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[发明专利]一种晶圆载盘-CN201410681898.3有效
发明人： 泷口治久 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆载盘，其上表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域为多个向下凹陷的用于承载晶圆的承载区，不同所述第一区域之间通过第二区域隔离，在所述第一区域的表面上设置有预设结构，所述预设结构使得所述第一区域的表面面积增加。该预设结构使得第一区域和第二区域的温度分布趋于一致。该晶圆载盘的结构具有很好的稳定性，能够保证晶圆载盘的长期使用。并且该晶圆载盘的制备方法较为简单。
一种晶圆载盘

[发明专利]一种探测温度的系统和方法及设有该系统的MOCVD设备-CN201410323157.8有效
发明人： 泷口治久;陈利平 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种探测温度的系统和方法及设有该系统的MOCVD设备，所述温度探测系统包括一激光发生装置和一光电探测装置，所述光电探测装置连接一计算控制单元，本发明采用所述激光发生装置发射激光，提高了入射到反应腔内基片和基片载置台表面的入射光强度，根据光的反射原理，反射进入光电探测装置的激光强度提高，使得光电探测装置能够探测到足够强的反射光强度，以实现对基片或基片载置台的反射率计算，避免了反射光强度过低或探测不到反射光强度造成无法计算基片或基片载置台反射率，进而无法计算基片和基片承载盘温度。
光电探测装置探测反射光激光发生装置载置台激光计算控制单元温度探测系统反射率计算基片承载盘载置台表面反射原理反射率反应腔入射光入射反射发射

[发明专利]一种修正双波段测温误差的温度测量方法及系统-CN201410272583.3有效
发明人： 泷口治久 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G01J5/52 文献下载
摘要：本发明提供一种修正双波段测温误差的温度测量方法及系统，在校正阶段通过双波段测温的测温仪测算一个基准物体在两个不同波长下的辐射能量和温度，通过拟合求取表示发射率比值的对数与之间关系的方程式；在测量阶段，通过双波段测温的测温仪测算一个被测物体在两个波长下对应的辐射能量和温度，并根据算出的数值和校正阶段求得的方程式，计算被测物体的实际温度。由于的数值是基于辐射能量的比值来计算的，不受测量路径上干扰介质的影响，因此本发明可以有效修正双波段测温误差，温度测量结果更准确。
双波段测温误差辐射能量被测物体温度测量测温仪波长修正测温温度测量结果测算测量路径基准物体发射率拟合校正测量

[发明专利]一种用于MOCVD反应系统的晶圆载盘-CN201410438531.9有效
发明人： 泷口治久;周宁 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于MOCVD反应系统的晶圆载盘，所述晶圆载盘的上表面包括第一子表面和第二子表面，在所述第一子表面上设置有用于放置晶圆的第一结构，在所述第二子表面上设置有第二结构，所述第二结构能够增大所述第二子表面的面积，使反应气体与晶圆载盘的第二子表面的反应速率常数等于反应气体与晶圆表面的反应速率常数。因而，通过本发明提供的晶圆载盘，能够保证靠近气体旋转方向前端的晶圆边缘上方的气体浓度与其它区域上方的气体浓度相等，从而能够保证晶圆整个表面上的反应速率均相等，进一步保证生长在晶圆整个表面上的晶体材料的厚度相同。
一种用于 mocvd 反应系统晶圆载盘

[发明专利]用于MOCVD设备的进气及冷却装置-CN201410272606.0有效
发明人： 泷口治久 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明中用于MOCVD设备的进气及冷却装置，设有位于反应腔内顶部的喷淋头，将有机金属气体的进气导管穿设在隔离气体的进气口中，使隔离气体能够形成帘幕状的气流并环绕在输送的有机金属气体外围，从而将刚喷出的有机金属气体与氢化物气体隔开，抑制两者过早反应产生寄生颗粒；本发明还可以防止寄生颗粒形成在进气装置底面的进气口附近；使输送的有机金属气体与氢化物气体在基座上及在各基片上都能够均匀分布，保证薄膜生长质量，提升薄膜生长率。
用于 mocvd 设备冷却装置

[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201280059896.X有效
发明人：柏原博之;冈田成仁;只友一行;泷口治久 -专利权人：夏普株式会社;国立大学法人山口大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其由n型氮化物半导体层(13)、触发层(14)、V形坑扩大层(15)、发光层(16)、p型氮化物半导体层(17)按照此顺序依次设置而构成。发光层(16)中形成有V形坑(31)。触发层(14)由晶格常数不同于构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料的氮化物半导体材料构成。V形坑扩大层(15)由晶格常数与构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，其厚度在5nm以上、5000nm以下。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体结构、发光元件、晶体管元件及其制造方法-CN201180068639.8有效
发明人：荒木正浩;吉田慎也;泷口治久;小河淳;木下多贺雄;村田彻;船木毅;布袋田畅行 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。
氮化物半导体结构发光元件晶体管制造方法以及

