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[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN202011615602.X在审
发明人：朱酉良;蒋振宇;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：外延层，外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有台面结构，以外露部分第一半导体层；第二电极层，覆盖台面结构，并与台面结构内的第二半导体层电连接；其中，第二电极层的材料为反射性材料，台面结构上的第二电极层呈杯状设置，以使得第二电极层进一步作为反射杯。通过上述方式，本申请能够提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种电致发光器件-CN201610114326.6有效
发明人：刘美荣;孙小明 -专利权人：张哲夫
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种电致发光器件包括依次层叠的具有阳极的衬底、发光层以及阴极层，所述发光层为主体材料和客体材料的混合物，其中主体材料如下所示的有机半导体材料其中，R为C1～C20的烷基，n为10～100的整数，本发明提供有机半导体材料同时具有空穴传输性质和电子传输性质，使该有机半导体材料在发光层中空穴和电子的传输平衡，还具有较高的三线态能级，三线态能级大于2.75eV，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大大提高发光效率。
一种电致发光器件

[发明专利]具有薄n型区域的III-V族发光器件-CN201080062108.3有效
发明人： F.杜邦;J.E.埃普勒 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种器件包含半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层。透明导电非III族氮化物材料布置成直接接触n型区域。发光层和透明导电非III族氮化物材料之间的半导体材料的总厚度小于1微米。
具有区域 iii 发光器件

[发明专利]发光二极管装置及其制造方法-CN200710128754.5有效
发明人：薛清全;陈世鹏;陈朝旻;陈煌坤 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2007-07-12 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管装置及其制造方法，该发光二极管装置包括外延叠层、导热基板以及种子层。外延叠层依序具有第一半导体层、发光层及第二半导体层，导热基板与第一半导体层相对而设，而种子层则位于第一半导体层与导热基板之间。其中第一半导体层为N型外延层，且第二半导体层为P型外延层。制造方法包括下列步骤：形成至少一暂时性基板于发光二极管元件；以及形成至少一导热基板于该发光二极管元件。暂时性基板的材料包括固化型高分子材料。
发光二极管装置及其制造方法

[发明专利]有机电致发光晶体管-CN201580045054.2有效
发明人： A·法彻蒂;H·乌斯塔;M·单蒂;V·柏恩杜;C·索尔达诺;M·穆西尼 -专利权人： E.T.C.有限责任公司;飞利斯有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及具有改进的光发射特征的有机电致发光晶体管。更具体地，本发明有机电致发光晶体管具有包括至少一个n型半导体材料层、至少一个p型半导体材料层和布置在该p型半导体材料层与该n型半导体材料层之间的至少一个发射材料层的发射双极通道，其中该n型半导体材料包含由式
有机电致发光晶体管

[发明专利]纳米棒发光器件、其制造方法及包括其的显示装置-CN202210222589.4在审
发明人：崔濬熙;韩周宪;金洛铉;金柱成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了纳米棒发光器件、其制造方法及包括其的显示装置，该纳米棒发光器件包括半导体发光纳米棒和围绕该半导体发光纳米棒的侧壁并具有绝缘特性的钝化膜，其中钝化膜包括具有与半导体发光纳米棒的晶体结构相同的晶体结构的绝缘晶体材料
纳米发光器件制造方法包括显示装置

[发明专利]发光二极管晶粒-CN201510029268.2有效
发明人：黄建翔;洪梓健 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，包括一衬底、依次设置在该衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层及分别与该N型半导体层和P型半导体层电连接的N电极和P电极，该N电极设置在N型半导体层的上，该P电极设置在P型半导体层上，还包括设置在P型半导体层和P电极之间的阻挡层，所述阻挡层中包括铬、镍、钛中的至少两种材料，所述至少两种材料堆叠设置。与现有技术相比，本发明提供的发光二极管晶粒中的阻挡层中包括铬、镍、钛中的至少两种材料，所述至少两种材料堆叠设置，该阻挡层采用成本较低的金属材料堆叠而成，同时成型该阻挡层时无需特殊机台进行制作，从而降低整个发光二极管晶粒的成本
发光二极管晶粒

