沟槽隔离结构于所述硅外延层中隔出有源区，以及埋入式字线结构延伸至所述填充部内且与所述有源区交叉，所述弛豫侧壁提供所述埋入式字线结构的沟道应力。本发明将两条埋入式字线结构设置于锗硅弛豫层填充沟槽内的有源区中，弛豫侧壁会对其内的有源区产生应力，以产生埋入式字线结构的沟道应力，提高沟道内部电子的迁移率，进而提高器件性能。
半导体存储器件结构及其制作方法

[实用新型]半导体存储器件结构-CN201721855132.8有效
发明人：祝啸 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体存储器件结构，包括硅基底、锗硅渐变缓冲层、锗硅弛豫层、硅外延层、沟槽隔离结构及埋入式字线结构。所述锗硅弛豫层被部分去除以形成填充沟槽及弛豫侧壁，所述硅外延层包含填充于所述填充沟槽内的填充部以及覆盖于所述填充部及所述弛豫侧壁上的顶层部。藉由所述沟槽隔离结构于所述硅外延层中隔出有源区，以及埋入式字线结构延伸至所述填充部内且与所述有源区交叉，所述弛豫侧壁提供所述埋入式字线结构的沟道应力。本实用新型将两条埋入式字线结构设置于锗硅弛豫层填充沟槽内的有源区中，弛豫侧壁会对其内的有源区产生应力，以产生埋入式字线结构的沟道应力，提高沟道内部电子的迁移率，进而提高器件性能。
填充埋入式字线侧壁弛豫源区锗硅弛豫层硅外延层半导体存储器件沟槽隔离结构本实用新型沟道应力渐变缓冲层结构设置结构延伸器件性能迁移率顶层沟道硅基锗硅去除覆盖

[发明专利]一种纵向弛豫时间测试方法-CN202210178387.4在审
发明人：杨培强;罗晶;刘早;熊川洪 -专利权人：苏州纽迈分析仪器股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：一种纵向弛豫时间测试方法，属于核磁共振分析领域，克服了现有技术不能有效捕捉短弛豫样品的纵向弛豫信号，且重复性差的缺陷。base:Sub>1～xn，分别采集x1～xn对应的纵向弛豫信号；根据所述纵向弛豫信号，反演得到纵向弛豫时间；所述纵向弛豫信号的采集包括：使用180°射频脉冲将磁化矢量从Z方向旋转到‑Z方向；经过一个反转时间后，再次施加M个90°射频脉冲，M为2～20，采集纵向弛豫信号
一种纵向弛豫时间测试方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810901040.1有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：该发明涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成应变层，且所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；刻蚀所述缓冲层，形成支撑柱，使所述应变层悬空，将所述应变层的应力完全释放；在应力完全释放的所述应变层表面外延生长弛豫层，且所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的支撑柱；位于所述衬底上方，由所述支撑柱支撑的应变层，所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；位于所述应变层表面的弛豫层，所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于监测血块形成的NMR方法-CN201280044411.X有效
发明人： T.J.洛厄里;V.帕普科夫;W.W.梅斯夫斯基;R.丹达;E.C.萨耶 -专利权人： T2生物系统公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C12Q1/56 文献下载
摘要：本发明的特征在于监测凝固过程的方法，其通过测量代表正经历凝固的样品中水的NMR弛豫特征的信号以得到NMR弛豫数据，并且自NMR弛豫数据确定代表正形成凝块特征的样品中水的磁共振参数。
用于监测血块形成 nmr 方法

[发明专利]一种作为溶液顺磁弛豫增强探针的钆配合物及合成方法-CN201310503539.4有效
发明人：顾新华;唐淳 -专利权人：中国科学院武汉物理与数学研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C07C233/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种作为溶液顺磁弛豫增强探针的钆配合物，该钆配合物是由三乙烯四胺六乙酸三甲酰胺的4种同分异构体组成的混合物，采用该钆配合物作为溶液顺磁弛豫的增强探针，没有水分子参与配位，可以消除水分子与蛋白上氢交换的异常信号
一种作为溶液顺磁弛豫增强探针配合合成方法