[发明专利]气体喷淋头和沉积装置-CN201410838723.9在审
发明人： 泷口治久 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种气体喷淋头和沉积装置，气体喷淋头包括：具有相对的上表面和下表面的冷却板，冷却板包括中心区和外围区，外围区包括若干冷却管道区；每一冷却管道区内具有一组冷却管道，一组冷却管道包括自冷却板中心至边缘平行排列的多个弧型管道段，每个弧形管道段均位于不同半径的同心圆上；多个弧形管道段与相邻的弧形管道段之间包括多个连接部，连接部之间具有多个通气槽，通气槽沿着相邻弧形管道段的侧壁贯穿冷却板，通气槽位于不同半径的同心圆上；在一个冷却管道区内，同一半径的同心圆上的多个通气槽构成的一组通气槽随着半径的变大连通到第一气体输出口和第二气体输出口；中心区包括多个贯穿冷却板的进气口。采用所述气体喷淋头能够改善成膜质量。
气体喷淋沉积装置

[发明专利]一种MOCVD设备及其中寄生颗粒的清除方法-CN201410272984.9在审
发明人： 泷口治久 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种MOCVD设备及其中寄生颗粒的清除方法，在反应腔的顶部设置喷淋头，将有机金属气体、氢化物气体、载气和清洗气体分别输送至反应腔内；在喷淋头底面的中间区域，将刚喷出的有机金属气体与氢化物气体隔开；在喷淋头底面的边缘区域，通过输送清洗气体来分解有机金属气体和氢化物气体进行预反应所形成的寄生颗粒。本发明可有效减少寄生颗粒对反应腔内设备的污染，保证薄膜生长质量，提升薄膜生长率。
一种 mocvd 设备其中寄生颗粒清除方法

[发明专利]一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法-CN201210364958.X有效
发明人：尹志尧;杜志游;孟双;汪洋;张颖;许颂临;朱班;泷口治久 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，所述方法包括：向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体以完全去除所述反应腔室内部的含碳有机物，其中该第一清洁气体包括第一含氧气体；向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体以完全去除所述反应腔室内部的金属氧化物；其中所述第二清洁气体包括第一含卤素气体。本发明实施例提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法对于反应腔室内部温度相对较低表面的沉积物具有良好的清洁效果。
一种原位清洁 mocvd 反应方法

[发明专利]发光元件及其制造方法和具备发光元件的背光灯单元及其制造方法-CN200610149250.7有效
发明人：竹本理史;泷口治久;绪方伸夫;鹈饲健一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光元件，具有：至少一个LED芯片，被安装在基板的安装面上；金属反射板，直立地设置在上述LED芯片的光出射方向上，被设置在上述安装面上并完全包围上述LED芯片的周围，反射上述LED芯片的出射光并将其导向被设置在上述光出射方向上的光出射面；以及第1、第2金属部，形成在上述安装面上被上述金属反射板包围的区域内，作为对上述LED芯片供给驱动电流的电极端子而分别与上述LED芯片电连接；在上述区域内形成有用于使上述第2金属部与上述区域内的其他部位电气绝缘的绝缘部，该绝缘部包围上述第2金属部；在上述区域内的上述绝缘部的外侧形成有作为安装面金属反射膜的第1金属膜，该第1金属膜与上述金属反射板接触。
发光元件及其制造方法具备背光单元

[发明专利]反射型屏幕-CN200380110320.2有效
发明人：相浦友幸;吉中秀一;鐙隆生;泷口治久 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-10-06 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G03B21/60 文献下载
摘要：反射型屏幕(1)适合于形成即使在明亮室内仍具有高对比度且明亮的投影图像。该反射型屏幕(1)包括被放置在该屏幕的投影光线入射侧的相对侧的反射层(30)、被放置在该反射层(30)的光线入射侧并改善投影光线的水平视角的水平视角增加层(20)，以及被放置在水平视角增加层(20)的光线入射侧的扩散层(40)。水平视角增加层(20)在该屏幕的后侧出现透镜、棱镜或波浪形处有一排凸脊。因为这些脊的纵向与反射型屏幕(1)的垂直方向一并排列，故屏幕(1)在水平方向上的视角特性得到改善，且屏幕在垂直方向的扩散特性受到抑制用于防止来自上面照明光的外部干扰光线向观众反射。因此，可以提供即使在明亮的室内具有高对比度且能够应用大尺寸的屏幕并不会造成CCR(在中心/外围区域的亮度比率)恶化的反射型屏幕。
反射屏幕

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