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[实用新型]一种高精度容栅式数显量表-CN03244903.8无效
发明人：商卫华;罗亚川;梁立 -专利权人：北京航天峰光电子技术有限责任公司
申请日： 2003-04-09 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：一种高精度容栅式数显量表，具有测量轴顶杆、显示与控制模块、容栅式直线位移传感器及使容栅式直线位移传感器主、副栅相对移动的机械结构。本实用新型的特点在于：采用一种高精度容栅式直线位移传感器，容栅式直线位移传感器主栅与测量轴顶杆固定为一体，容栅式直线位移传感器副栅贴浮在容栅式直线位移传感器主栅表面，容栅式直线位移传感器主栅随测量轴顶杆移动时容栅式直线位移传感器主、副栅的配合伺服变化。采用这种结构充分地发挥出高精度容栅式直线位移传感器的性能，且结构简单、可靠性高。
一种高精度容栅式数显量表

[发明专利]压力传感器、压力传感阵列及其制备方法-CN202111142735.4有效
发明人：郭小军;陈苏杰;李骏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：所述压力传感器包括：薄膜晶体管，包括衬底、底栅电极、绝缘层、源电极和漏电极、半导体层、钝化层和顶栅电极，所述顶栅电极与所述漏电极通过贯穿所述钝化层的互连结构电连接；电阻式压力敏感薄膜，位于所述顶栅电极和所述钝化层上方，且所述电阻式压力敏感薄膜与所述顶栅电极之间具有空隙；顶电极，位于所述电阻式压力敏感薄膜背离所述顶栅电极的表面。本发明将电阻式压力敏感薄膜与薄膜晶体管形成纵向集成，有利于减小所述压力传感器的面积，易于制备高分辨率的传感器阵列。
压力传感器压力传感阵列及其制备方法

[发明专利]半导体结构及制备方法-CN202010280443.6有效
发明人：崔锺武;金成基;高建峰;刘卫兵;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构，包括：半导体衬底，于所半导体衬底内设置沟槽；埋入式栅堆叠，埋入式栅堆叠填充沟槽的下部；埋入式栅堆叠具有朝沟槽底部方向凹陷的顶表面。本申请的埋入式栅堆叠具有朝所述沟槽底部方向凹陷的顶表面，减小了埋入式栅堆叠(Gate)与源/漏区(S/D)之间的重叠部分，减少了GIDL电流,提高现有的半导体器件的可靠性。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN201610756154.2在审
发明人：黎明;陈珙;张嘉阳;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种Ω型顶栅结构的鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明将矩形顶栅改为Ω型顶栅，由于Ω型栅结构的栅控能力接近围栅结构，因此Ω型顶栅FinFET对于Fin上1/3处的栅控能力必定大于矩形顶栅FinFET，这使得Ω型顶栅FinFET泄露电流会较传统FinFET更小；且Ω型顶栅FinFET的Fin上1/3处的沟道截面积并未有减小。
一种型顶栅结构场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]板栅定位插管装置-CN201621494369.3有效
发明人：梁莹利;韦忠连;李京兵;党金梗 -专利权人：淄博鑫旭电源科技有限公司
申请日： 2016-12-31 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01M4/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种板栅定位插管装置，属于管式正板栅生产线技术领域。包括顺次设置的板栅推顶装置、铅筋定位装置和翻转装置，板栅推顶装置包括板栅推板，板栅推板连接板栅推板气缸；板栅推顶装置和铅筋定位装置下部设有板栅放置台，翻转装置下部设有排管放置板。本实用新型实现了排管自动定位、板栅自动定位以及板栅和排管自动组装。
定位插管装置

[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201310023625.5有效
发明人：三重野文健;殷华湘 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部，所述鳍部的顶表面具有硬掩膜层，所述鳍部之间具有隔离结构，所述鳍部的顶表面高于所述隔离结构的顶表面，且所述鳍部的顶表面与所述隔离结构顶表面的高度差大于所述硬掩膜层的厚度；在所述鳍部和所述隔离结构上形成第一伪栅材料层；研磨所述第一伪栅材料层，直至暴露出所述硬掩膜层表面；去除所述硬掩膜层；在所述第一伪栅材料层上形成第二伪栅材料层，所述第二伪栅材料层覆盖所述鳍部的顶表面；刻蚀所述第二伪栅材料层和所述第一伪栅材料层，形成伪栅。本发明的鳍式场效应晶体管的形成方法，伪栅材料层表面更平整，伪栅高度更均匀。
场效应晶体管形成方法

