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[发明专利]半导体发光元件封装结构及其制造方法-CN201110128132.9无效
发明人：林厚德;许时渊;蔡明达 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种半导体发光元件封装结构的制造方法，步骤包括：提供基板，所述基板具有电极；固定半导体发光元件，将所述半导体发光元件设置在基板上并与电极达成电性连接；使用点胶针，将粘度为5000-50000cps的液态材料涂覆于半导体发光元件周围，所述液态材料包含硅树脂以及荧光物质；以及烘烤所述液态材料形成荧光层。本发明还提供一种由该制造方法得到的半导体发光元件封装结构。本发明半导体封装结构通过调整荧光层呈液态时的粘度，可使荧光层能较好的覆盖半导体发光元件。
半导体发光元件封装结构及其制造方法

[发明专利]用于搭载半导体发光装置的电路基板、发光模块、照明器具及照明系统-CN201180072120.7无效
发明人：笠仓晓夫;大中修治;武田立;佐藤义人 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明提供与半导体发光装置中产生的热量的散热性能的提高相关的技术。发光模块包含半导体发光装置以及电路基板，所述半导体发光装置至少具有半导体发光元件和荧光体，其中，在电路基板上至少搭载有具有被提供的驱动电流的路径不同的多个半导体发光元件的半导体发光装置、或者提供给半导体发光元件的驱动电流的路径不同的多个半导体发光装置电路基板具有使用热传导材料形成的基材部、和将半导体发光元件的驱动电流提供给半导体发光装置的电力供给导体层。电力供给导体层使用热传导材料形成且以覆盖基材部平面的方式形成为面状，并且按照驱动电流的每个路径，利用绝缘体对电力供给导体层的平面区域进行平面划分。
用于搭载半导体发光装置路基模块照明器具系统

[发明专利]利用半导体发光器件的显示装置-CN201480046422.0有效
发明人：李炳俊 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：根据本公开一实施方式的显示装置可以包括下基板，该下基板在其上部设置有线电极；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件电连接至所述线电极以生成光并且被设置成彼此分离；以及粘合部分，该粘合部分包括被设置成将所述下基板的位置固定至所述半导体发光器件的位置的基体，和分散在所述基体内以将所述下基板电连接至所述半导体发光器件的导体，其中，所述多个半导体发光器件形成具有分别发射红光、绿光以及蓝光的红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件的一个像素区(P)，并且包含从无机半导体材料中选择的材料，并且所述粘合部分阻挡从所述多个半导体发光器件生成的光。
利用半导体发光器件显示装置

[实用新型]发光模块-CN201420543602.7有效
发明人：池田善久;高桥喜子;小柳津刚;藤田正弘 -专利权人：东芝照明技术株式会社
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型目的在于提高发光效率。实施方式所涉及的发光模块具备：基板、多个半导体发光元件、反射构件、封固部件。多个半导体发光元件具有：由吸收光的材料形成且设置在基板上的基体材料、设置在该基体材料上并发出光的发光层。反射构件至少包围基体材料的周围并且形成为比基体材料高，而且分别区划多个半导体发光元件。封固部件，分别封闭被反射构件区划的多个半导体发光元件。
发光模块

[发明专利]薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法-CN201910142308.2在审
发明人：郝茂盛;张楠;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法，包括如下步骤：1)提供生长基板；于生长基板表面形成半导体发光材料层；2)于半导体发光材料层的表面形成环形沟槽；3)于环形沟槽的底部及侧壁形成光电隔离层；4)于半导体发光材料层的表面形成欧姆接触层；5)于欧姆接触层的表面及光电隔离层的表面形成反射镜层；6)于半导体发光材料层的表面形成金属键合层；7)提供键合基板，将步骤6)所得结构键合于键合基板的表面，并去除生长基板；8)去除部分半导体发光材料层；9)于半导体发光材料层的表面形成电极。
薄膜结构半导体器件光电隔离及其制造方法

[发明专利]一种平面异质结有机发光二极管及其制备方法-CN201510553459.9有效
发明人：苏仕健;陈东成;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于有机光电材料技术领域，公开了一种平面异质结有机发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极、P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极。P型有机半导体层由能够较好传导空穴的有机半导体材料构成，N型有机半导体层由能够较好传导电子的有机半导体材料构成。本发明发光二极管的光色来源于PN异质结的相互作用，发光光谱不同于单独P型或者N型半导体的发光光谱，而且本发明的发光二极管为P型材料和N型材料以相互层叠的方式构成，不存在传统有机发光二极管的发光层，具备较低的驱动电压以及较高的发光效率
一种平面异质结有机发光二极管及其制备方法

[发明专利]有机发光二极管、显示面板及显示装置-CN201710682462.X有效
发明人：马洪虎;牛晶华;王湘成;杨闰 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管、显示面板及显示装置，以提高有机发光二极管在长期工作时的电压稳定性，降低有机发光二极管的使用功耗，提高有机发光二极管的使用寿命和发光效率。有机发光二极管包括阳极、阴极、设置于阳极和阴极之间的至少两个发光层，以及设置于每相邻两个发光层之间的电荷产生层，其中：电荷产生层包括沿远离阴极方向依次设置的第一掺杂层、中间层和第二掺杂层；第一掺杂层包括P型半导体材料，第二掺杂层包括N型半导体材料；P型半导体材料包括P型无机半导体材料、P型金属掺杂剂或P型有机半导体材料，N型半导体材料包括N型无机半导体材料、N型金属掺杂剂或N型有机半导体材料。
有机发光二极管显示面板显示装置

