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[发明专利]集成发光器件、集成传感器器件以及制造方法-CN201610498455.X有效
发明人： T.考奇 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明涉及集成发光器件、集成传感器器件以及制造方法。本公开涉及一种集成发光器件（200）。该集成发光器件（200）包括半导体材料的衬底（205）、集成到半导体材料中的发光单元（210）、以及形成在衬底（205）与发光单元（210）之间的半导体材料中的至少一个腔体（215）。
集成发光器件传感器以及制造方法

[实用新型]可提高发光效率的外延PGaN层生长结构-CN201420021683.4有效
发明人：郭文平;钟玉煌;姜红苓 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层；所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层，所述P型化合物半导体材料层内生长有P型InGaN-GaN超晶格层。本实用新型结构紧凑，能显著提高发光效率，工艺方便，安全可靠。
提高发光效率外延 pgan 生长结构

[发明专利]复合物、复合物的制备方法、电致发光器件及显示装置-CN202111346703.6在审
发明人：王劲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合物、复合物的制备方法、电致发光器件及显示装置，所述复合物包括P型半导体材料和N型半导体材料，所述P型半导体材料与所述N型半导体材料通过共价化学键连接；所述P型半导体材料包括黑磷纳米片；所述N型半导体材料包括组分A和组分B，其中，组分A为无机纳米粒子，组分B为富勒烯和/或富勒烯衍生物，所述复合物具有稳定性高、光电流响应速率快等优点，能够用于制备电致发光器件的电荷产生层，并改变了依赖真空沉积法制备电荷产生层的传统模式，适用于制备大尺寸的电致发光器件，有利于降低制造成本和工作电压，并且避免高温对发光层的损坏。
复合物制备方法电致发光器件显示装置

[发明专利]发光器件、制造发光器件的方法-CN201110036028.7有效
发明人：丁焕熙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件、制造发光器件的方法。还公开了发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；导电支撑衬底，该导电支撑衬底被电连接到第二导电半导体层；接触部，该接触部被电连接到第一导电半导体层；电介质材料，该电介质材料与接触部进行接触并且被插入在接触部和导电支撑衬底之间；以及绝缘层，该绝缘层使接触部与有源层、第二导电半导体层以及导电支撑衬底电绝缘。
发光器件制造方法

[发明专利]光转换材料-CN201880081513.6在审
发明人： E·黑登;M·拉法恩 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及光转换材料，其包含具有半导体纳米粒子(量子材料)的发光材料，其中半导体纳米粒子位于发光材料的表面上并且来自半导体纳米粒子的发射在发光材料的发射区域中。此外，本发明涉及制备光转换材料的方法及其在光源中的用途。此外，本发明涉及包含根据本发明的光转换材料的光转换混合物、光源、照明元件及其制造方法。
转换材料

[发明专利]含芘的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件-CN201210068008.2无效
发明人：周明杰;王平;梁禄生;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本发明提供了一种含芘的有机半导体材料，含芘的有机半导体材料为如下化学式所示的化合物P：半导体材料发光波长在蓝光范围，以及该有机半导体材料具有优异的热稳定性、优异的溶解性能和成膜性能。本发明还提供了该有机半导体材料的制备方法以及含有该有机半导体材料的有机电致发光器件。
有机半导体材料及其制备方法有机电致发光器件

[发明专利]发光晶体管-CN202110986411.2有效
发明人：时玉萌;周科 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10K50/30 文献下载
摘要：本申请属于发光器件技术领域，尤其涉及一种发光晶体管，包括：半导体材料组成的发光层，设于所述发光层一侧的栅极，设于所述发光层另一侧的源极和漏极；所述栅极与所述发光层之间设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的材料包括有机绝缘材料和掺杂在所述有机绝缘材料中的有机荧光染料，所述有机荧光染料与所述发光层的半导体材料能发生荧光共振能量转移。该发光晶体管基于荧光共振能量转移将该发光层的半导体材料形成的激子能量转移至有机荧光染料掺杂的栅极绝缘层发光，从而既可以实现电荷传输和发光层分离，同时充分发挥半导体材料的特性，使得该发光晶体管在保持其高迁移率的同时，进一步提高发光效率，因此，可以显著提高器件的发光性能。
发光晶体管

[发明专利]发光半导体器件-CN201880057334.9在审
发明人：亚历山大·通基赫;布丽塔·格厄特茨 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：提出一种发光半导体器件(100)，所述发光半导体器件具有基于磷化物和/或砷化物化合物半导体材料体系的半导体层序列(1)，其中半导体层序列(1)具有在第一包覆层(11)和第二包覆层(12)之间的发光半导体层(10)以及至少一个第一半导体保护层(13)，所述发光半导体层构建用于，在半导体器件(100)的运行中放射光，第一半导体保护层(13)在构成为外层的第一包覆层(11)之内或直接在第一包覆层(11)上在背离发光半导体层(10)的侧上作为外层设置，并且第一半导体保护层(13)具有比第一包覆层更低的铝含量。
发光半导体器件