[实用新型]一种转动喷涂式连铸板栅喷砂机-CN202021912881.1有效
发明人：张森;李耀祥;薛海东;廖军 -专利权人：江西新威动力能源科技有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： B24C3/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种转动喷涂式连铸板栅喷砂机，包括喷砂室、板栅输送机构和若干位于喷砂室内的喷枪，板栅输送机构包括板栅输入输送带、板栅输出输送带和将板栅从板栅输入输送带转移到板栅输出输送带的板栅转移机构；板栅转移机构包括驱动架、驱动驱动架沿左右方向移动的双行程气缸和两条滑轨，驱动架连接有滑动连接在滑轨上的滑动座，滑动座上设有沿前后方向延伸的顶杆、驱动顶杆在滑动座上沿前后方向移动的顶杆平移气缸和驱动顶杆转动的旋转气缸，滑动座位于喷涂工位时喷口的开口方向线和顶杆的轴线位于同一个平面上本实用新型具有能够给板栅表面进行喷砂的优点，用于解决铸成型工艺制作出的板栅不利于铅膏结合的问题。
一种转动喷涂式连铸板栅喷砂机

[实用新型]一种浮动式栅板高真空湿式定型模-CN200720092645.8无效
发明人：李书杰 -专利权人：李书杰
申请日： 2007-11-12 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： B29C47/90 文献下载
摘要：一种浮动式栅板高真空湿式定型模包括：整体式真空负压栅板定位室、型腔、紧贴均缝隙、冷却通道、过水孔、冷却介质入口、冷却介质、介质通道孔、固定板、水汽分离式栅板抽气1、水汽分离式栅板抽气2、水汽抽口1、水汽抽口2、进水口1、进水口2、水汽分离式栅板、顶丝、出水口组成；该浮动式栅板高真空湿式定型模与现有的定型模相比能够实现方便、制造简单、模具更换安装方便、定位准确、水汽共抽、清理保养方便，生产效率高、寿命长。
一种浮动式栅板高真空定型

[实用新型]一种椅座底部的网篮式底座壳-CN201920933193.4有效
发明人：孟振林;郑彬;谢秋平 -专利权人：安吉德卡办公系统有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： A47C7/02 文献下载
摘要：本实用新型属于座具领域，具体涉及一种椅座底部的网篮式底座壳。括位于上部的顶圈架、位于下部的底座盘以及多条呈辐射状连接于顶圈架和底座盘之间的栅筋连条，所述顶圈架对应地围设于所述底座盘外，所述顶圈架、底座盘和栅筋连条连接形成中部下凹的、相邻栅筋连条之间留有空隙的网篮式结构，所述栅筋连条为沿长度方向向座壳内凹的导向弧形板条。通过网篮式的底座壳设计，使得使用者的坐感更加舒适，整个椅座即便原先的坐面没有弹性，但通过栅筋连条的设计使得整个整座具有缓冲弹性，大大提高了了整个椅座的舒适性，同时也节约了用料，节省了成本，且椅座底部透气性更好
一种底部网篮底座

[实用新型]用于大跨度式薄膜温室顶对开通风结构-CN202320347855.6有效
发明人：陈浩 -专利权人：天津阡陌唯农农业科技发展有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： A01G9/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜温室的技术领域，特别是涉及用于大跨度式薄膜温室顶对开通风结构，其增加动力通风的基础上，可以过滤优化通风空气质量，提高可靠性；包括固定座、支架、大跨度式薄膜温室顶对开通风框、通风电机、扇叶、合页、前盖板、过滤框、过滤网兜和风栅，固定座顶端左右侧经支架与大跨度式薄膜温室顶对开通风框底端左右侧相连接，大跨度式薄膜温室顶对开通风框后端内侧与风栅外侧相连接，风栅后端中部与通风电机前端相连接，通风电机输出端与扇叶后端中部相连接，扇叶转动设置在大跨度式薄膜温室顶对开通风框内，大跨度式薄膜温室顶对开通风框前端下侧经合页与前盖板后侧端相连接，前盖板中部设置有过滤框，过滤框内经固定装置安装有过滤网兜。
用于跨度薄膜温室对开通风结构