[发明专利]MicroLED像素单元形成方法-CN202311068064.0在审
发明人：黄涛 -专利权人：晶能光电股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MicroLED像素单元形成方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层，且半导体发光结构表面被划分为像素区域和沟槽区域；在半导体发光结构的像素区域表面形成掩膜材料；对沟槽区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，将形成有沟槽的半导体发光结构键合至支撑基板表面；去除生长衬底；对去除了生长衬底的整面半导体发光结构进行处理，直至将沟槽区域剩余的半导体发光结构去除干净，完成对半导体发光结构的像素化，在支撑基板表面形成像素单元，能够有效提升像素单元形成过程中图形化的稳定性。
microled 像素单元形成方法

[发明专利]半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置-CN202180003070.0有效
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置，半导体发光元件包括半导体发光序列层和绝缘反射层，绝缘反射层包括n对介质对层，每一介质对均包括一第一材料层及一第二材料层，第一材料层的折射率小于第二材料层的折射率，其中，在m1对介质对层中，第一材料层的光学厚度均大于第二材料层的光学厚度，n≥m1≥0.5n。绝缘反射层的上述设置使其能够对半导体发光序列层发出的小角度(例如角度介于0～20°)光进行反射，大角度(例如角度介于45°～90°)光进行透射。由此可以大大减少半导体发光元件的正面出光，增加侧面出光，并且能够提高半导体发光元件的亮度。
半导体发光元件器件显示装置

[发明专利]一种MICRO LED结构及其制作方法-CN201910141838.5在审
发明人：郝茂盛;张楠;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MICRO LED结构及其制作方法，包括如下步骤：1)提供生长基板；于生长基板表面形成半导体发光材料层；2)于芯片区域内的半导体发光材料层内形成环形沟槽；3)于环形沟槽的底部及侧壁形成电隔离层；4)于发光区域内的半导体发光材料层的表面形成欧姆接触层；5)于芯片区域内的欧姆接触层的表面及电隔离层的表面形成反射镜层；6)于半导体发光材料层的表面形成金属键合层；7)提供键合基板，将步骤6)所得结构键合于键合基板的表面，并去除生长基板；8)去除部分半导体发光材料层；9)于半导体发光材料层的表面形成电极10)于半导体发光材料层的表面形成量电子点。
一种 micro led 结构及其制作方法

[发明专利]形成封装的具有多个光学元件的半导体发光器件的方法-CN200810088194.X有效
发明人： N·W·小梅登多普 -专利权人：克里公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明涉及形成封装的具有多个光学元件的半导体发光器件的方法。封装半导体发光器件的方法包括提供在前表面上具有半导体发光器件的衬底。第一光学元件由第一材料形成在邻近半导体发光器件的前表面上。第二光学元件由不同于第一材料的第二材料形成在半导体发光器件和第一发光元件上方。通过压缩模制相应的光学元件形成第一光学元件和/或第二光学元件。
形成封装具有光学元件半导体发光器件方法

[发明专利]半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件-CN200980152312.1无效
发明人：樱井哲朗 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，其中该制造方法具有使用由与构成半导体层的材料不同的材料形成的基板，并在该基板上成膜出III族化合物半导体层的工序，能够减小所得到的半导体发光层的发光波长分布σ。本发明提供的半导体发光元件的制造方法，是制造具有III族化合物半导体层的半导体发光元件的方法，其特征在于，具有：化合物半导体基板形成工序，该工序在基板上成膜出至少一层化合物半导体层，形成翘曲量H在50μm≤H≤250μm的范围的化合物半导体基板；和发光层形成工序，该工序在所形成的所述化合物半导体基板上形成包含多个III族化合物半导体层的发光层。
半导体发光元件制造方法以及

[发明专利]发光器件封装和照明系统-CN201010522663.1有效
发明人：黄贞夏 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供发光器件封装和照明系统。发光器件封装包括发光器件芯片、至少一个导线以及包封材料。发光器件芯片包括：第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、和在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；导线在发光器件芯片上。包封材料在导线之外的发光器件芯片上并且包括磷光体。导线垂直于发光器件芯片的上表面，至少直至包封材料的高度。
发光器件封装照明系统

[发明专利]半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法-CN201010275105.X有效
发明人：后藤田徹;名古肇;冈俊行;财满康太郎;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。
半导体发光器件以及制造方法

[发明专利]三原色白光OLED器件结构及其电致发光器件和显示器件-CN201610350045.0在审
发明人：周凯锋 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及三原色白光OLED器件结构及其电致发光器件和显示器件。该器件结构包括：基板，形成于基板上的阳极，形成于阳极上的P型掺杂层，形成于P型掺杂层上的第一发光层，形成于第一发光层上的第一N型半导体材料层，形成于第一N型半导体材料层上的第一P型半导体材料层，形成于第一P型半导体材料层上的第二发光层，形成于第二发光层上的第二N型半导体材料层，形成于第二N型半导体材料层上的第二P型半导体材料层，形成于第二P型半导体材料层上的第三发光层，形成于该第三发光层上的N型掺杂层，本发明还涉及相应的电致发光器件和显示器件。本发明能够有效降低器件的驱动电压，提升白光器件的功率效率。
三原色白光 oled 器件结构及其电致发光显示