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[发明专利]一种存储设备数据丢失测试方法、装置、介质及设备-CN202311178413.4在审
发明人：潘慧敏;赵啟鹏 -专利权人：合肥康芯威存储技术有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储设备测试技术领域，公开了一种存储设备数据丢失测试方法，包括：根据第一数据写入参数向所述存储设备的第一存储单元写入第一数据，所述第一数据写入参数包括第一数据的大小、类型、位置以及执行测试步骤的次数；对写入第一数据后的所述存储设备执行下电操作；读取下电后存储设备的第一存储单元中的第二数据；获取所述第一数据与所述第二数据之间的差异数据作为丢失数据。本发明解决现有方法无法自动化获取写XLC block时丢失最大数据量的问题。
一种存储设备数据丢失测试方法装置介质

[发明专利]一种基于固态硬盘现代待机的测试方法及测试平台-CN202311171240.3在审
发明人：周佳宇 -专利权人：江苏华存电子科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于固态硬盘现代待机的测试方法及测试平台，其通过模拟实际使用场景下的待机操作，更加准确的评估固态硬盘现代待机的性能，完善了对于固态硬盘现代待机的测试方法，其特征在于：所述测试方法包括以下步骤：步骤1、搭设测试环境；步骤2、检查固态硬盘是否具备现代待机的能力；步骤3、在固态硬盘上安装操作系统和测试程序，并将固态硬盘与主机模块连接；步骤4、通过控制模块设置测试参数；步骤5、执行测试程序；步骤6、通过数据采集模块记录每次测试采集到的测试数据，并进行整理和分析；步骤7、结束测试，进行性能评估。
一种基于固态硬盘现代待机测试方法平台

[发明专利]测试用转接装置、测试系统及固态硬盘-CN202110700881.8有效
发明人：武恒文;朱玥琦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种测试用转接装置、测试系统及固态硬盘。该测试用转接装置包括：电路板，电路板配置有第一转接线路和第二转接线路；产品插槽，其适于与第一接口类型的待测试产品电连接，并具有与第一转接线路电连接的空引脚、以及用于传输信号的第一功能引脚；转接插头，其被配置为第一接口类型，并具有通过第二转接线路与第一功能引脚电连接的第二功能引脚；以及转接部，其与第一转接线路电连接，并具有用于与主机电连接的接口，其中接口被配置为不同于第一接口类型的第二接口类型。
测试转接装置系统固态硬盘

[发明专利]脉冲干扰监测系统及离子植入机-CN201980047800.X有效
发明人：基斯·E·卡威尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种脉冲干扰监测系统及离子植入机。脉冲干扰监测系统容许从一个或多个通道俘获电压及电流数据。另外，还可俘获在脉冲干扰之前出现的电压及电流数据以供进一步分析。数据量可为数千或数百万个字节。另外，可对脉冲干扰的包括上阈值、下阈值及持续时间在内的说明进行编程。这容许在需要时忽略电压或电流的虚假扰动。此外，在需要时，可在存储在存储器中之前对电压及电流数据进行滤波。此数据稍后可由主控制器重试并被分析，以确定脉冲干扰的潜在原因及潜在的补救动作。
脉冲干扰监测系统离子植入

[发明专利]一种感应放大器性能的检测方法、存储芯片-CN202210291541.9在审
发明人：楚西坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种感应放大器性能的检测方法、存储芯片。其中，所述方法包括：对位于同一列的一组存储单元中的目标存储单元至少执行一次如下循环步骤，其中：所述一组存储单元包括目标存储单元和与所述目标存储单元连续的N个存储单元，所述N为大于等于2的正整数；在执行第一写操作过程中，向所述一组存储单元中写入检测数据，其中，所述检测数据中写入所述目标存储单元的数据为检测位元数据；在执行第一读操作过程中，控制所述目标存储单元的驱动位线和参考位线的预充电时长为检测时长后，读取所述目标存储单元上的目标数据；基于所述检测位元数据与所述目标数据的一致性，检测所述目标存储单元的感应放大器在所述检测时长下的性能。
一种感应放大器性能检测方法存储芯片

