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[发明专利]人肝实质细胞的培养方法、培养人肝实质细胞、培养基及其制造方法、人肝非实质细胞的培养上清的制造方法-CN202280009517.X在审
发明人：增田范生;佐藤俊朗 -专利权人： JSR株式会社;庆应义塾
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：一种人肝实质细胞的培养方法，包含如下步骤：将人肝实质细胞用含有人肝非实质细胞的培养上清、Wnt信号传导促进剂和促细胞分裂生长因子的培养基进行培养。
实质细胞培养方法培养基及其制造人肝非

[发明专利]聚合物、组合物、硬化物、层叠体及电子零件-CN202280017152.5在审
发明人：川岛直之;山下祐徳;穴吹翔马;亀山洸瑠;西野健太;篠原新;藤冨晋太郎 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C08G65/40 文献下载
摘要：本发明的一实施方式涉及一种聚合物、组合物、硬化物、层叠体或电子零件，所述聚合物具有式(1)所表示的重复结构单元，并在末端具有式(a)所表示的基Y：X分别独立地为‑O‑、‑S‑或‑N(R3)‑，R3为氢原子、碳数1～20的一价烃基、碳数1～20的一价卤化烃基、或者这些烃基或卤化烃基中的一部分经选自氧原子及硫原子中的至少一种取代而成的基，R1为二价有机基，R2为二价未经取代或经取代的含氮杂芳香族环；‑Y(a)Y为碳数3～50的含有乙烯性不饱和双键的基、碳数6～50的未经取代或经取代的芳香族烃基、碳数6～50的未经取代或经取代的脂肪族烃基、或未经取代的含氮杂芳香族环，在所述芳香族烃基或脂肪族烃基具有取代基的情况下，所述取代基为羟基以外的基。#imgabs0#
聚合物组合硬化层叠电子零件

[发明专利]组合物、光学构件、固体摄像装置、光学传感装置及化合物-CN202310322143.3在审
发明人：内田洋介;下河広幸;三井达郎 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在所获得的光学构件中近红外光的遮蔽性及耐UV性优异的组合物、光学构件、固体摄像装置、光学传感装置及化合物。一种组合物以及包含其的光学构件、固体摄像装置及光学传感装置，其中所述组合物含有树脂(i)或聚合性化合物(ii)、以及式(I)Cn+An‑所表示的化合物(Z)，所述化合物(Z)中，二氯甲烷中的波长400nm～1300nm的波长范围内的最大吸收波长λmax为波长1100nm＜λmax＜1200nm。式(I)中，Cn+表示下述式(II)所表示的一价阳离子，An‑表示反荷阴离子。式(II)中的取代基的详细情况如说明书中所示。#imgabs0#
组合光学构件固体摄像装置传感化合物

[发明专利]透镜的制造方法、感放射线性组合物、显示元件或装置、固体摄像元件、摄像装置及化合物-CN202310362654.8在审
发明人：秋池利之;浜口仁;児玉诚一郎;田中圭;郑康巨;高田雄贵;铃木拓之;木下芳徳 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供一种透镜的制造方法、感放射线性组合物、显示元件或装置、固体摄像元件、摄像装置及化合物，可通过由低温加热引起的流动化形成透镜形状，且可获得耐热性高、高折射率的透镜。通过如下方法制造透镜，所述方法包括：在基材上涂布感放射线性组合物而形成涂膜的工序；对涂膜的一部分照射放射线的工序；对照射了放射线的涂膜进行显影而在基材上形成图案的工序；以及对显影后的图案进行加热而形成透镜的工序。感放射线性组合物含有(A)成分：式(1)所表示的化合物、(B)成分：光聚合引发剂、以及(C)成分：具有聚合性碳‑碳不饱和键的化合物(其中，(A)成分除外)。#imgabs0#
透镜制造方法放射线性组合显示元件装置固体摄像化合物

[发明专利]着色组合物、着色硬化膜及其制法、彩色滤光片、显示元件、光接收元件以及硬化性组合物-CN202311057156.9在审
发明人：福间聡司;井川茂;仓怜史 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种着色组合物、着色硬化膜及其制法、彩色滤光片、显示元件、光接收元件以及硬化性组合物。着色组合物，含有：(A)着色剂、(B)聚合物、以及(C)聚合性化合物，所述着色组合物中，选自由(A)着色剂、(B)聚合物及(C)聚合性化合物所组成的群组中的至少一种具有式(1)所表示的部分结构，选自由(A)着色剂、(B)聚合物及(C)聚合性化合物所组成的群组中的至少一种具有羟基。式(1)中，R1及R2分别独立地为碳数1～4的烷基，L1为二价有机基，X1为具有吸电子性的二价连结基。n1及n2分别独立地为0～2的整数。“*”表示键结键。#imgabs0#
着色组合硬化及其制法彩色滤光显示元件接收以及化性

