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[发明专利]有机发光器件、显示设备、图像信息处理设备和图像形成设备-CN201410317458.X无效
发明人：伊藤希之;山田直树;西出洋祐 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及有机发光器件、显示设备、图像信息处理设备和图像形成设备。提供一种具有高的效率并且能够在低压下驱动的有机发光器件。有机发光器件(1)包括阳极(21)、阴极(26)和包括在阳极(21)和阴极(26)之间的至少一个发光层(23)的有机化合物层。有机发光器件(1)，在阳极(21)和发光层(23)之间包括：包括第一有机半导体材料和过渡金属氧化物的第一层(22a)，和在接近阳极(21)侧的界面处与第一层(22a)接触并且包括第二有机半导体材料的第二层第一有机半导体材料的折射率小于1.6。第一有机半导体材料的电离电势等于或大于第二有机半导体材料的电离电势。
有机发光器件显示设备图像信息处理形成

[发明专利]发光装置、包括其的显示装置及用于制造显示装置的方法-CN201980054080.X在审
发明人：郑载勳;赵诚赞 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：提供了发光装置、包括所述发光装置的显示装置以及用于制造显示装置的方法。所述发光装置包括：掺杂有第一极性的第一导电半导体；设置在所述第一导电半导体上的有源层；设置在所述有源层上并且掺杂有与所述第一极性不同的第二极性的第二导电半导体；以及围绕所述第一导电半导体、所述第二导电半导体、所述有源层和电极材料层的侧表面的绝缘材料层，其中所述绝缘材料层可以包括：绝缘材料膜；以及联接至所述绝缘材料膜的外周表面的元件配向装置。
发光装置包括显示装置用于制造方法

[发明专利]一种半导体表面应力分布的检测装置及其检测方法-CN202211277197.4在审
发明人：徐鹏飞;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面应力分布检测的装置及其检测方法，属于半导体材料检测技术领域，本发明提出了一种简单的半导体表面应力分布检测装置及其检测方法，此方法基于光致发光的检测手段，将半导体表面的发光光谱与材料的标准光谱的峰位进行对比，利用应力转换公式能够有效的检测半导体材料及器件表面的应力分布；较常规检测手段，该检测方法简单同时降低了半导体材料的检测价格，实用性高。
一种半导体表面应力分布检测装置及其方法

[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法和显示面板-CN202111135030.X在审
发明人：马中生;唐鹏宇;穆欣炬 -专利权人：义乌清越光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电致发光器件及其制备方法和显示面板。电致发光器件包括：第一电极、发光层和第二电极；发光层位于第一电极和第二电极之间；发光层的材料包括主体材料、有机半导体材料和量子点材料；其中，在有机半导体材料中形成的激子，通过共振能量转移使得量子点材料发光本实施例的技术方案，使得发光层的激子是在有机半导体材料中形成，而发光层的发光是由量子点材料实现，激子通过共振能量转移使得量子点材料发光克服了TADF电致发光器件效率滚降较大且发光光谱较宽的技术问题，据此，改善了TADF材料作为OLED材料时的劣势，提升了电致发光器件的性能。
一种电致发光器件及其制备方法显示面板

[发明专利]倒置型有机电致发光器件及其制备方法-CN201210384719.0无效
发明人：周明杰;王平;冯小明;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种倒置型有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阴极、有机发光功能层和阳极，还包括设置于阴极和有机发光功能层之间的pn结层。pn结层包括依次层叠于阴极上的p型层、中间层和n型层。p型层由p型半导体材料掺杂于空穴传输材料中形成，p型半导体材料占p型层的质量百分比为2~10%；中间层由金属氧化物形成；n型层由n型半导体材料掺杂于电子传输材料中形成，n型半导体材料占所述n型层的质量百分比为中间层能避免p型层中的p型半导体材料与n型层的n型半导体材料相互扩散的而干扰电荷分离的问题，有利于提高电子的注入效率，提发光效率。还提供一种倒置型有机电致发光器件的制备方法。
倒置有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体发光组件-CN200810086106.2有效
发明人：蔡宗良;王伟凯;林素慧;陆薏存 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体发光组件。半导体发光组件包含基板、第一传导型态半导体材料层、第二传导型态半导体材料层、发光层、第一电极、第二电极以及数个凸状结构。第一传导型态半导体材料层形成于基板上并且具有上表面，包含第一区域以及不同于第一区域的第二区域。第一电极形成于第一区域上，并且发光层及第二传导型态半导体材料层形成于第二区域上。数个凸状结构形成于第一传导型态半导体材料层的上表面上并且介于第一区域以及第二区域之间。至少一个凹陷形成于每一个凸状结构的侧壁。或者，每一个凸状结构的侧壁大致上具有一弧形的轮廓。
半导体发光组件

[发明专利]发光二极管元件、发光二极管用基板及发光二极管元件的制造方法-CN200580036032.6有效
发明人：三谷敦志;坂田信一;藤井一宏 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的发光二极管元件是由光转换材料基板和在该光转换材料基板上形成的半导体层构成的发光二极管元件，其特征在于，上述光转换材料基板由选自单一金属氧化物和复合金属氧化物中的至少二种以上的氧化物相连续地且三维地相互缠绕而形成的凝固体构成，该凝固体中的氧化物相中至少一种含有发荧光的金属元素氧化物；上述半导体层由多个化合物半导体层构成，至少具有发出可见光的发光层。提供与发光二极管形成用半导体在结晶结构上的共格性好、能够使缺陷少的良好的半导体层成膜、从在半导体层内形成的发光层能够得到效率好的发光，同时利用来自半导体层中的发光层的光也发出均匀的荧光、并且能够高效率地取出光的用于形成半导体的发光二极管用基板及使用该基板的没有色不匀的发光二极管元件
发光二极管元件发光二极管用制造方法

