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[发明专利]一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件-CN201310449285.2无效
发明人：周明杰;张振华;王平;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：本发明有机半导体材料具有双极性载流子传输能力的磷光主体材料，同时具有空穴传输性质和电子传输性质，使在发光层中空穴和电子的传输平衡，大大提高发光效率，并且具有较高的热稳定性；本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法，以及包含该有机半导体材料的电致发光器件。
一种有机半导体材料制备方法电致发光器件

[发明专利]半导体发光组件及其制造方法-CN200710166912.6无效
发明人：詹玄塘 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光组件及其制造方法。该半导体发光组件包含一基板、一第一半导体材料层、一发光层、一第二半导体材料层、一第一透明绝缘层、一金属层以及至少一个电极。该第一半导体材料层、该发光层及该第二半导体材料层依序形成于该基板上。一孔洞形成于该第二半导体材料层的一上表面及该第一半导体材料层之间。该第一透明绝缘层覆盖该孔洞的侧壁并且大体上覆盖该第二半导体材料层的该上表面，致使该上表面的一区域外露。该金属层填满该孔洞，并且部分覆盖该第一透明绝缘层及覆盖该外露的区域。
半导体发光组件及其制造方法

[发明专利]一种使用量子阱作为载流子调节结构的本体异质结有机发光二极管及其制备方法-CN202210849113.3在审
发明人：陈东成;李剑贤;苏仕健 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用量子阱作为载流子调节结构的本体异质结有机发光二极管及其制备方法，所述本体异质结发光二极管由玻璃衬底、阳极、P型有机半导体材料层、N、P型有机半导体材料共混发光层、量子阱载流子调节层、N型有机半导体材料层、阴极依次层叠而成。所述P型半导体由能够较好传导空穴的有机半导体材料构成。所述N型半导体由能够较好传导电子的有机半导体材料构成。所述量子阱层结构由多层N、P型材料交叉层叠形成，为本发明所述的载流子调节结构。所述使用量子阱作为载流子调节结构的方法，可以显著增加本体异质结有机发光二极管的性能，获得更好的发光效率，更高的最大亮度以及更小的效率滚降。
一种使用量子作为载流子调节结构本体异质结有机发光二极管及其制备方法

[发明专利]电致发光器件及其发光层和应用-CN201710719786.6有效
发明人：李哲;谢相伟;宋晶尧;付东 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种电致发光器件及其发光层和应用。该发光层包含至少一种纳米晶体半导体材料，以及至少一种有机发光材料；所述有机发光材料的发射光谱与所述纳米晶体半导体材料的激发光谱至少部分重叠；所述有机发光材料的激发态的衰减寿命大于1微秒。本发明创新性的将具有长激发态寿命，具体为激发态衰减寿命超过1微秒的有机发光材料作为主体材料，由此有机发光材料的能量能够有效传递给纳米晶体半导体材料，以获得具有良好性能的QLED器件，可以大幅度提高以纳米晶体半导体材料作为发光活性成分的电致发光器件的效率
有机发光材料半导体材料纳米晶体电致发光器件发光层衰减寿命激发态激发态寿命发光活性发射光谱激发光谱有效传递主体材料创新性应用

[实用新型]一种磁性背光源支撑结构-CN201420616455.1有效
发明人：尤亮 -专利权人：尤亮
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁性背光源支撑结构，包括：一半导体发光单元模块，用以提供一背光源至一显示面板，所述半导体发光单元模块包括有一基板及布设在所述基板上的多个半导体发光单元，所述各个半导体发光单元为采用半导体材料制成的具有一阴极端及阳极端的发光单元；一发光单元固定框架，其具有一定位槽结构，以供所述半导体发光单元模块嵌入定位，所述发光单元固定框架由磁性材料制成。本实用新型的发光单元固定框架因具有磁性，在与壳体组装时可磁性吸附在壳体上，再由壳体的定位结构进行辅助，达到稳固的定位，无需利用螺栓或黏剂材料等附加组件，拆装维修时更为容易。
一种磁性背光源支撑结构

[发明专利]半导体发光元件组成-CN200510099611.7有效
发明人：谢明勋;殷寿志;王健源;王仁水;蔡嘉芬;许嘉良 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体发光元件组成，此半导体发光元件组成包含一复合材料基板、一电路布局载体、一黏接结构、一凹陷空间、以及一半导体发光元件。黏接结构用以接合复合材料基板与电路布局载体。凹陷空间形成自电路布局载体上，并朝复合材料基板方向延伸。半导体发光元件设置于凹陷空间内，并电连接至电路布局载体。
半导体发光元件组成

[发明专利]发光元件和显示器件-CN201980100565.8在审
发明人：吐田真一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：在发光元件中具有：阳极；阴极；发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间；以及空穴输送层，其设置于所述阳极和所述发光层之间；所述空穴输送层包括以层状形成p型半导体材料的p型半导体层和分散于所述p型半导体层的n型半导体材料。
发光元件显示器件