[发明专利]镀敷造型物的制造方法-CN201880015558.3有效
发明人：榊原宏和;伊东宏和;松本朋之;渡部和人 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制镀敷处理时的镀敷的渗入的镀敷造型物的制造方法，以及用于所述镀敷造型物的制造方法中、可在基板上形成抑制了镀敷的渗入的抗蚀剂的镀敷造型物制造用感光性树脂组合物。本发明的镀敷造型物的制造方法包括：在基材上形成感光性树脂组合物的感光性树脂涂膜的工序(1)，所述感光性树脂组合物含有因酸的作用而对碱的溶解性增大的树脂(A)、光酸产生剂(B)、及因酸的作用而分解并生成伯胺或仲胺的化合物(C)；对感光性树脂涂膜进行曝光的工序(2)；对曝光后的感光性树脂涂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序(3)；以及将抗蚀剂图案作为掩模进行镀敷处理的工序(4)。
造型制造方法

[发明专利]光学构件、传感器模块、及光学构件的制造方法-CN202310256439.X在审
发明人：长屋胜也;渡沼宏至;中村和洋;岸田宽之;川部泰典;矢代优一 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光学构件、传感器模块、及光学构件的制造方法，对来自倾斜方向的入射光也具有充分的遮蔽效果，且在搭载于移动设备等时具有充分的耐破裂性。本发明为一种具有规定厚度的板状的光学构件，在所述光学构件的剖面中，在与板厚方向正交的方向上相互邻接地包括包含使光线透过的树脂材料的光线透过部、以及遮蔽所述光线的光线遮蔽部，所述光线遮蔽部的厚度为所述光线透过部的厚度的60％～120％的范围内。
光学构件传感器模块制造方法

[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、以及液晶元件-CN201910057261.X有效
发明人：植阪裕介 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、以及液晶元件，在以具有与聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺及聚有机硅氧烷不同的主骨架的聚合物为聚合物成分的情况下，可获得涂膜均匀性良好的液晶取向膜的液晶取向剂。液晶取向剂中，聚合物成分为具有与聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺及聚有机硅氧烷不同的主骨架的聚合物(P)，溶剂成分包含相对于总溶剂量而为1质量％～90质量％的以式(1)所表示的化合物(A)。HO‑R10‑OH (1)R10为碳数2～10的二价链状烃基、碳数3～10的二价脂环式烃基、在所述链状烃基或脂环式烃基的碳‑碳键间包含“‑O‑”的二价基等。
液晶取向及其制造方法以及元件

[发明专利]显示器的制造方法及显示器-CN202280011598.7在审
发明人：胜井宏充;刘博;马克西姆·勒迈特雷 -专利权人： JSR株式会社;麦瑞克斯科技股份有限公司
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：提供一种在抑制制造时间及制造成本的同时确保较宽发光区域的包括垂直有机发光晶体管的显示器的制造方法。在包括垂直有机发光晶体管的显示器的制造方法中，垂直有机发光晶体管的栅极电极层与薄膜晶体管的载流电极层中和垂直有机发光晶体管的栅极电极层连接的一者一体地形成于相同的层中。
显示器制造方法

[发明专利]有机电致发光发光性聚合物、热活化延迟荧光性聚合物、聚合物、聚合物组合物及发光元件-CN202010057896.2有效
发明人：下川努;胜井宏充;栗山敬祐 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C08F212/14 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光发光性聚合物、热活化延迟荧光性聚合物、聚合物、聚合物组合物及发光元件，其可通过简单的液相工艺形成发光元件中的发光层，并且在通过液相工艺形成发光层的情况下显示出长的发光寿命。提供一种热活化延迟荧光性聚合物，包括：具有电子给体结构的结构单元(a)、具有电子受体结构的结构单元(b)、以及具有交联性基的结构单元(c)。另外，提供一种发光元件，其包括使用所述热活化延迟荧光性聚合物而形成的发光层。
有机电致发光发光聚合物活化延迟荧光组合元件

