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[发明专利]利用试验数据获取单粒子效应器件敏感截面的方法及装置-CN201410677709.5有效
发明人：王群勇;薛海红;陈冬梅;陈宇 -专利权人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用试验数据获取单粒子效应器件敏感截面的方法及装置，采用预定辐射源进行地面模拟实验，获取敏感器件敏感截面的观测值σ观测，并监测实验中敏感器件的单粒子效应错误个数Nend；将采用美国Los Alamos实验室中子辐射源获得的敏感器件敏感截面的观测值σLANSC与敏感器件敏感截面的观测值σ观测进行除运算，得到第一辅助因子；将采用Rosetta真实环境试验获得的敏感器件敏感截面值σRosetta与敏感器件敏感截面的观测值σ观测进行除运算，得到第二辅助因子；根据第一辅助因子、第二辅助因子计算以及单粒子效应错误个数计算修正因子的值；利用修正因子对敏感器件敏感截面的观测值σ预设修正，获得真实环境大气中子单粒子效应敏感器件的敏感截面
利用试验数据获取粒子效应器件敏感截面方法装置

[发明专利]利用FOM获取中子单粒子效应器件敏感截面的方法及装置-CN201410676788.8有效
发明人：王群勇;陈冬梅;阳辉 -专利权人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用FOM获取中子单粒子效应器件敏感截面的方法及装置，包括：采用预定辐射源进行地面模拟实验，获取敏感器件敏感截面的观测值σ_观测，并监测实验中敏感器件的单粒子效应错误个数N_end；将采用FOM方法计算得出的敏感器件敏感截面值σ_FOM与敏感器件敏感截面的观测值σ_观测进行除运算，得到第一辅助因子；将采用Rosetta真实环境试验获得的敏感器件敏感截面值σ_Rosetta与敏感器件敏感截面的观测值σ_观测进行除运算，得到第二辅助因子；根据第一辅助因子、第二辅助因子计算以及单粒子效应错误个数计算修正因子的值；利用修正因子对敏感器件敏感截面的观测值σ_预设进行修正。本发明能够获得真实环境下大气中子单粒子效应敏感器件的敏感截面，为机载电子设备的防护与评价提供重要依据。
利用 fom 获取中子粒子效应器件敏感截面方法装置

[发明专利]利用BGR获取中子单粒子效应器件敏感截面的方法及装置-CN201410676821.7有效
发明人：王群勇;陈冬梅;陈宇 -专利权人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用BGR获取中子单粒子效应器件敏感截面的方法及装置，包括：采用预定辐射源进行地面模拟实验，获取敏感器件敏感截面的观测值σ_观测，并监测实验中敏感器件的单粒子效应错误个数N_end；将采用BGR方法计算得出的敏感器件敏感截面值σ_BGR与敏感器件敏感截面的观测值σ_观测进行除运算，得到第一辅助因子；将采用Rosetta真实环境试验获得的敏感器件敏感截面值σ_Rosetta与敏感器件敏感截面的观测值σ_观测进行除运算，得到第二辅助因子；根据第一辅助因子、第二辅助因子计算以及单粒子效应错误个数计算修正因子的值；利用修正因子对敏感器件敏感截面的观测值σ_预设进行修正。本发明能够获得真实环境下大气中子单粒子效应敏感器件的敏感截面，为机载电子设备的防护与评价提供重要依据。
利用 bgr 获取中子粒子效应器件敏感截面方法装置

[发明专利]元器件敏感参数退化的测量方法-CN201510236802.7在审
发明人：王群勇;白桦;阳辉;孙旭朋 -专利权人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种元器件敏感参数退化的测量方法，包括：获取不同时刻元器件的敏感参数、影响所述敏感参数的应力和测量时刻；对所述敏感参数及应力进行数据预处理；对所述敏感参数、应力、测量时刻进行数据处理，获得去除所述应力及去除测量随机误差后的敏感参数通过采用本发明所公开的元器件敏感参数退化的测量方法，去除了试验应力波动对元器件敏感参数退化信息的干扰，减少了基于敏感参数退化的元器件寿命的试验时间，能够快速获得元器件敏感参数变化趋势，降低了基于敏感参数退化的试验系统建设成本
元器件敏感参数退化测量方法