[发明专利]存储器测试方法及装置、介质及设备-CN202210293283.8在审
发明人：楚西坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开是关于一种存储器测试方法、存储器测试装置、计算机可读存储介质及电子设备，涉及集成电路技术领域。该存储器测试方法包括：在存储阵列的各存储单元中均写入第一数据；使能数据掩码模式，在所述存储阵列的各所述存储单元中均写入第二数据；使能漏电模式，在所述存储阵列的待测列所对应的存储单元中写入第一数据；预设漏电时间后，关闭所述漏电模式，并读取所述待测列所对应的存储单元中的数据进行测试，以确定所述存储阵列中是否存在同开的至少两列。本公开可以对行解码器是否失效进行测试。
存储器测试方法装置介质设备

[发明专利]用于进行掉电测试的方法、装置和系统-CN202111114138.0有效
发明人：李波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：提供了一种用于进行掉电测试的方法。该方法包括：在电子设备被上电之后执行多个程序，其中，所述多个程序中分别嵌入有标志位；以及将所述多个程序中的在所述电子设备发生掉电的时刻正在执行的相应的一个程序中的标志位的标记状态设置为第一标记状态，其中，所述标记状态包括第一标记状态和第二标记状态，所述第二标记状态与所述第一标记状态不同。通过这样的用于进行掉电测试的方法可以有助于优化整个掉电测试的过程，进而实现电子设备中的多个程序被掉电测试来测试到的频次可以是尽量均等的。
用于进行掉电测试方法装置系统

[发明专利]一种测试方法及测试装置-CN202310857203.1在审
发明人：朱智惟;陈宏宗 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种测试方法，用于测试被测芯片，被测芯片包括至少一个外部管脚和至少一个内部管脚，外部管脚为被引出连接至测试探针的数据管脚，内部管脚为未被引出连接至测试探针的数据管脚，该方法包括：确定测试管脚；测试管脚为不存在缺陷的外部管脚，测试管脚与N个内部管脚连接，N为大于0的整数；通过测试管脚向N个内部管脚中写入预设数据序列；对N个内部管脚进行数据读取，确定目标数据序列；根据预设数据序列和目标数据序列，确定测试结果。这样，可以实现在测试探针的资源有限的情况下，准确定位出发生缺陷的内部管脚，从而给工程分析提供了更加便利和精准的数据。
一种测试方法装置

[发明专利]存储芯片的测试方法及设备-CN202210246819.0在审
发明人：第五天昊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种存储芯片的测试方法及设备，涉及半导体技术领域，包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据，该待测存储芯片包括多列存储单元；从上述存储单元中读取存储数据；其中，在从上述存储单元中读取存储数据时，待测存储芯片使用的tCCD小于待测存储芯片的标准tCCD；根据上述测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果。本公开实施例通过改变待测存储芯片的工作参数tCCD，使待测存储芯片的读取环境变得更严格，通过对比写入的测试数据与读取到的存储数据，即可准确判断出待测存储芯片是否存在异常，可以有效提升存储芯片的检测准确率，进而提升存储芯片的良率。
存储芯片测试方法设备

[发明专利]存储器阵列测试方法和系统-CN202110592130.9有效
发明人：黄健豪;姜慧如;吴正一;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种存储器阵列测试方法和系统。一种测试非易失性存储器(NVM)阵列的方法，包括：将该NVM阵列加热到目标温度。在将该NVM阵列加热到该目标温度的同时，通过测量该NVM阵列的NVM单元子集的多个电流来获得电流分布，将该NVM阵列的每个NVM单元编程为逻辑高状态或逻辑低状态中的一种，并且对该NVM阵列的每个NVM单元执行第一通过/未通过(P/F)测试和第二通过/未通过(P/F)测试。基于该电流分布以及该第一P/F测试和该第二P/F测试来计算误码率。
存储器阵列测试方法系统