[发明专利]有机半导体材料、其制备方法和应用-CN201110144698.0有效
发明人：周明杰 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C07D285/14 文献下载
摘要：本发明适用于光电材料技术领域，提供了一种有机半导体材料、其制备方法和应用。该有机半导体材料具有如下结构式。本发明有机半导体材料，以三聚茚为核心，同时引入蒽、苯并噻二唑单元；实现了该有机半导体材料的稳定发光；并且具有优异的可溶解性；具有优异的载流子传输性能和电荷平衡，实现了有机半导体材料电致发光效率的显著提升；本发明实施例有机半导体材料制备方法，操作简单、成本低廉，适于工业化应用。
有机半导体材料制备方法应用

[发明专利]有机半导体材料、其制备方法和应用-CN201210290371.9无效
发明人：周明杰;王平;梁禄生;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本发明适用于新材料领域，提供了一种有机半导体材料、其制备方法和应用。本发明有机半导体材料，其结构式中包括芴基团、咔唑基团，芴基团和咔唑基团均是平面共轭刚性基团，并且这两种基团都具有较好的载流子传输性能，能够使该有机半导体材料具有优异的热稳定性和电致发光效率。本发明有机半导体材料制备方法通过Suzuki反应，引入芴基团和咔唑基团，实现该有机半导体材料具有良好的电致发光性能和热稳定性能；该有机半导体材料制备方法，操作简单，成本低廉，生产效益高，非常适于工业化生产
有机半导体材料制备方法应用

[发明专利]取代蒽-CN200480019708.6无效
发明人： M·J·古尔丁;M·汤普森;W·达菲;M·希尼;I·麦卡洛克 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： C09K19/32 文献下载
摘要：本发明涉及新型的9－和/或10－取代蒽，涉及它们在液晶，发光或半导体材料和器件中，在各向异性聚合物，光学，电光学，装饰，安全，化妆品，诊断，电气，电子，电荷传输，半导体，光学记录，电致发光，光电导体或电子照相应用中的用途，和涉及包含它们的液晶，发光和半导体材料，聚合物和器件。
取代

[发明专利]使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法-CN201580074395.2有效
发明人：方圭铉 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种显示装置包括：在布线基板上的多个半导体发光器件；在布线基板上的连接部，该连接部被配置为将所述多个半导体发光器件电连接至布线基板。另外，所述多个半导体发光器件中的每一个包括：第一导电半导体层；与第一导电半导体层交叠的第二导电半导体层；在第一导电半导体层上的第一导电电极；以及在第二导电半导体层上的第二导电电极。另外，连接部包括由与第一导电电极相同的材料形成的第一导电层以及由与第二导电电极相同的材料形成的第二导电层。
使用半导体发光器件显示装置及其制造方法

[发明专利]有机半导体电致发光三极管及其制法-CN03108168.1无效
发明人：王东兴 -专利权人：大连铁道学院
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明所述的有机半导体电致发光三极管是一种只使用有机半导体材料和金属电极制成的新的发光三极管其结构由有机静电感应三极管和有机电致发光器件所组成；有机静电感应三极管由透明电极层、二层有机半导体材料夹金属栅极形成的肖特基型栅极层、金属电极层所组成的纵形结构，二层有机半导体材料作为载流子传送层；透明电极层和金属电极层中，一个为源电极，另一个为漏电极，由有机发光材料制成的发光层加在其中一个电极层与肖特基型栅极层之间，形成了层叠式结构的全有机半导体材料的电致发光三极管显示器件本发明所述的有机半导体电致发光三极管驱动电压低、发光强度可精细控制、可高速动作，电子、光学特性良好稳定。
有机半导体电致发光三极管及其制法

[发明专利]一种有机半导体发光化合物及其应用-CN202310711410.6在审
发明人：李晓常;许千千;罗月阳;朱李升华;黎杰 -专利权人：冠能光电材料（深圳）有限责任公司;江西冠能光电材料有限公司;漳州冠能材料技术有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种有机半导体发光化合物及其应用，所述有机半导体发光化合物具有如下式I所示结构。本发明的有机半导体发光化合物兼具高电荷传输性以及良好深蓝色、蓝色及浅蓝色发光特性，可作为蓝光OLED器件的主体材料、客体材料或敏化材料；当将其应用于有机发光器件时，有利于提高器件的发光效率，延长器件的工作寿命、降低器件的工作电压、达到显示要求的蓝色发光效果。
一种有机半导体发光化合物及其应用

[发明专利]一种测量半导体材料宽波段电致发光光谱的方法-CN202310825750.1在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01N21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量半导体材料宽波段电致发光光谱的方法，涉及半导体光电子学和半导体光学技术领域，通过设计一种宽波段的电致发光测试系统，可以得到半导体材料的电致发光峰位信息，并可以由此推断出其能带带隙，从而评判半导体外延材料的优劣，传统的电致发光测试系统，光路复杂，信噪比低，本方案设计的方案结合锁相放大技术和光纤收光技术，可以得到高信噪比的电致发光光谱，本方案设计的方案避免了传统电致发光系统需要制备电极的问题，利用金属探针直接注入电流
一种测量半导体材料波段电致发光光谱方法

[发明专利]具有反射侧壁的发光器件-CN201880045903.8有效
发明人：卢大伟;O.什彻金 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明的实施例包括包含半导体结构的半导体发光器件。半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层。波长转换结构设置在由发光层发射的光的路径中。漫反射器沿着半导体发光器件和波长转换结构的侧壁设置。反射层设置在漫反射器和半导体结构之间。反射层是与漫反射器不同的材料。
具有反射侧壁发光器件

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