[发明专利]半导体发光装置-CN200810131329.6有效
发明人：新野和香子;粂井正美;上川俊美;戎谷崇 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供半导体发光装置。该半导体发光装置具有壳体，该壳体填充有密封半导体发光器件的含波长转换材料的树脂材料以及装入到该树脂材料上的透明树脂材料，该半导体发光装置防止树脂材料相互分开或从其它部分剥落。半导体发光装置发射色彩不均匀度较小的光线。壳体包括位于内部空间内的第一凹入部和第二凹入部。第二凹入部的直径比第一凹入部的直径大，从而边界处形成了台阶区域。第一凹入部填充有密封半导体发光器件的第一树脂或含波长转换材料的树脂材料。第一树脂从第一凹入部的内表面延伸到第二凹入部的内表面以覆盖第二凹入部的内表面。第一树脂在中央区域朝向半导体发光器件凹入以形成弯曲上表面。第一树脂上的第二树脂不接触壳体。
半导体发光装置

[发明专利]探测半导体能带结构高阶临界点的新方法-CN200510130769.6无效
发明人：谭平恒;徐仲英;罗向东;葛惟昆 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：一种探测半导体材料能带结构高阶临界点的新方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底材料上生长半绝缘的半导体材料或在样品生长过程中对半导体材料进行等电子掺杂，形成半绝缘的三元合金材料；步骤2：利用显微荧光光谱仪测试等电子掺杂后的半导体材料的低温显微光致发光谱；步骤3：利用不同波长对半导体材料不同的穿透深度这一物理性质来消除来源于衬底的光谱信号对外延层等电子掺杂半导体材料光谱信号的影响；步骤4：在显微光致发光光谱的基础上，结合变激发光波长和变激发光强度和共振拉曼散射手段，确定半导体材料的高阶临界点。
探测半导体能带结构临界点新方法

[发明专利]发光器件-CN201510292481.2有效
发明人：文智炯;李尚烈;朴范斗;金青松;朴相绿;郑炳学;李泰庸 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件。公开了一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层，位于反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下的导电支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有较高掺杂浓度的C掺杂的P基半导体。导电接触层包括与具有比窗口半导体层的厚度薄的厚度的镜层的材料不同的材料。
发光器件

[发明专利]一种有机半导体材料、制备方法和电致发光器件-CN201310439975.X无效
发明人：周明杰;张振华;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：本发明有机半导体材料具有较高的三线态能级，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，具有电子传输能力的磷光主体材料，电子传输能力得到加强，有利于载流子传输平衡，大大提高发光效率，并且具有较高的热稳定性；本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法，以及包含该有机半导体材料的电致发光器件。
一种有机半导体材料制备方法电致发光器件

[发明专利]发光及激光半导体的方法及装置-CN201180045546.3无效
发明人：加布里埃尔·沃尔特 -专利权人：量子电镀光学系统有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明适于结合发光半导体结构使用，所述发光半导体结构包含第一导电率类型的半导体有源区域，所述半导体有源区域含有量子大小区域且具有与第二导电率类型的半导体输入区域相邻的第一表面，所述发光半导体结构在相对于有源区域及输入区域施加电位后即刻操作以从所述有源区域产生光发射提供一种用于增强所述发光半导体结构的操作的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体输出区域，所述半导体输出区域包含与第二表面相邻的第一导电率类型的半导体辅助层，所述第二表面与有源区域的第一表面相对；及将所述辅助层提供为半导体材料，所述半导体材料具有所述第一导电率类型材料的少数载流子的扩散长度，所述扩散长度实质上比所述有源区域的半导体材料的少数载流子的扩散长度短。
发光激光半导体方法装置

[发明专利]具有异质材料结构的发光元件及其制造方法-CN201210458130.0有效
发明人：金相默;白宗协 -专利权人：韩国光技术院
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供具有异质材料结构的发光元件及其制造方法。本发明的具有异质材料结构的发光元件包含：基板；形成在基板上的n型半导体层；形成在n型半导体层上的活性层；形成在活性层上的p型半导体层；形成在p型半导体层上的透明电极层；形成在透明电极层上的第一电极；以及形成在透明电极层、p型半导体层和活性层被蚀刻而露出n型半导体层的区域的第二电极，其中基板包含由具有互不相同的折射率的至少两种材料构成的突出部。本发明制造具有异质材料结构的发光元件，由此减小半导体发光元件的缺陷并增大发光层的面积，且通过增加光的散射而具有提高发光元件的亮度的效果。
具有材料结构发光元件及其制造方法

[发明专利]电致发光器件及其发光层和应用-CN201710954830.1有效
发明人：李哲;谢相伟;宋晶尧;付东 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种电致发光器件的发光层，包含至少一种纳米晶体半导体材料，以及至少一种镧系稀土金属Tb配合物发光材料；其中，所述镧系稀土金属Tb配合物发光材料的发射峰值波长比所述纳米晶体半导体材料短。本发明创新性地采用镧系稀土金属Tb配合物发光材料与纳米晶体半导体材料相配合，有利于能量从Tb配合物发光材料转移至纳米晶体半导体材料。同时，镧系稀土金属Tb配合物发光材料中的稀土元素Tb为重金属，具有较强的自旋‑轨道耦合效应，可以高效率地同时利用电致发光器件中的单线态与三线态能量，从而有效提高电致发光器件的发光效率。
电致发光器件及其发光应用

[发明专利]发光二极管芯片-CN200510114474.X有效
发明人：武良文;简奉任 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片，其主要包括基板、第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、至少一掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层及至少一穿隧接合层。第一型掺杂半导体层设置于基板上，且发光层设置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层设置于发光层的至少其中一表面上，且穿隧接合层设置于掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与第一型掺杂半导体层之间及/或掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与第二型掺杂半导体层之间，其中掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与穿隧接合层是位于发光层的同一侧
发光二极管芯片