[发明专利]一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用-CN202310340775.2在审
发明人：刘鑫;胡庆元;李飞;魏晓勇;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用，S1，对与长方体弛豫铁电单晶光学面两个短边垂直的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到工程畴弛豫铁电单晶；S2，对与工程畴弛豫铁电单晶光学面两个长边垂直的的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到单畴态弛豫铁电单晶。
一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法应用

[发明专利]一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法-CN200610165551.9无效
发明人：赵雷;左玉华;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种SiGe弛豫衬底材料，该SiGe弛豫衬底材料由Si衬底和在Si衬底上外延生长的SiGe组分渐变缓冲层构成，且在所述SiGe组分渐变缓冲层中插入有n个无应变SiGe本发明同时公开了一种SiGe弛豫衬底材料的制备方法。利用本发明，有效减小SiGe弛豫衬底的表面粗糙度和位错密度，从而减小整个弛豫衬底的厚度，缩短外延时间，节省成本。
一种 sige 衬底材料及其制备方法

[发明专利]一种海参加热过程中质构品质无损检测方法-CN201510830791.5在审
发明人：谭明乾;毕景然;王瑞颖 -专利权人：大连工业大学
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本发明涉及海参加热过程中质构品质无损检测方法，包括：A)建立海参加热过程中低场核磁共振横向弛豫图谱信息数据库；B)建立海参加热过程中质构信息数据库；C)分析获得步骤A)中低场核磁共振横向弛豫图谱信息与步骤B)中质构信息之间的相关性信息；D)对待测海参进行低场核磁共振检测得到横向弛豫图谱信息；E)将步骤D)中得到的横向弛豫图谱信息与步骤A)建立的海参加热过程中低场核磁共振弛豫图谱数据库信息比对，选择相近的低场核磁共振弛豫图谱数据库信息作为参照值，根据步骤C)中获得的低场核磁共振横向弛豫图谱信息与质构信息之间的相关性信息，参照步骤B)中建立的质构信息数据库信息，推测得到样品海参的质构特征推测值。
一种海参加热过程中质构品质无损检测方法

[发明专利]一种利用解耦声弛豫谱探测氢气混合气体的方法及系统-CN201910771998.8在审
发明人：张向群;程菊明;王小平;张永;袁雅婧;张柯;姚丹丹 -专利权人：许昌学院
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G01N29/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用解耦声弛豫谱探测氢气混合气体的方法及系统，属于混合气体探测技术领域，解决了现有技术中探测氢气混合气体的低精度、高成本、高设备要求的问题。一种利用解耦声弛豫谱探测氢气混合气体的方法，包括以下步骤：将解耦的氢气转动弛豫定压热容表达式结合振动弛豫解耦模型，得到转动与振动混合弛豫解耦总模型；采集声波在混合气体中的声速、声弛豫吸收系数以及混合气体的压强和密度；根据热力学的有效声速和有效角波数表达式、声波在气体传播中的有效热力学声速平方表达式以及转动与振动混合弛豫解耦总模型，得到混合气体成分的比例。
解耦混合气体氢气混合气体探测弛豫转动声波设备要求振动混合氢气弛豫谱热力学总模型压强解耦模型探测技术吸收系数有效声速振动弛豫低成本有效角波数热容采集传播

[发明专利]基于2D-CNN的食用油横向弛豫信号特征提取方法-CN201910164086.4有效
发明人：侯学文;苏冠群;王广利;王欣;聂生东 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于2D‑CNN的食用油横向弛豫信号特征提取方法，包括步骤：S1：读取CPMG原始数据并进行反演得到反演数据；S2：分别对CPMG原始数据和反演数据进行预处理；S3：绘制横向弛豫衰减曲线和多组分弛豫谱；S4：构建二维卷积神经网络；S5：自横向弛豫衰减曲线和多组分弛豫谱中提取数据形成训练集和测试集；S6：将训练集输入二维卷积神经网络；S7：将测试集输入训练后二维卷积神经网络；S8：获得分类结果。本发明的一种基于2D‑CNN的食用油横向弛豫信号特征提取方法，通过二维卷积神经网络模型直接对食用油横向弛豫进行特征提取并实现分类，可有效防止无效特征的产生，保证了分类结果的精确性。
基于 cnn 食用油横向信号特征提取方法