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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金属图案形成用转印膜及金属图案形成方法-CN200810172562.9无效
发明人：桑田博昭;山下隆德;井上靖健;川岸诚治 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种金属图案形成用转印膜，该金属图案形成用转印膜是在支持膜上按抗蚀剂层、厚为1～20μm的金属层以及玻璃浆料层的顺序层叠而成的，且所述玻璃浆料层含有玻璃粉末和粘结树脂，该粘结树脂来自具有亲水性基团的单体的构成成分为5质量％以下；本发明还提供形成这些层而进行的金属图案形成方法。根据本发明的金属图案形成用转印膜和金属图案形成方法，可以制造电阻低的电极，进而在显影工序中，能够维持FPD部件的透明性，能够阻止金属箔从玻璃浆料层剥离，此外在蚀刻工序中，能够防止抗蚀剂层从金属箔脱离。
金属图案形成用转印膜方法

[发明专利]形成辐射图案的工具以及形成辐射图案的工具的方法-CN03807920.8无效
发明人： D·H·杜尔曼 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种例如形成辐射图案的工具，可以利用它在基底上形成相当圆的接触点，其中接触点的阵列沿着阵列的行具有与沿着阵列的列不同的节距。交替的相位移动可以在小节距(稠密的)方向上给出很好确定的接触点。在节距较大的方向上添加边缘移动装置，迫使形成圆形的接触点开孔。在另一方面，可以在相邻的边缘之间添加抑制侧瓣的图案。以及一种包括制作形成辐射图案的工具的方法。
形成辐射图案工具以及方法

[发明专利]导体图案形成用墨液、导体图案、导体图案的形成方法及配线基板-CN200810184373.3有效
发明人：丰田直之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： C09D11/02 文献下载
摘要：本发明提供能够形成可靠性高的导体图案的导体图案形成用墨液、可靠性高的导体图案、可靠性高的导体图案的形成方法、及具备所述导体图案，可靠性高的配线基板。本发明的导体图案形成用墨液，其特征在于，该墨液用于通过从液滴喷出装置的喷出部被喷出而附着于由含有陶瓷微粒和粘合剂的材料构成的陶瓷成形体来形成导体图案，其中，该墨液含有水系分散介质、表面张力调节剂和分散于水系分散介质的金属微粒，导体图案形成用墨液在25℃下对于所述喷出面的接触角为50～90°，导体图案形成用墨液的液滴在25℃下对于所述陶瓷成形体的接触角为45～85°。
导体图案形成用墨方法配线基板

[发明专利]确定光刻投影装置最佳物面的方法及用于该方法的掩模-CN201010567531.0有效
发明人：毛方林;李术新;李煜芝 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种确定光刻投影装置最佳物面的方法，包括下述步骤：驱动图案形成装置至一物面高度位置，该图案形成装置包括第一组标记图案及第二组标记图案；驱动衬底至对应的像面位置处；将该第一组标记图案曝光至衬底表面上形成第一曝光图案；水平移动该衬底；将该第二组标记图案曝光至该衬底表面上形成第二曝光图案，以使该第二曝光图案与第一曝光图案一起构成套刻图案；改变该图案形成装置的垂向高度，在不同物面高度处重复上列步骤，形成多个套刻图案；读取不同物面高度处形成的套刻图案的套刻结果；根据套刻结果拟合出不同物面高度处的畸变值；根据不同物面位置对应的畸变值，选取最小畸变值所对应的物面高度为最佳物面位置。
确定光刻投影装置最佳方法用于

[发明专利]图案的形成方法-CN201310365626.8在审
发明人：王冬江;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种图案的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层分为第一区和第二区；在待刻蚀层上形成位于第一区的第一牺牲线、位于第二区的第二牺牲线，在第一牺牲线和第二牺牲线上形成硬掩模层；在第一牺牲线和第一牺牲线上的硬掩模层侧壁、第二牺牲线和第二牺牲线上的硬掩模层侧壁形成侧墙；刻蚀去除第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线；在刻蚀去除第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线后，以侧墙、第二牺牲线上的硬掩模层、第二牺牲线为掩模刻蚀待刻蚀层
图案形成方法

[发明专利]图案的形成方法-CN201710686758.9在审
发明人：王忠诚;陈俊光;赵家峥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本公开的一些实施例提供一种应用于微电子技术领域的图案的形成方法，包括：通过能量束对设置在晶圆上的光刻胶层进行曝光，使用曝光后烘烤设备对具有曝光后光刻胶层的晶圆实施曝光后烘烤，在曝光后烘烤之后，对曝光后光刻胶层进行显影，藉此形成光刻胶图案，曝光后烘烤设备包含烘烤盘，当晶圆的温度在预定温度范围时，将晶圆放置在烘烤盘上以进行曝光后烘烤。本公开的一些实施例提供的图案的形成方法可以更精准地控制晶圆的温度。
曝光晶圆光刻胶层烘烤烘烤设备烘烤盘图案微电子技术领域光刻胶图案能量束显影应用

