“J·M·H·蔡”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于编程存储器装置的通过电压的选择性增加和减小-CN202310165712.8在审
发明人： V·Q·叶;J·M·H·蔡;卢景煌;Y·董 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及用于编程存储器装置的通过电压的选择性增加和减小。一种存储器装置包括存储器阵列和以操作方式与所述存储器阵列耦合的控制逻辑。所述控制逻辑将进行以下操作：检测指向所述存储器阵列的多个字线中的被选字线的编程操作；在所述编程操作的初始阶段期间，确定正施加到所述被选字线的编程电压是否满足阈值编程电压；响应于所述编程电压不满足所述阈值编程电压，将基础偏移电压添加到初始通过电压以产生较高通过电压，所述初始通过电压是初始编程电压的一百分比；和使所述较高通过电压施加到所述多个字线中除所述被选字线以外的剩余部分。
用于编程存储器装置通过电压选择性增加减小

[发明专利]用于多层级单元存储器装置中编程验证配对的方法和设备-CN202211514486.1在审
发明人： E·N·李;L·武;L·C·米兰达;J·M·H·蔡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于多层级单元存储器装置中的编程验证配对的方法和设备。存储器装置中的控制逻辑起始编程操作的第一循环，所述第一循环包括(a)其中将与存储器阵列的块中的选定字线相关联的多个存储器单元编程到多个编程电平中的相应者的编程阶段，及(b)对应编程验证阶段。所述控制逻辑进一步标识所述多个存储器单元中与待在所述编程验证阶段期间验证的所述多个编程电平的第一子集相关联的存储器单元，所述第一子集包括两个或更多个动态选择的编程电平，所述两个或更多个动态选择的编程电平至少包括所述多个编程电平中的所述相应者的最低编程电平和第二低编程电平。所述控制逻辑进一步使得在所述编程验证阶段期间将第一编程验证电压施加到所述选定字线，并且对所述多个存储器单元中与所述多个编程电平的所述第一子集相关联的所标识存储器单元执行并行感测操作，以确定所述所标识存储器单元是否在所述编程操作的所述第一循环的所述编程阶段期间被编程到对应于所述多个编程电平的所述第一子集的相应编程验证阈值电压。
用于多层单元存储器装置编程验证配对方法设备

1
共 2 条