[实用新型]一种温度敏感器件的恒温装置-CN201920484317.5有效
发明人：王晓明;王英杰;李道武;孟凡辉 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本公开是关于一种温度敏感器件的恒温装置，该恒温装置包括壳体、半导体制冷组件与散热组件。壳体形成有一密闭腔体，温度敏感器件设于所述腔体内；半导体制冷组件设于所述腔体的边界，与所述温度敏感器件连接，用于调整所述温度敏感器件的温度，以使所述温度敏感器件的温度值处于预设范围内；散热组件与所述半导体制冷组件连接本公开提供的温度敏感器件的恒温装置，能够给温度敏感器件提供恒定的低温环境。
温度敏感器件半导体制冷组件恒温装置散热组件壳体低温环境密闭腔体恒定的腔体预设体内吸收

[发明专利]基于标准CMOS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法-CN201710981238.0有效
发明人：杨翎;张雪莲;张强;王琛瑜;节俊尧;俞育德 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法，包括制备敏感膜，其中，所述制备敏感膜包括：准备含有外部钝化层和钝化层下方的TiN层结构的ISFET器件；从ISFET器件外部向下刻蚀部分钝化层、刻蚀全部钝化层、刻蚀至部分TiN层或刻蚀全部TiN层；和/或沉积敏感膜。本发明的方法制成了高质量的敏感膜，同时敏感膜与器件顶层金属距离合适，提升了器件的敏感能力。
基于标准 cmos 工艺 isfet 器件敏感制作方法

[发明专利]电子装置-CN202310392832.1在审
发明人：廖建兴 -专利权人：上海移为通信技术股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子装置，包括电源处理元件、电源处理线路、敏感线路以及敏感器件，所述电源处理元件与所述电源处理线路连接，所述敏感器件与所述敏感线路连接；所述电源处理元件及所述电源处理线路与外接电源连接，用于滤除所述外接电源中的噪声、浪涌、静电和/或所述敏感线路和/或所述敏感器件产生的噪声，并向所述敏感器件输出供电电源；所述电源处理线路中用于输出所述供电电源的负输出端与所述敏感线路的接地端连接，可以最大程度上削弱外部噪声通过传导方式对敏感器件和/或敏感线路的干扰，从而提高电子装置的可靠性。
电子装置

[发明专利]敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件-CN202210174525.1在审
发明人：张彰;谢红梅;陈毓潇;徐军;赵佳;王俊力;宋健 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件。其中，敏感器件结构的制备方法，包括：于衬底上敏感材料层，且于敏感材料层上形成图形化掩膜层；在第一刻蚀气体下，基于图形化掩膜层对敏感材料层进行主刻蚀，以形成器件敏感层，第一刻蚀气体包括第一氟化物气体与侧壁保护气体，第一刻蚀气体中的侧壁保护气体不超过第一氟化物气体体积占比的5％；去除图形化掩膜层；于器件敏感层上形成钝化保护层。本申请能有效减少敏感器件结构中的聚合物残渣，进而提高敏感器件性能。
敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件

[发明专利]一种图像传感器结构-CN202010856280.1在审
发明人：康晓旭;邱佳梦;唐晨晨 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器结构，自下而上包括：衬底和介质层；所述衬底上设有第一光敏感器件，所述介质层上设有金属互连层和第二光敏感器件，所述第二光敏感器件设于一沟槽中，所述沟槽位于所述第一光敏感器件上方的所述介质层中，所述第二光敏感器件通过所述沟槽耦合所述第一光敏感器件，并通过所述金属互连层引出；其中，所述第一光敏感器件和第二光敏感器件中分别含有多个沿水平分布且相耦合的pn结。
一种图像传感器结构

[发明专利]一种散热装置、散热装置的制造方法以及电子设备-CN201310694884.0有效
发明人：曲中江 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明实施例的散热装置包括：单板上设置有热敏感器件和功耗器件，单板上，与热敏感器件对应位置设置有热敏感器件散热器；热敏感器件散热器的两端向上延伸形成有散热鳍片，且散热鳍片沿单板上强迫风冷的气流方向排列，以使热敏感器件的热量通过散热鳍片进行散热；导风罩设置在热敏感器件散热器两端的散热鳍片之间，且与功耗器件位置对应，以使导风罩沿单板上强迫风冷的气流方向排列，使得功耗器件的热量通过导风罩进行散热。本发明实施例使得功耗器件的散热时的热量不会对热敏感器件造成影响，避免了大功耗器件热级联的影响。
一种散热装置制造方法以及电子设备

