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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用零脉冲智能验证的存储器设备和操作方法-CN202110649097.9在审
发明人： X·B·皮特纳;赵登涛;D·杜塔;R·库马尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：所述存储器单元中的每一个连接到多个字线中的一个且还布置成串且被配置成将阈值电压保持于阈值电压的共同范围内。耦合到所述多个字线和所述串的控制电路被配置成确定在擦除操作之后所述存储器单元的所述阈值电压的分布的擦除上部尾部电压。所述擦除上部尾部电压对应于所述存储器单元的循环条件。所述控制电路还被配置成基于所述擦除上部尾部电压计算在编程操作期间将施加到与所述存储器单元相关联的所述多个字线中的所选者中的每一个以对所述存储器单元进行编程的编程电压。
使用脉冲智能验证存储器设备操作方法

[发明专利]存储系统及其操作方法-CN201710599575.3在审
发明人：金守年 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：该存储系统可以包括：存储装置，所述存储装置包括各自均具有N个字线组的多个存储块；以及控制器，所述控制器适用于：选择所述多个存储块当中的坏存储块；将所选择的所述坏存储块的正常字线组布置为各自均包括N个非冲突正常字线组的一个或更多个存储块字线组；以及将每一个所述存储块字线组作为重用存储块来进行管理。
存储系统及其操作方法

[发明专利]基于字线的芯片性能测试方法、装置、设备及介质-CN202310477357.8在审
发明人：胡鸿源;贺乐;赖鼐;龚晖 -专利权人：深圳市晶存科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供了基于字线的芯片性能测试方法、装置、设备及介质，通过对样本芯片进行可靠性测试，确定样本芯片的闪存块中的多个弱字线；统计多个弱字线在样本芯片的闪存块中的分布规律；根据分布规律对测试芯片的闪存块中的多个字线进行采样得到目标字线，对测试芯片的目标字线进行标记得到目标芯片；对目标芯片进行性能测试，得到性能测试结果；通过根据弱字线的分布规律确定测试芯片的目标字线，只对目标字线所对应的情况进行性能测试，避免对测试芯片的所有字线均进行性能测试
基于芯片性能测试方法装置设备介质

[发明专利]存储器系统、存储器控制器和存储器设备-CN201911226444.6在审
发明人：郑容日 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：在置位操作中，通过向多个字线中排除所选择的目标字线的至少一个第一字线和至少一个第二字线施加不同的通过电压，可以防止存储器设备的操作错误。
存储器系统控制器设备

[发明专利]存储器装置中的双单层级单元编程-CN202310105415.4在审
发明人： T·O·伊瓦萨基;E·N·李;李濬 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：存储器装置中的控制逻辑使通过电压施加到所述存储器装置的存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压。所述控制逻辑进一步根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电。另外，控制逻辑使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的相应存储器单元进行编程。
存储器装置中的层级单元编程

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201610629583.3在审
发明人：边谕俊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器系统，其可包括存储器装置，其包括多个页面和多个字线；以及控制器，其适于对被联接至单个字线的至少一个选择的页面执行编程操作、当在断电中断对至少一个选择的页面执行编程操作之后存储器系统被通电时对至少一个选择的页面执行擦除操作
存储器系统及其操作方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读出方法-CN201280001450.1有效
发明人：辻清孝;岛川一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：该非易失性半导体存储装置具有多个字线（2）、以与多个字线（2）立体交差的方式形成的多个位线（3）、以及由针对多个字线（2）与多个位线（3）的各个立体交差点设置的单元的集合体构成的交叉点单元阵列（1），单元的集合体包括
非易失性半导体存储装置及其读出方法

[发明专利]阵列存储器的周边电路体系结构-CN200510137098.6有效
发明人：余传英;洪俊雄;罗思觉;郭乃萍;陈耕晖 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：一种字线驱动单元连接至少一条字线，包含至少一个扩散区域以及形成在该至少一个扩散区域的至少一个字线驱动半导体切换元件。该至少一个字线驱动半导体切换元件有着一沟道宽度以垂直于该至少一条字线的纵轴的方式排列。
阵列存储器周边电路体系结构

[发明专利]磁存储装置与磁基片-CN200410064298.9无效
发明人：国清辰也;永久克已;前田茂伸 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储装置，配备存储器单元阵列和电感，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结
存储装置磁基片

