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[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201280059896.X有效
发明人：柏原博之;冈田成仁;只友一行;泷口治久 -专利权人：夏普株式会社;国立大学法人山口大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其由n型氮化物半导体层(13)、触发层(14)、V形坑扩大层(15)、发光层(16)、p型氮化物半导体层(17)按照此顺序依次设置而构成。发光层(16)中形成有V形坑(31)。触发层(14)由晶格常数不同于构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料的氮化物半导体材料构成。V形坑扩大层(15)由晶格常数与构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，其厚度在5nm以上、5000nm以下。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]具有转换层的LED灯丝-CN201811413455.0在审
发明人：赖纳·温迪施;弗洛里安·伯斯尔;安德烈亚斯·多布纳;马蒂亚斯·施佩尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种具有发射辐射的半导体芯片的LED灯丝，其中半导体芯片设置在透射辐射的载体的上侧上，其中半导体芯片和载体的上侧至少部分地用透射辐射的第一层覆盖，其中第一层和载体的下侧用第二层覆盖，其中在第二层中设有发光材料，其中发光材料构成用于移动半导体芯片的辐射的波长，其中在第一层中不设有发光材料、或设有浓度小于第二层发光材料浓度的50％的发光材料。
发光材料半导体芯片第一层透射辐射移动半导体芯片发射辐射转换层波长覆盖

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN200510131007.8有效
发明人：李庭旭 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光器件以及制造该半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括衬底、位于所述衬底上且通过堆叠半导体材料层形成的至少两个发光单元、顺序堆叠在该发光单元之间的反射层和透明绝缘层、以及覆盖该发光单元的上表面的透明电极。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置-CN200610099980.0有效
发明人： U·雷;K·赫恩;N·斯塔施;G·韦特;P·施洛特;R·施米特;J·施奈德 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 1997-06-26 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光半导体器件和含有该发光半导体器件的装置。为改良该发光半导体器件，根据本发明，所述半导体主体(1)具有一个半导体多层结构(7)，其适合于从紫外、蓝和/或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线。所述无机发光材料吸收来自于所述第一波长段的射线，并发出与所述第一波长段不同的第二波长段的射线。无机发光材料颗粒在包封它的基体材料中不被溶解，并且所述无机发光材料与所述基体材料具有相互不同的折射率，使得所述无机发光材料散射不由它吸收的光线的一部分。
发光半导体器件含有装置

[发明专利]有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用-CN201310309648.2无效
发明人：周明杰;梁禄生;王平;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用。该有机电致发光半导体材料分子结构通式为下述（Ⅰ），（Ⅰ）式中的R为H或C₁～C₄的烷基基团。其制备方法包括提供化合物A、B和将化合物A、B进行Suzuki偶联反应生成有机电致发光半导体材料的步骤，该有机电致发光半导体材料热稳定性优异，避免了其薄膜再结晶现象发生。同时该有机电致发光半导体材料载流子传输性能和溶解性优异，成膜性好，应用范围宽。其制备方法工艺成熟，产率高。
有机电致发光半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用-CN201310309641.0无效
发明人：周明杰;梁禄生;王平;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用。该有机电致发光半导体材料分子结构通式为下述（Ⅰ），（Ⅰ）式中的R为苯基或C₁～C₆的烷基。其制备方法包括提供化合物A、B和将化合物A、B进行Suzuki偶联反应生成有机电致发光半导体材料的步骤，该有机电致发光半导体材料热稳定性优异，避免了其薄膜再结晶现象发生。同时该有机电致发光半导体材料载流子传输性能和溶解性优异，成膜性好，应用范围宽。其制备方法工艺成熟，产率高。
有机电致发光半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用-CN201310309731.X无效
发明人：周明杰;梁禄生;王平;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用。该有机电致发光半导体材料分子结构通式为下述（Ⅰ），（Ⅰ）式中的R为C₁～C₆的烷基。其制备方法包括提供化合物A、化合物B和将化合物A、化合物B进行Suzuki偶联反应生成有机电致发光半导体材料的步骤，该有机电致发光半导体材料热稳定性优异，避免了其薄膜再结晶现象发生。同时该有机电致发光半导体材料载流子传输性能和溶解性优异，成膜性好，应用范围宽。其制备方法工艺成熟，产率高。
有机电致发光半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用-CN201310309646.3无效
发明人：周明杰;梁禄生;王平;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用。该有机电致发光半导体材料分子结构通式为下述（Ⅰ），（Ⅰ）式中的R为H或C₁～C₆的烷基。其制备方法包括提供化合物A、B和将化合物A、B进行Suzuki偶联反应生成有机电致发光半导体材料的步骤，该有机电致发光半导体材料热稳定性优异，避免了其薄膜再结晶现象发生。同时该有机电致发光半导体材料载流子传输性能和溶解性优异，成膜性好，应用范围宽。其制备方法工艺成熟，产率高。
有机电致发光半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用-CN201310309638.9无效
发明人：周明杰;王平;梁禄生;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用。该有机电致发光半导体材料分子结构通式为下述（Ⅰ），（Ⅰ）式中的R为苯基或C₁～C₆的烷基。其制备方法包括提供化合物A、B和将化合物A、B进行Suzuki偶联反应生成有机电致发光半导体材料的步骤，该有机电致发光半导体材料热稳定性优异，避免了其薄膜再结晶或熔解现象发生。同时该有机电致发光半导体材料电子传输性能和溶解性优异，成膜性好，应用范围宽。其制备方法工艺成熟，产率高。
有机电致发光半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用-CN201310309645.9无效
发明人：周明杰;梁禄生;王平;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C07C13/573 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光半导体材料及其制备方法和应用。该有机电致发光半导体材料分子结构通式为下述（Ⅰ），（Ⅰ）式中的R为H或C₁～C₈的烷基。其制备方法包括提供化合物A、B和将化合物A、B进行Suzuki偶联反应生成有机电致发光半导体材料的步骤，该有机电致发光半导体材料热稳定性优异，避免了其薄膜再结晶现象发生。同时该有机电致发光半导体材料载流子传输性能和溶解性优异，成膜性好，应用范围宽。其制备方法工艺成熟，产率高。
有机电致发光半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]半导体发光组件-CN200810086102.4有效
发明人：蔡宗良;王伟凯;林素慧;陆薏存 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体发光组件。半导体发光组件包含基板、第一传导型态半导体材料层、第二传导型态半导体材料层、发光层、第一电极、第二电极以及数个凸状结构。第一传导型态半导体材料层形成于基板上并且具有上表面，包含第一区域以及不同于第一区域的第二区域。第一电极形成于第一区域上，并且发光层及第二传导型态半导体材料层形成于第二区域上。数个凸状结构形成于第一传导型态半导体材料层的上表面上并且介于第一区域以及第二区域之间。
半导体发光组件

