“G11C16/30”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果322个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]终结电路和包括该终结电路的半导体装置-CN201910967633.2有效
发明人：宋浚踊;池汉圭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了终结电路和包括该终结电路的半导体装置。一种半导体装置包括终结电压端子、第一引脚、第二引脚、第一终结电路和第二终结电路。第一终结电路被耦接在终结电压端子与第一引脚之间。第二终结电路被耦接在终结电压端子与第二引脚之间。第一终结电路的电阻值和第二终结电路的电阻值基于从终结电压端子到第一引脚和第二引脚的距离来确定。
终结电路包括半导体装置

[发明专利]电压生成电路以及半导体存储装置-CN202210871273.8在审
发明人：藤本巧 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：实施方式提供能够抑制面积的增加以及消耗电流量的增加并且抑制输出电压的波动的大小的增大的电压生成电路以及具备该电压生成电路的半导体存储装置。实施方式的电压生成电路具备：多个电荷泵，各自与第一节点连接；以及控制电路，基于上述第一节点的电压满足条件的期间，对上述多个电荷泵中的设为有效的电荷泵的数量进行控制。
电压生成电路以及半导体存储装置

[发明专利]用于三维存储器的多管芯峰值功率管理-CN202080001933.6有效
发明人：汤强;J·郭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：公开了存储器管芯上的峰值功率管理(PPM)电路的实施例。PPM电路包括并联布置的第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管各自具有分别电连接到第一电源和第二电源的漏极端子。PPM电路还包括电阻器，该电阻器具有电连接到第一晶体管和第二晶体管的相应源极端子的第一端子。PPM电路还包括存储器管芯上的第一接触焊盘，该第一接触焊盘通过管芯到管芯连接而电连接到不同存储器管芯上的第二接触焊盘。PPM电路还包括第三晶体管，该第三晶体管具有电连接到电阻器的第二端子的漏极端子和电连接到第一接触焊盘的源极端子。
用于三维存储器管芯峰值功率管理

[实用新型]自供电SATA硬盘电路-CN202223066312.1有效
发明人：白晓华 -专利权人：睿达存储（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自供电SATA硬盘电路，其特征在于，所述电路包括SATA接口以及电压转换模块，所述电压转换模块与所述SATA接口电性连接，所述电压转换模块用于对SATA接口上的电压转换为多个不同的工作电压；所述SATA接口的第8引脚与所述电压转换模块连接，用于向所述电压转换模块输出电源电压。本实用新型提供的电路通过SATA硬盘插接在SATA接口上，就可以从SATA接口的第8引脚上获取接口上的电源电压，再对电源电压进行转换，实现输出多个工作电压，以给存储模块供电的目的，不需要外接电源，解决了现有技术中容易受外部电源限制的技术问题。
供电 sata 硬盘电路

[发明专利]用于多管芯操作的模拟峰值功率管理-CN202310674343.5在审
发明人： J·郭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于多管芯操作的模拟峰值功率管理。在一个示例中，公开了用于具有多个存储管芯的存储芯片的峰值功率管理(PPM)方法。每个存储管芯包括一个第一PPM电路和一个第二PPM电路。所述多个存储管芯的第一PPM电路是电连接的以形成第一PPM组。类似地，第二PPM电路是电连接的以形成第二PPM组。可以通过以下操作管理峰值功率操作：在所述第一PPM组的第一PPM使能信号为零时，接通选择的存储管芯上的所述第一PPM电路的第一下拉驱动器；等待第一延迟时段；在所述第二PPM组的第二PPM使能信号为零时，接通所述选择的存储管芯上的所述第二PPM电路的第二下拉驱动器。所述第一和第二PPM使能信号取决于流过所述第一和第二PPM组中的每个下拉驱动器的电流。
用于管芯操作模拟峰值功率管理

[发明专利]嵌入式Flash存储器的驱动电路-CN202310204047.9有效
发明人：陈艳;孟颖 -专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本公开提供了一种嵌入式Flash存储器的驱动电路，嵌入式Flash存储器包括多个扇区，每个扇区包括至少一行的多个存储单元，各行存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线，各行存储单元的选择栅极连接于同一条选择栅线；各列存储单元的漏端连接于同一条位线，同一扇区的多个存储单元的源端连接于同一条源线，同一扇区中的多个存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线；驱动电路向选中扇区和非选中扇区提供相同的选择电压、相同的位线电压、相同的源线电压以及相同的阱区电压，向选中扇区和非选中扇区提供不同的控制电压。本公开可以降低非选中扇区的阱区电压和源线电压之间的压差以及控制电压和源线电压之间的压差从而减小擦除干扰。
嵌入式 flash 存储器驱动电路

[发明专利]包括存储器平面的非易失性存储器设备及其操作方法-CN201811189134.7有效
发明人：全秀昶;朴相元;沈烔敎;郭东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：提供了一种具有存储器芯片的非易失性存储器设备。所述存储器芯片具有包括共享焊盘的多个存储器平面的存储器单元阵列，所述焊盘被配置为传送输入和输出信号。所述存储器芯片还具有控制电路，其被配置为：监视所述多个存储器平面的操作，以及基于监视的结果控制所述多个存储器平面中的至少一个的操作，使得所述多个存储器平面的峰值功率间隔是至少部分地分散的。
包括存储器平面非易失性存储器设备及其操作方法