[发明专利]用于增强的闪存性能的读取级别分组-CN201610161521.4有效
发明人：塞伊汗·卡拉库拉克;安东尼·德韦恩·韦瑟斯;理查德·大卫·巴恩特 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：错误计数表基于读取闪存装置的字线而生成，该表存储对于字线和读取该字线的相应读取级别电压的每个组合的错误计数。多个偏移字线组基于错误计数表而生成，每个组使不同读取级别偏移电压与多个字线地址关联。存储装置被配置为使用与待读取存储元件的字线地址关联的所生成的偏移字线组的读取级别偏移电压来读取存储元件。在相应存储块的寿命周期中的预定点之后，重新生成该表，并且基于重新生成的错误计数表而重新生成多个偏移字线组。
用于增强闪存性能读取级别分组

[发明专利]在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法-CN200980101910.6有效
发明人：杨赛森;钟成;朴东奎;穆罕默德·H·阿布-拉赫马 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法。在实施例中，存储器装置(100)包括字线逻辑电路(110)，所述字线逻辑电路(110)耦合到多个字线(108)且适合于选择性地向耦合到选定存储器单元的选定字线施加正电压(V)且向非选定字线施加负电压(NV
存储器装置读取操作期间选择性施加电压系统方法

[发明专利]动态存储器及其制作方法、存储装置-CN202210442165.9在审
发明人：王祥升;王桂磊;赵超 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种动态存储器及其制作方法、存储装置，动态存储器包括衬底和层叠的设置在衬底上的多个存储阵列，存储阵列包括多个阵列排布的存储单元。存储单元包括晶体管、电容、字线和位线，字线位于晶体管的栅极处，字线沿垂直于衬底表面的方向延伸，多个层叠设置的存储单元共用一个字线；位线与晶体管的源极电连接，位于同一层的多个晶体管通过一个位线互相电连接。通过将包括多个存储单元的存储阵列层叠设置，使得存储单元的结构布局更加紧凑。另一个方面，通过使多个层叠设置的存储单元共用一个字线，并使位于同一层的多个晶体管通过一个位线互相电连接，由此进一步地简化了动态存储器的结构，并且有利于简化动态存储器的制作工艺。
动态存储器及其制作方法存储装置

[发明专利]存储器和包括存储器的存储系统-CN201410424735.7有效
发明人：李荣燮;宋清基 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种存储器，其可以包括：多个字线；目标地址发生单元，适于通过使用储存的地址来产生一个或多个目标地址；刷新控制部，适于响应于周期输入的刷新命令而激活刷新信号，以及在自刷新模式下周期性激活所述刷新信号；目标刷新控制部，适于当所述刷新信号被激活M次时激活目标刷新信号，其中M是自然数，以及在所述自刷新模式下去激活所述目标刷新信号；以及行控制部，适于响应于所述刷新信号而顺序地刷新所述多个字线，以及当所述目标刷新信号被激活时，响应于所述刷新信号而刷新与所述目标地址相对应的字线。
存储器包括存储系统

[发明专利]存储器元件及其制作方法-CN201910709721.2在审
发明人：赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种存储器元件及其制作方法，存储器元件包含多个叠层的多个字线与多个绝缘带交替层叠，这些叠层被多个沟道所分离，这些字线沿一第一方向延伸。多个垂直导体结构位于相邻这些叠层之间的沟道内。多个层存储器材料以及层通道材料位于这些沟道的至少一侧的这些字线的侧壁，这些沟道位于相邻的这些垂直导体结构之间，这些层通道材料欧姆接触于这些垂直导体结构。在这些垂直导体结构的位置，这些字线的侧壁内凹于这些绝缘带之间，以形成这些字线的该侧壁上的多个凹陷，借以分离这些字线与这些垂直导体结构。
存储器元件及其制作方法

[发明专利]用于编程存储器装置的通过电压的选择性增加和减小-CN202310165712.8在审
发明人： V·Q·叶;J·M·H·蔡;卢景煌;Y·董 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：所述控制逻辑将进行以下操作：检测指向所述存储器阵列的多个字线中的被选字线的编程操作；在所述编程操作的初始阶段期间，确定正施加到所述被选字线的编程电压是否满足阈值编程电压；响应于所述编程电压不满足所述阈值编程电压，将基础偏移电压添加到初始通过电压以产生较高通过电压，所述初始通过电压是初始编程电压的一百分比；和使所述较高通过电压施加到所述多个字线中除所述被选字线以外的剩余部分。
用于编程存储器装置通过电压选择性增加减小

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