[发明专利]一种发光材料、制备方法及半导体器件-CN201611259500.2在审
发明人：杨一行;刘政;钱磊;程陆玲 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开一种发光材料、制备方法及半导体器件，所述发光材料包含N个在径向方向上依次排布的发光单元，其中N≥1；所述发光单元为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构；相邻的发光单元的能级是不连续的本发明提供了一种具有从内到外沿径向方向的突变合金组分的新型发光材料，其不仅实现了更高效的发光效率，同时也更能满足半导体器件及相应显示技术对发光材料的综合性能要求，是一种适合半导体器件及显示技术的理想发光材料
发光材料半导体器件发光单元能级制备合金新型发光材料综合性能要求发光效率组分结构不连续渐变排布外沿突变

[发明专利]发光组件的制造方法-CN201810900221.2在审
发明人：石崎顺也 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光组件的制造方法，为减低将发光组件自具有晶格不匹配系窗层兼支承基板的半导体基板，透过刻划及劈裂予以分离时的劈裂不良率，在基板以晶格匹配系材料磊晶出第一半导体层、活性层及第二半导体层而形成发光层部，以与发光层部为晶格不匹配系材料磊晶出窗层兼支承基板，除去基板，形成第一欧姆电极，形成除去部，在除去部形成第二欧姆电极，由此制造半导体基板，自半导体基板以刻划及劈裂而分离发光组件，通过在与半导体基板发光层部形成面的反面，形成窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下沟槽，通过刻划及劈裂分离发光组件。
发光组件半导体基板劈裂发光层部支承基板刻划半导体层欧姆电极除去部窗层基板晶格磊晶匹配制造晶格匹配不良率活性层出窗残留

[发明专利]一种光谱可调的ZnO/GaN基白光发光器件结构-CN201210145555.6无效
发明人：招瑜;单梓华;廖世权;邓海生;张彬彬 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光谱可调的ZnO/GaN基白光发光器件结构，包括衬底或基板及沉积于衬底或基板上的半导体材料层，该半导体材料层自下而上包括第一GaN材料层、InGaN/GaN单量子阱或多量子阱、第二GaN材料层和ZnO层，ZnO层的上表面设置有第三电极，部分半导体材料层被腐蚀或刻蚀并露出部分第二GaN材料层的上表面，露出的部分设置有第二电极，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分第一GaN材料层，露出的部分设置有第一电极；通过调节加载在该半导体发光器件的第一电极、第二电极和第三电极上的电压和电流参数，可以调节该发光器件的发光光谱，优化和提高白光发光器件的白光质量。
一种光谱可调 zno gan 白光发光器件结构

[发明专利]一种有机半导体材料的制备方法-CN201610115032.5有效
发明人：黄佰山 -专利权人：深圳市百洲半导体光电科技有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示其中，R为C1～C20的烷基，n为10～100的整数，本发明提供有机半导体材料同时具有空穴传输性质和电子传输性质，使该有机半导体材料在发光层中空穴和电子的传输平衡，还具有较高的三线态能级，三线态能级大于2.75eV，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大大提高发光效率。该有机半导体材料采用了较简单的合成路线，减少了工艺流程，原材料价廉易得，制造成本得到降低。
一种有机半导体材料制备方法

[发明专利]电子束泵浦的发光管-CN201210445080.2无效
发明人：张学渊;钟伟杰;赵健;夏忠平 -专利权人：上海显恒光电科技股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01S5/04 文献下载
摘要：本发明涉及光源领域，具体涉及电致发光领域。电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构，电致发光半导体机构生成在一反光金属层上，还包括一激励源，激励源采用一电子枪系统；电致发光半导体机构设置在电子枪系统的靶向方向上。电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层，构成半导体发光结构。相邻的两层电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层，从而在新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上，从而达到提高转换效率的目的。
电子束发光

[发明专利]透射式电子束泵浦的发光管-CN201210445111.4无效
发明人：张学渊;钟伟杰;赵健;夏忠平 -专利权人：上海显恒光电科技股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01S5/04 文献下载
摘要：本发明涉及光源领域，具体涉及电致发光领域。透射式电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构，电致发光半导体机构生成在一底座上，还包括一激励源，激励源采用一电子枪系统；电致发光半导体机构设置在电子枪系统的靶向方向上。电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层，构成半导体发光结构。相邻的两层电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层，从而在新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上，从而达到提高转换效率的目的。
透射电子束发光

[发明专利]发光二极管的低光损失电极结构-CN200680054553.9有效
发明人：法兰克·T·萧;威廉·W·苏;史提夫·D·列斯特 -专利权人：普瑞光电股份有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一电极结构被揭露以增加一发光二极管的亮度及/或效率。该电极结构具有一金属电极及一透光性厚介电材料形成在该电极及一发光半导体材料之间。该电极及该厚介电材料相互配合反射来自该半导体材料的光回到该半导体材料中以增加前述光最后穿透该半导体材料的可能性。此发光二极管的利用性被提高并适合用于一般照明。
发光二极管损失电极结构

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