[发明专利]多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202010349428.2有效
发明人：化宁;王真昊;沈亚飞;王佳;章泉源;杜祥裕;王茂森;高翔;姚崇斌;黄硕;麻仕豪 -专利权人：上海航天测控通信研究所
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。
沟道绝缘鳍式栅复合 algaas gaas 电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法-CN201611230186.5有效
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。根据一些实施例，半导体器件包括衬底、第一栅堆叠、第一介电层、遮蔽层及连接件。所述第一栅堆叠位于衬底之上。所述第一介电层位于所述第一栅堆叠侧边，其中所述第一栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的顶表面，从而在所述第一栅堆叠上方提供第一凹陷。所述遮蔽层位于所述第一凹陷的表面上且延伸至所述第一介电层的所述顶表面上。所述连接件穿过所述遮蔽层并电连接至所述第一栅堆叠。
半导体器件鳍式场效晶体管器件及其形成方法

[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管的生物/化学传感器-CN201610341745.3有效
发明人：郭小军;唐伟;李乔峰;陈苏杰;黄钰坤;朱璐瑶;丁立 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种基于有机薄膜晶体管的生物/化学传感器，包括由下而上依次层叠的衬底、第一栅电极、第一栅绝缘层、源/漏电极、有机半导体层、第二栅绝缘层、第二栅电极、敏感膜以及封装层，其中，第一栅电极、第一栅绝缘层、源/漏电极和有机半导体层构成置于底部的底栅晶体管，作为参考器件，源/漏电极、有机半导体层、第二栅绝缘层和第二栅电极构成置于顶部的顶栅晶体管，用作敏感器件，该顶栅晶体管与底栅晶体管构建成低电压双栅结构的有机薄膜晶体管，顶栅晶体管与底栅晶体管具有大差异的栅电容值，有机半导体层具有低的禁带缺陷密度。本发明具有工作电压低、灵敏度高、成本低、检测目标多样等优点，能够兼容大面积、快速的印刷/涂布制备工艺，可用于制造可穿戴或移动式传感器，在健康监测、保健医疗领域应用前景广阔。 1
有机半导体层栅绝缘层栅电极有机薄膜晶体管顶栅晶体管源/漏电极晶体管底栅化学传感器移动式传感器保健医疗参考器件健康监测领域应用敏感器件双栅结构依次层叠制备工艺低电压电压低封装层可穿戴灵敏度敏感膜栅电容衬底禁带可用兼容印刷检测制造

[发明专利]电磁铁式手套机选针运动机构-CN201010567524.0有效
发明人：张建义;胡旭东;鄢和平;袁嫣红 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： D04B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁铁式手套机选针运动机构，包括2块装配板，2块装配板之间设有有第一栅片和第二栅片；第一栅片上安装有复位扭簧；第二栅片上安装有滑动顶块，滑动顶块和摆杆活动连接；2块装配板分别安装有电磁铁本发明采用电磁铁式选针方式，选针变换不受机械针鼓的横槽数量的限制，可以实现各类复杂手套的编制工艺，提高了选针速度，从而提高了生产量。
电磁铁手套机选针运动机构

[实用新型]电磁铁式手套机选针运动机构-CN201020635487.8无效
发明人：张建义;胡旭东;鄢和平;袁嫣红 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： D04B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电磁铁式手套机选针运动机构，包括2块装配板，2块装配板之间设有第一栅片和第二栅片；第一栅片上安装有复位扭簧；第二栅片上安装有滑动顶块，滑动顶块和摆杆活动连接；2块装配板分别安装有电磁铁本实用新型采用电磁铁式选针方式，选针变换不受机械针鼓的横槽数量的限制，可以实现各类复杂手套的编制工艺，提高了选针速度，从而提高了生产量。
电磁铁手套机选针运动机构

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