[实用新型]一种敏感元器件生产用组装机构-CN202220763853.0有效
发明人：郭启正;陈涛;杜文光;郭启春 -专利权人：成都三拓科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B23P19/027 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种敏感元器件生产用组装机构，属于敏感元件技术领域，包括底座，所述底座顶部的两侧均栓接有固定架，所述固定架的顶部栓接有支撑板，通过设置气缸和压盘的作用，能够对组装好的敏感元器件进一步压时，同时防护台提供的支撑作用，从而便于压盘对下落的敏感元器件进行施压，能够使敏感元器件组装的更加结实，不易发生脱离，同时通过设置电动推杆提供驱动力，通过设置连接板和推杆的配合，能够快速的对加工后的敏感元器件进行推动，通过设置传送架的作用可将敏感元器件进行传送进入到下一个的工作环节，节省了敏感元器件生产的时间，从而提高了敏感元器件生产用组装机构的工作效率。
一种敏感元器件生产组装机构

[实用新型]电子设备的防泄密结构和电子设备-CN202020393242.2有效
发明人：黄茂涵;苏小燕;汤瑞智;吴贤生 -专利权人：百富计算机技术（深圳）有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电子设备的防泄密结构和电子设备，其中，防泄密结构包括热敏器件和敏感器件，防泄密结构设置于电子设备内，敏感器件用于存储敏感信息，在通过加热方式使粘合剂失效以分离屏幕和前壳时，热敏器件检测到温度变化，热敏器件的安全信号线的输出电平改变，并触发敏感器件擦除敏感信息，达到信息保护的目的。
电子设备泄密结构

[发明专利]元件、功能模块和系统的剩余寿命评估方法、装置和系统-CN202080097738.8在审
发明人：刘臻;陈维刚;庞建国;朱怡 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：元件、功能模块和系统的剩余寿命评估方法、装置和系统，方法包括如下步骤：S1，选择元件、功能模块和系统中能表征老化指标的敏感器件，以确定状态检测策略，敏感器件包括核心元器件或次级电路；S2，对至少一个敏感器件施加一个检测电路，其中，检测电路是作为所述元件、功能模块和系统的旁路电路，其通过在敏感器件施加应力获取敏感器件参数并基于物理模型或者经验模型以及累积损伤模型计算不同应力条件下的每个敏感器件的剩余寿命；S3,根据上述针对每个敏感器件的剩余寿命计算结果以及所有敏感器件所代表的权重计算出整个元件
元件功能模块系统剩余寿命评估方法装置

[发明专利]一种基于飞秒脉冲激光Z扫描的器件敏感体积确定方法-CN202110525010.7在审
发明人：安恒;李得天;张晨光;文轩;常思远;杨生胜;王俊;曹洲;银鸿 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及空间辐射技术领域，具体而言，涉及一种基于飞秒脉冲激光Z扫描的器件敏感体积确定方法，包括如下步骤：步骤1：对被测器件进行聚焦，并确定飞秒脉冲激光入射光斑的大小；步骤2：对被测器件进行飞秒脉冲激光粗扫描，根据入射光斑的大小，确定被测器件敏感区域面积Q；步骤3：在敏感区域内进行Z向细扫描，确定敏感深度z；步骤4：根据不同能量下被测器件收集电荷和敏感深度z的曲线关系，确定被测器件敏感体积的长度ZRPP；步骤5：根据单粒子效应分析的RPP模型，确定器件的敏感体积V。本发明可以获得纳米器件的单粒子效应敏感区域，准确获取器件的敏感体积，可直接用于定量分析飞秒脉冲激光单粒子效应收集电荷。
一种基于脉冲激光扫描器件敏感体积确定方法

[发明专利]一种声波传感器-CN201110424521.6无效
发明人：杨立斌;李程 -专利权人：西安威正电子科技有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01F1/66 文献下载
摘要：一种声波传感器，包括外壳，机座和外壳连接，机座和第一敏感器件连接，第一敏感器件和电极板连接，电极板和第二敏感器件连接，第二敏感器件和质量块连接，质量块的上部中央配置有电极，电极板、电极分别和位于外壳外的放大器连接，管路上产生的声波被安装在钢管外壁上的声波传感器接收，通过第一敏感器件、电极板、第二敏感器件、放大器完成声一电转换，将电信号输出，本发明具有测量灵敏度高的优点。
一种声波传感器

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