[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜、液晶元件、聚合物及化合物-CN202310149268.0在审
发明人：安池伸夫;西村达哉 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09K19/56 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜、液晶元件、聚合物及化合物，其显示出良好的涂布性且可获得不易产生由残留电荷的蓄积所引起的残像的液晶元件。一种液晶取向剂，满足必要条件(I)及必要条件(II)中的至少任一个。必要条件(I)：含有在同一分子内包含部分结构(A)与部分结构(B)的化合物；必要条件(II)：含有在不同的分子内包含部分结构(A)与部分结构(B)的化合物；部分结构(A)：选自由特定的取代杂环结构、醌结构及四氰基醌二甲烷结构所组成的群组中的至少一种；部分结构(B)：选自由下述式(b1)所表示的部分结构及吩噻嗪结构所组成的群组中的至少一种。*‑X1‑B1‑X2‑* (b1)。
液晶取向元件聚合物化合物

[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件-CN202310140212.9在审
发明人：西村达哉;安池伸夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09K19/56 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶取向剂，其可形成力学强度高的液晶取向膜，并且可获得不易产生由残留电荷的蓄积所引起的残像、亮点的产生少且透过率高的液晶元件。液晶取向剂含有具有源自式(1)所表示的化合物的结构单元的聚合物。式(1)中，Ar1为二价芳香环基。X1为单键、‑O‑、‑S‑或‑NR1‑。Ar2、Ar3及Y1满足特定要件。在X1为单键的情况下，Y1通过碳原子而与Ar1键结。(i)Ar2为二价芳香环基，Ar3为一价芳香环基，Y1为碳数1以上的二价有机基。(ii)Ar2及Ar3表示含氮芳香族稠环结构。Y1为碳数1以上的二价有机基。(iii)Ar2为二价芳香环基。Ar3及Y1为包含含氮芳香族稠环结构的二价基。#imgabs0#
液晶取向元件

[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件-CN202310178113.X在审
发明人：村上拓也;西村达哉;安池伸夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09K19/56 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件，所述液晶取向剂可获得液晶取向性良好且DC蓄积特性及DC缓和特性良好而且不易产生残像的液晶元件。一种液晶取向剂，含有聚合物P。聚合物P在同一分子内包含部分结构U2‑1、U2‑2及U2‑3中的任意一个以上与部分结构U1，且包含部分结构U1的分子在同一分子内或不同的分子内包含部分结构U2‑1、U2‑2及U2‑3中的任意两个以上。部分结构U1具有从式(Y‑1)所表示的结构中去除两个氢原子而成的部分结构。部分结构U2‑1在主链中包含链状烃结构与“*1‑NR1‑CO‑”等所邻接的部分结构。部分结构U2‑2具有羧酸基或磺酸基。部分结构U2‑3具有含氮杂环。#imgabs0#
液晶取向元件

[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜、液晶元件、热硬化性组合物及化合物-CN202310203791.7在审
发明人：村上拓也;石部彻 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09K19/56 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜、液晶元件、热硬化性组合物及化合物，所述液晶取向剂可获得在维持良好的液晶取向性的同时力学特性良好且可靠性高的液晶元件。一种液晶取向剂，含有：聚合物(P)，具有羧基；及化合物(C)，在一分子内具有多个“‑OX1”所表示的基(其中，X1为氢原子或热脱离性基)，且一个以上的“‑OX1”所表示的基中，所述X1为具有四氢吡喃环结构或四氢呋喃环结构的一价基。
液晶取向元件化性组合化合物

[发明专利]负极活性物质的预掺杂方法、负极的制造方法、以及蓄电装置的制造方法-CN201980014608.0有效
发明人：土井将太郎;草地雄树;山内昇;芜木智裕;堀江英明;中嶋勇辅;土田和也;庄司直史;住谷孝治;浅野重人;古贺康行;安东信雄;小久保辉一 -专利权人：日产自动车株式会社;JSR株式会社
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本公开涉及一种将锂离子掺杂到负极活性物质中的负极活性物质的预掺杂方法。负极活性物质的预掺杂方法包括预掺杂工序和掺杂后改性工序。在预掺杂工序中，将锂离子掺杂到所述负极活性物质中，从而使所述负极活性物质相对于锂金属的电位下降。在掺杂后改性工序中，于所述预掺杂工序之后，使能够和锂离子反应的反应性化合物与掺杂到所述负极活性物质中的锂离子进行反应，从而使所述负极活性物质相对于锂金属的电位上升。在所述掺杂后改性工序的结束时刻，所述负极活性物质相对于锂金属的电位为0.8V以上。
负极活性物质掺杂方法制造以及装置

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