“双层钝化”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果205173个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法-CN201810628938.6在审
发明人：张宇;马越;陆敏;陈真;张佳;张铁强 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及其制备方法，属于照明技术领域。本发明所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，采用Ag替代ITO作为阴极，依次由衬底、Ag阴极层、ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层、CsPbI₃钙钛矿量子点发光层本发明将Ag作为阴极，并选取MoO₃/Au/MoO₃作为阳极保证良好的透明性与导电性，实现银离子自发掺杂到钙钛矿量子点薄膜中，有效钝化钙钛矿量子点表面缺陷，进而提高钙钛矿量子点
钙钛矿量子点掺杂钝化阴极制备照明技术领域聚乙烯亚胺空穴传输层量子点表面导电性双层电子有效钝化阳极传输层发光层三苯胺阳极层阴极层银离子衬底咔唑薄膜替代保证

[发明专利]抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿的两层绝缘介质钝化法-CN202310376064.0在审
发明人：陈敦军;游海帆;王海萍;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种可抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿的两层绝缘介质钝化方法，其步骤包括：(1)先采用低RF功率条件在雪崩光电二极管表面淀积缓冲绝缘介质层；(2)再采用高RF功率条件进行高质量绝缘介质层的淀积本发明通过先后采用在两种不同的RF功率条件下进行双层绝缘介质的钝化，其机理主要是先在低RF功率下淀积一层薄的缓冲绝缘介质，从而将样品表面受到的等离子损伤控制在最小范围；随后使用常规的高RF功率淀积一层厚的高质量绝缘介质既可避免雪崩器件容易在表面处因局部电场聚集而导致的提前击穿，又保证了绝缘钝化介质的耐压作用，提升器件性能。
抑制雪崩光电二极管边缘提前击穿绝缘介质钝化

[发明专利]一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法-CN201510551034.4有效
发明人：沈鸿烈;蒋晔;蒲天 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：MACE)技术，在硅片表面制备黑硅结构；(2)采用NSR(Nano‑Structure Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优化处理，形成均匀的倒金字塔结构；(3)在纳米结构上，通过改变扩散方阻与氮化硅钝化膜的厚度；(4)结合液相处理和PECVD技术形成氧化硅/氮化硅双层钝化结构。与酸制绒形成的蠕虫状结构相比，本发明制备的倒金字塔减反射结构具有更好的减反射效果，同时比纳米黑硅结构更易于钝化，是理想的黑硅减反射结构。
制备黑硅多晶减反射溶液法氧化硅/氮化硅倒金字塔结构氮化硅钝化高转换效率减反射效果蠕虫状结构倒金字塔低反射率电池工艺硅片表面化学腐蚀金属辅助纳米结构双层钝化液相处理优化处理结合液酸制绒钝化方阻量产扩散

[发明专利]面内切换型液晶显示装置用阵列基板的制造方法-CN200610169494.1有效
发明人：朴相旭;林柄昊 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供了一种面内切换型液晶显示装置用阵列基板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：利用透明材料层和不透明材料层的双层在基板上形成公共电极，该公共电极包括第一透明导电材料；在基板上形成选通线、栅极以及公共线在选通线、栅极以及公共线上形成栅绝缘层；以位于栅极上方的方式在栅绝缘层上形成有源层和欧姆接触层；在欧姆接触层上形成源极和漏极，并且形成连接至源极的数据线，源极和漏极彼此隔开；在源极和漏极以及数据线上形成钝化层，钝化层包括暴露漏极的漏极接触孔；以及在钝化层上形成像素电极，像素电极包括第二透明导电材料，并且与公共电极相交替。
切换液晶显示装置阵列制造方法

[发明专利]带双层保护膜的太阳能组件-CN201210297552.4无效
发明人：金刘 -专利权人：江苏格林保尔光伏有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：发明涉及一种带双层保护膜的太阳能组件，具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层；还具有减反射膜层和钝化膜层；所述减反射膜层设置在负极层和N型硅层之间；所述钝化膜层设置在减反射膜层和N型硅层之间。本发明采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳能组件的减反射膜层, 可以减少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氢，可以很好的钝化硅中的表面悬挂键，提高载流子迁移率；同时，在氮化硅膜与N型硅之间沉积二氧化硅膜，可以更有效的减少入射光在太阳能电池表面的反射损失
双层保护膜太阳能组件

[发明专利]空调器用双层铜焊钢管生产工艺-CN200910021121.3无效
发明人：王积科;孙鲁灵 -专利权人：西安兰方实业有限公司
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： B21C37/09 文献下载
摘要：空调器用双层铜焊钢管生产工艺，将低碳无间隙原子钢制成的分条双面镀铜钢带平放于开卷盘上；将镀铜钢带在成型机上卷轧720°形成双层卷焊管管筒；送入钎焊炉中，并在炉中通入NH₃分解保护气体进行钎焊；将钎焊好的双层卷焊管送入内通NH₃分解保护气体的密闭冷却管道冷却，再经缓冷及进一步冷却；之后，用钝化水直接喷淋、烘干；最后用收卷机收集成盘，经退火后在其表面进行常规连续酸性镀铜，用三氯甲烷或四氯化碳对管内壁进行反复冲洗得使用要求的双层铜焊钢管。采用本发明的生产工艺得到的双层铜焊钢管其塑性应变比r＞2.0、应变硬化指数n＞0.25、延伸率δ＞45％、屈服强度δs小于150MPa。
空调器用双层铜焊钢管生产工艺