[发明专利]一种芯片功能安全ASIL等级评估方法-CN202310717871.4在审
发明人：李鸿鹏;奚文霞;胡济民;王喜洋;郑子健;张殿明;王丽娟;郭伟;秦跃;李波;夏显召;张伟;付越;郭瑞玲 -专利权人：中国汽车技术研究中心有限公司;中汽研（天津）汽车工程研究院有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片功能安全ASIL等级评估方法，包括：步骤1：输入待评估芯片相关的技术文档；步骤2：根据审核清单对技术文档进行功能安全流程审核；步骤3：选定待评估芯片所有安全模块，确定安全模块的失效模式以及能够覆盖对应失效模式的安全机制；步骤4：通过故障注入测试安全机制的实现情况并评估安全机制的诊断覆盖率；步骤5：计算待评估芯片的SPFM、LFM和PMHF指标值；步骤6：评估结果分析；步骤7：生成芯片功能安全评估报告，包括评估通过/不通过情况。本发明通过功能安全开发流程、硬件指标、诊断覆盖率等要求来评估芯片功能安全实现情况。为车规功能安全芯片提供了评估流程和评估方法。
一种芯片功能安全 asil 等级评估方法

[发明专利]内存质量检测方法及系统-CN202310594223.4在审
发明人：庞潇 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种内存质量检测方法及系统，该方法包括：基于第一预设内存测试参数，对待检测内存进行内存测试，若测试通过，确定待检测内存的质量等级为第一等级；若测试未通过，基于第二预设内存测试参数，对待检测内存进行内存测试，若测试通过，确定待检测内存的质量等级为第二等级；其中，第一预设内存测试参数和第二预设内存测试参数是基于多个不同加严程度的内存测试参数对样本内存进行测试所得到的测试结果确定得到的；第一等级对应的内存质量高于第二等级。本发明基于不同加严程度的内存测试参数对样本内存进行测试得到的多种预设内存测试参数，对待检测内存进行质量等级检测，实现了内存质量的精细化等级划分。
内存质量检测方法系统

[发明专利]一种存储器测试装置-CN201911310450.X有效
发明人：姜曾;杨超;马天赐;刘建明;陈瑶;陈六赢 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明属于数字集成电路测试领域，具体涉及一种存储器测试装置。该测试装置包括：储器集成测试平台MITP和PC机，所述MITP包括Spartan6 FPGA最小系统、电源配电网络PDN、串口电路、LED电路和存储器测试接口电路。可用于FPGA配置存储器在常温环境下的全擦除及多种数据的全编程、校验、串并配置输出等功能测试，以及具有JEDEC标准的Nand Flash在不同工作模式下的全编程、棋盘或March校验等功能测试。能有效提高芯片的测试效率、降低测试成本。
一种存储器测试装置

[发明专利]磁盘阵列性能测试方法及计算设备-CN202310573601.0在审
发明人：洪潮;俞伟生 -专利权人：超聚变数字技术有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种磁盘阵列性能测试方法及计算设备，涉及服务器技术领域。该方法中，在需要测试磁盘阵列的性能数据时，获取待测试磁盘阵列的配置参数和硬盘性能数据，并通过将配置参数和硬盘性能数据输入预测模型，得到待测试磁盘阵列的性能数据。由于无需将不同磁盘阵列实际应用于具体计算设备逐一进行性能测试，换言之，不需要搭建实际的运行环境对不同磁盘阵列逐一进行性能测试，因此，不仅能够降低测试成本，还提高了性能数据的获取便利性，简化了性能测试方法的实现逻辑，从而提高了测试效率，进而有助于快速完成海量磁盘阵列的性能数据的测试。
磁盘阵列性能测试方法计算设备

[发明专利]一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法-CN201911410230.4有效
发明人：刘凯;王璞;曹成 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法，本方法首先确定影响NAND Flash读参数的影响因素，然后对确认的影响因素进行区间划分，选取一定数量的block作为样本进行测试，写入随机数据，根据划分的影响因素区间，在不同类型组合情况下对数据进行校验，找到每个PT的最优读参数，基于最优读参数对应的影响因素生成读参数列表并保存到DDR的指定位置，读取数据时，根据需要读取的数据所在block的情况定位到DDR中读参数列表的对应位置，然后使用读参数列表中保存的最优读参数去读取该block中的page。本发明能减少ECC错误发生的概率，从而保证SSD的读性能的稳定。
一种 ssd 优化 nand flash 参考电压方法

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