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201010130080.4有效
发明人：沈佳辉;洪梓健 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种发光二极管，其包括一透明基板及多个发光结构单元。每个发光结构单元包括N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层。P型半导体层表面设置有P型接触电极，N型半导体层表面设置有N型接触电极。该发光结构单元进一步包括一从P型半导体层延伸到N型半导体层的凹陷部，该凹陷部内填充有金属材料，且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面。该金属材料分为相互绝缘的两部分，形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。本发明通过在发光结构单元的凹陷部内填充金属材料，由于金属材料具有较好的导热性能，发光层所产生的热量能够迅速传递到金属材料中，有利于发光二极管的散热。本发明还提供了一种发光二极管的制作方法。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]具有高亮度高发光效率的外延生长结构-CN201220651700.3有效
发明人：钟玉煌;郭文平 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2012-12-01 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，所述具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层，所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层。本实用新型通过电子溢出阻挡层与P型化合物半导体材料层共同阻挡电子的溢出，增加有源区的复合电子数量，从而有效地提高制备得到发光器件的发光效率，提高LED芯片的发光亮度及发光效率，与现有工艺兼容，工艺方便，
具有亮度发光效率外延生长结构

[发明专利]发光装置及发光装置的制造方法-CN201780031350.6有效
发明人：德田克彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01S5/02208 文献下载
摘要：本发明提供的发光装置(1)包括：基板(10)；在基板(10)上设置的半导体发光元件(2)；反射镜(12)，其形成在基板(10)上，对半导体发光元件(2)放射的光进行反射；第一树脂(5)，其与半导体发光元件(2)分隔地设置在光路上，且包含光扩散材料；以及第二树脂(6)，其作为低光扩散部，覆盖半导体发光元件(2)的光放射面中的至少光的密度最高的区域，且设置在半导体发光元件(2)与第一树脂(5)之间的光路上。第二树脂(6)的光扩散材料的浓度低于第一树脂(5)的光扩散材料(7)的浓度。
发光装置制造方法

[发明专利]含萘的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件-CN201210068022.2无效
发明人：周明杰;王平;梁禄生;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本发明提供了一种含萘的有机半导体材料，含萘的有机半导体材料为如下化学式所示的化合物P：半导体材料发光波长在蓝光范围，以及该有机半导体材料具有优异的热稳定性、优异的溶解性能和成膜性能。本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法以及含有该有机半导体材料的有机电致发光器件。
有机半导体材料及其制备方法有机电致发光器件