[发明专利]薄膜图案形成方法-CN201510324958.0在审
发明人：杨长谋;陈威群 -专利权人：杨长谋
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明是一种薄膜图案形成方法，包含形成薄膜、覆盖掩模于薄膜以及进行溶剂退火与照光步骤。其中薄膜包含第一分子，第一分子具有共轭结构。藉此，薄膜对应曝光区的照光区厚度增加或减少，以于薄膜形成图案。本发明的薄膜图案形成方法具有简化制程、提高生产效率与符合环保诉求等优点。
薄膜图案形成方法

[发明专利]用于形成图案的方法-CN201911272646.4在审
发明人：金根俊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了一种用于形成图案的方法，该方法能够通过以下步骤来改善线宽粗糙度(LWR)：在刻蚀目标层上形成第一抗蚀剂材料；在第一抗蚀剂材料上形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料；使用第二抗蚀剂材料的遮光部分作为曝光掩模来曝光第一抗蚀剂材料；去除第二抗蚀剂材料；通过使曝光的第一抗蚀剂材料显影来形成第一抗蚀剂图案；以及使用第一抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀刻蚀目标层。
用于形成图案方法

[发明专利]形成图案部的方法-CN201911101731.4在审
发明人：高昇澈;沈俊昊;吴世允 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了一种形成图案部的方法，所述方法包括：在目标对象上形成第一膜，第一膜具有第一固化收缩率；在第一膜上形成第二膜，第二膜具有大于第一固化收缩率的第二固化收缩率；以及使第一膜和第二膜图案化以形成图案。
形成图案方法

[发明专利]导电图案形成方法-CN202011460844.6在审
发明人：刘俊优;芮秉大;李泰浩;根本笃志 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请公开了导电图案形成方法。根据实施方式的导电图案形成方法包括：在基板上形成第一导电图案；在包括掩模的转印基板上依次形成脱模层和导电层；向其中形成第一导电图案的基板辐射强脉冲光(IPL)；将转印基板放置在基板上；通过向转印基板辐射IPL，将对应于掩模的开口的导电层的一部分转印至基板上，以在基板上形成第二导电图案。
导电图案形成方法

[发明专利]图案形成用组合物-CN202080085418.0在审
发明人：中家直树;高濑顕司;菅原祐大 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本发明的图案形成用组合物例如是含有含三嗪环的聚合物、交联剂和有机溶剂的图案形成用组合物，所述含三嗪环的聚合物含有由下述式[4]表示的规定的重复单元结构，图案形成组合

[发明专利]图案的形成方法-CN202110814383.6在审
发明人：宛强;夏军;占康澍;徐朋辉;刘涛;李森 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种图案的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面形成有图形化的光刻胶层；基于所述光刻胶层，形成隔离侧墙，其中，所述隔离侧墙包括靠近所述光刻胶层的第一侧墙和远离所述光刻胶层的第二侧墙；在任意相邻两个隔离侧墙之间形成核心材料层；去除所述第二侧墙，形成由所述第一侧墙和所述核心材料层组成的所述图案。通过本申请，能够解决相关技术中侧墙厚度降低所导致的刻蚀过程聚合物堵塞的问题，能够精确地形成最终的图案。
图案形成方法

[发明专利]图案面的形成方法-CN200910151492.3有效
发明人：足立将司 -专利权人：四国化研(上海)有限公司
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： B05D5/06 文献下载
摘要：(课题)提供能够在建筑物等上形成类似于大理石等天然石材的图案的简便涂敷方法。(方案)在基材上执行如下步骤：(1)以折痕状涂附着色涂料并形成折痕状图案面的步骤；(2)在该折痕状图案面上涂附由至少一种透明着色粒状物分散于分散媒中而形成的上涂料。形成折痕状图案面的步骤中，可以使用具有带状吸液部件的旋转工具和/或具有带状吸液部件的推压工具。
图案形成方法

[发明专利]形成布局图案的方法-CN201710363149.X有效
发明人：王嫈乔;童宇诚;冯立伟;何建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种形成布局图案的方法。首先提供一阵列图案，包含多个特征图形沿着一第一方向排列成多列，该多列特征图形在一第二方向上平行并交错。接着在各列的相邻特征图形之间插入一辅助图形。后续再将包含该辅助图形的该阵列图案输出至一光掩模。
形成布局图案方法

[发明专利]图案的形成方法-CN201310007114.4有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种图案的形成方法，包括：在衬底上形成有膜层、位于膜层上的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成包括多个等间距、平行排列第一线的第一图案；在第一线的侧壁形成第二线，其中，第二线线宽等于第一线的线宽，第二线材料与第一线不同；在第二线的侧壁形成第三线，第三线的线宽与第一线相同；在第三线的侧壁外延生长第四线，第四线的线宽与第一线相同，第四线的材料与第三线不同；去除未被第一线、第二线、第三线、第四线覆盖的刻蚀阻挡层，暴露膜层；在膜层上外延生长第五线，第五线的材料与第四线的材料不同；去除第二线、第四线，最终形成的图案包括第一线、第三线和第五线。图案具有均匀排列密度和较佳线宽，以该图案形成的半导体器件性能良好。
图案形成方法

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