[发明专利]电压识别方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置-CN201910905963.9有效
发明人：林纬;刘安城;陈思玮;杨宇翔 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种电压识别方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置。所述方法包括：根据多个读取电压组中的第一读取电压组读取第一存储单元并执行第一译码操作以产生第一校验信息；根据多个区间中第一校验信息所位于的第一区间，识别前述的多个读取电压组中对应于第一区间的多个第二读取电压组；使用第二读取电压组中的第三读取电压组读取第一存储单元并执行第一译码操作。
电压识别方法存储器控制电路单元以及储存装置

[发明专利]存储器装置中的双单层级单元编程-CN202310105415.4在审
发明人： T·O·伊瓦萨基;E·N·李;李濬 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置中的双单层级单元编程。存储器装置中的控制逻辑使通过电压施加到所述存储器装置的存储器阵列的块的多个字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一个的通道电位升压到升压电压。所述控制逻辑进一步根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多个选择性地对所述升压电压进行放电。另外，控制逻辑使单个编程脉冲施加到所述块的所述多个字线中的所选择字线以根据所述数据模式对所述多个子块的相应存储器单元进行编程。
存储器装置中的层级单元编程

[发明专利]记忆体装置及其操作方法-CN202310090717.9在审
发明人：鍾嘉哲;林鑫成;刘致为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本揭露的一实施例提供一种记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包含记忆体单元以及第一写入辅助电路。记忆体单元以第一供应电压及第二供应电压操作，第二供应电压不同于第一供应电压。第一写入辅助电路包含第一写入辅助开关及第二写入辅助开关，第一写入辅助开关及第二写入辅助开关通过第一数据线耦接记忆体单元。在对记忆体单元执行写入具有第一逻辑值的数据的写入操作中，当第二写入辅助开关关断时，第一写入辅助开关响应于第一控制信号传输第一供应电压至第一数据线。第一控制信号在第一写入辅助开关的控制端子被接收且具有第二供应电压的电压位准。
记忆体装置及其操作方法

[发明专利]存储装置和该存储装置的操作方法-CN201911190777.8有效
发明人：赵显哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：提供一种存储装置和该存储装置的操作方法。本公开涉及一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括存储器单元阵列、电压发生器和控制逻辑。电压发生器被配置成升高电源电压。控制逻辑被配置成基于经升高的电源电压和参考电压来存储时间。参考电压是用于对存储器单元阵列执行操作的电压电平。
存储装置操作方法

[发明专利]用于从处于断电状态的器件中泄放电源电压的电路-CN201880004448.7有效
发明人： A·库马尔;Y·奥莫勒 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本公开的实施方案包括一种装置。所述装置包括供压线路、耦合到所述供压线路的感测电路以及泄放电路。所述感测电路被配置为感测所述供压线路的电压电平。所述泄放电路被配置为当所述电压电平达到器件阈值电压时泄放电容器上可用的剩余电荷。所述器件阈值电压由连接至所述装置的器件产生。
用于处于断电状态器件中泄放电源电压电路

[发明专利]电源启动读取电路-CN202210036798.X在审
发明人：陈宗仁 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种电源启动读取电路。电源启动读取电路包括电源电压检测器、第一升压器、电压选择器、参考电压产生器以及读取电压产生器。电源电压检测器检测电源电压以产生控制信号。第一升压器根据控制信号以产生第一升压电压。电压选择器选择电源电压或第一升压电压以产生选中电压。参考电压产生器接收选中电压以作为操作电源，基于选中电压以根据控制信号来产生参考电压。读取电压产生器根据参考电压以及频率信号以产生第二升压电压，基于第二升压电压以根据控制信号来产生读取电压。其中读取电压被提供至存储单元阵列以执行数据读取动作。
电源启动读取电路

[发明专利]一种SSD供电芯片的供电控制方法、装置、设备及介质-CN202110982912.3有效
发明人：张兆峰;王瑞杰;华要宇;崔学涛 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种SSD供电芯片的供电控制方法、装置、设备及介质，该方法包括：当SSD的供电芯片为COT供电模式时，则根据第一数学模型确定供电芯片中电感的电感取值范围，以使供电芯片的输出电流纹波保持在第一预设范围之内；根据第二数学模型确定供电芯片中电容的电容取值范围，以使供电芯片输出电压的频率能够保持在第二预设范围之内；根据电感取值范围对供电芯片中电感的取值进行设定，并根据电容取值范围对供电芯片中电容的取值进行设定，以对供电芯片进行供电控制。这样就相当于是根据数学模型对SSD供电芯片的电感参数和电容参数进行了精确调整与设定，由此就可以保证SSD供电芯片的供电稳定性，以及SSD存储数据的可靠性。
一种 ssd 供电芯片控制方法装置设备介质

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法、存储装置-CN202310034674.2在审
发明人：千毅贤;南尚完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置、非易失性存储器的操作方法和存储装置。该非易失性存储器装置包括：包括多个存储器单元的存储器单元阵列、与多个存储器单元连接的多条位线和多条字线、与多个存储器单元连接的共源极线、包括共源极线噪声控制逻辑电路并被配置为生成包括第一电压和第二电压的多个电压的控制逻辑电路、被配置为接收多个电压并被配置为选择多个电压中的至少一个的电压选择器、以及被配置为接收至少一个选择的电压并被配置为控制共源极线的电压的共源极线驱动器，并且共源极线噪声控制逻辑电路被配置为基于编程信息控制电压选择器，以选择多个电压中的至少一个。
非易失性存储器装置及其操作方法存储

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 322 条