[发明专利]半导体发光装置、半导体元件及半导体发光装置的制造方法-CN200610172515.5有效
发明人：池原正博 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的半导体发光装置中，在Cu布线图案上形成有反射来自半导体发光元件的光的反射层，在连接有LED芯片的电极的Cu布线图案上的发光元件搭载区域上形成有接合部，该接合部由能够在反射层上与半导体发光元件以无焊剂的方式进行锡焊的材料构成因而，能够实现半导体发光元件确实地与接合面接合、并且能够在减少发光强度降低及色调偏移的状态下进行发光的、高品质的半导体发光装置。
半导体发光装置元件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及制备方法-CN201910105817.8有效
发明人：王俊;周立;谭少阳;赵智德;肖啸;吴涛 -专利权人：苏州长光华芯光电技术有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：衬底；若干发光单元，设置于衬底上，若干发光单元间隔设置，发光单元内发光点的宽度与发光单元的周期比值在80％～95％范围内。通过实施本发明，可以有效降低芯片串联电阻，进而使得该半导体器件在大工作电流条件下，可以提高半导体器件的电光转换效率，并且实现在相同功率输出时有利于减小该半导体器件的光谱半高宽及半导体器件材料的损伤。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法-CN201780072226.4有效
发明人：李敏遇 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种显示装置包括：生长基板；多个半导体发光器件，其生长在生长基板上并设置在生长基板的一个表面上；多个通孔，其在与半导体发光器件交叠的位置处贯穿生长基板；波长转换材料，其填充在通孔中以转换从对应半导体发光器件发射的光的波长；以及布线基板，其电连接到半导体发光器件的电极，设置在生长基板的相对侧，半导体发光器件插置于布线基板与生长基板之间。
使用半导体发光器件显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光装置-CN200680051176.3无效
发明人：铃木正明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是一种半导体发光装置，可提高光取出效率。本发明的半导体发光装置(1)包括半导体发光元件(10)、覆盖半导体发光元件(10)的至少一部分而形成的荧光体层(11)、覆盖荧光体层的至少一部分而形成的外层(12)；荧光体层(11)包含粘合剂(17)和分散在粘合剂(17)中的荧光体(18)；外层(12)包含多孔质材料(19)。由此，能够提供一种可提高光取出效率的半导体发光装置。
半导体发光装置

[实用新型]半导体发光装置-CN201921772079.4有效
发明人：神津孝一;柳泽浩德 -专利权人：优志旺光半导体有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：半导体发光装置的一方案具备：放出光的半导体发光元件；探测从上述半导体发光元件放出的光的输出功率的光电二极管；通过利用第1熔敷材料的熔敷而固定有上述光电二极管的管座；和通过利用凝固开始温度低于上述第1熔敷材料的第2熔敷材料的熔敷固定于上述管座上且搭载有上述半导体发光元件的子装配。
半导体发光装置

[发明专利]光源装置-CN01800857.7无效
发明人：藤原翼;中野景生 -专利权人：日本光源股份有限公司
申请日： 2001-02-09 - 公布日： 2002-08-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明旨在提供有效利用半导体发光元件发射光的光源装置,利用该装置可获得清晰、无色斑的高亮度光辐射。在该光源装置中,在如壳体、基板和引线框架等基底材料的反射面上设置混入波长转变材料的透明树脂,透明的半导体发光元件安装、粘接并固定在该透明树脂上,从该半导体发光元件的背面发出的光被波长转变材料转变波长,经波长转变的光在上述反射面被反射,反射光跟从上述半导体发光元件表面发出的光相混合并向外辐射。
光源装置

[发明专利]制造发光装置的方法-CN201510088718.5在审
发明人：金彰渊;酒井士郎;金华睦;李俊熙;文秀荣;金京完 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造发光装置的方法。制造发光装置的方法包括：将基底放置在第一室中，所述基底包括第一半导体层和在第一半导体层上以预定图案形成的金属材料层；在第一室中，在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；将具有第二半导体层的基底从第一室转移到第二室；在第二室中，在第二半导体层上形成化合物半导体层。
制造发光装置方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法、显示装置-CN202111055798.6有效
发明人：林清标;张进;耿锋 -专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片及其制备方法、显示装置。发光二极管芯片的制备方法包括：在衬底上生长外延层；在外延层上形成电流扩展材料层，并基于第一掩膜版将电流扩展材料层图案化，形成电流扩展层；基于第一掩膜版，将外延层图案化，获得第一半导体层、及呈台阶状设置于第一半导体层上的发光层和第二半导体层；在第一半导体层、发光层、第二半导体层及电流扩展层的裸露表面形成钝化材料层，并基于第二掩膜版将钝化材料层图案化，形成钝化层；基于第三掩膜版，形成与第一半导体层连接的第一焊盘，形成与电流扩展层连接的第二焊盘上述发光二极管芯片的制备方法可以简化发光二极管芯片的制备流程，并降低其制备成本。
发光二极管芯片及其制备方法显示装置