[实用新型]一种可调节的弹性卡箍-CN201720880721.5有效
发明人：杨立勇;王莹 -专利权人：天津恒益昌科技发展有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： F16L21/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节的弹性卡箍，包括双层卡箍圈、防滑缓冲环、调节螺钉、调节圈和固定板，固定板上有两个固定孔和一个螺纹孔，调节圈上有一个调节通孔，双层卡箍圈采用优质锰钢精工制作，表面进行镀锌钝化处理和去氢处理，一端呈开口状，两个尾部分别伸入两个固定孔中，另一端为圆弧形封闭端；防滑缓冲环有六个，分别设置于双层卡箍圈的正下方和左右两侧，调节螺钉尾部无螺纹，尾部处的直径与调节通孔的直径一致，调节螺钉依次穿过螺纹孔、调节通孔和双层卡箍圈的圆弧形封闭端。
一种调节弹性

[发明专利]双栅型薄膜晶体管和包括其的有机发光二极管显示器-CN201310674628.5有效
发明人：郑宇喆;尹圣埈;孙珠僖 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：在所述第一栅极上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的与所述第一栅极相对应的半导体层；在所述半导体层上的蚀刻停止层；源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述半导体层的两侧接触，并在所述蚀刻停止层上相互隔开；在所述源极和所述漏极上的钝化层；以及第二栅极，所述第二栅极位于所述钝化层上并具有透明电极和不透明电极的双层结构。
双栅型薄膜晶体管包括有机发光二极管显示器

[发明专利]一种制作U型栅脚T型栅结构的方法-CN201110133545.6有效
发明人：孔欣;魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiNx钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构；再刻蚀AlGaN势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构。
一种制作型栅脚结构方法

[发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN200610087180.7有效
发明人：李昌德 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：该栅焊盘包括形成在基板上的ITO栅极，形成在该ITO栅极的预定区域上的第一栅焊盘底部电极和第二栅焊盘底部电极，形成在第一栅焊盘底部电极和第二栅焊盘底部电极上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层上的钝化层，形成在钝化层上的栅焊盘顶部电极该LCD还包括具有栅线的液晶面板，该栅线具有与第一栅焊盘底部电极和第二栅焊盘顶部电极整体形成的双层结构。
液晶显示装置及其制造方法

[实用新型]一种仿铝绝热的双层PET彩钢板-CN201520834880.2有效
发明人：莫利华;沈建明 -专利权人：绍兴远鼎实业投资有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：一种仿铝绝热的双层PET彩钢板，包括彩钢板基体，所述彩钢板基体的上表面向外依次设置有钝化层A、隔热层A、粘贴层A、PET层、粘贴层B、金属铝箔层、粘贴层C、印刷层、粘贴层D、真拉丝PET层，所述彩钢板基体的下表面向外依次设置有钝化层
一种绝热双层 pet 彩钢板

[发明专利]一种制备抗PID薄膜的方法-CN201410100441.9在审
发明人：闫用用;张惠;张亮;苗青;李积伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备抗PID薄膜的方法，含以下步骤：选取晶体硅片，经制绒和扩散后，在晶体硅片的受光面上依次生成氧化硅和氮化硅双层膜或氮氧化硅和氮化硅双层膜，其中氧化硅膜采用紫外线光敏氧化或者PECVD的方式沉积，氮化硅或氮氧化硅采用PECVD的方式沉积，位于底层的氧化硅或氮氧化硅对杂质离子具有阻挡作用且钝化效果好，结合位于顶层的氮化硅薄膜，能减少太阳能电池片光电转换效率的损失且能增强太阳能电池片的抗PID性能
一种制备 pid 薄膜方法

[发明专利]一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池及其制备方法-CN201110062563.X有效
发明人：张学玲 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：该N型太阳能电池是：以n型直拉单晶硅为基体，硅片的背面是覆盖有SiO2和SiNx双层钝化膜的硼扩散制备的P型发射结，硅片的正面是磷扩散制备的前表面场，前表面场上覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。型太阳能电池的方法是：以n型直拉单晶硅为基体，首先通过硼扩散制备P型发射结，然后刻蚀掉正面的P型发射结，在硅片背面的P型发射结上制作SiO2薄膜，该SiO2薄膜既是后续磷扩散制备前表面场的掩膜，又是P型发射结的钝化膜
多用法制太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件两次丝网印刷方法-CN201811533996.7有效
发明人：史丽萍;王晓捧;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;李豆;赵钰 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：刮刀印刷方向的切入口均为印刷网版上相对应沟槽的正四边形的任意一边上的点，且刮刀的印刷方向与该切入点所在边垂直,同时调整两次玻璃浆料的配比，使S4所用玻璃浆料的粘稠度大于S1所用玻璃浆料的粘稠度，并分别对涂覆后的玻璃浆料进行烘干、烧结，使硅片沟槽处形成双层的玻璃钝化层，能有效解决沟槽尖角处硼结裸露及沟槽底部硅裸露的问题，使沟槽内玻璃钝化层覆盖更全面，PN结的钝化保护更完全，增强了产品的稳定性和可靠性，提高了产品的合格率。
一种半导体器件两次丝网印刷方法

[实用新型]一种带双层保护膜的太阳能组件-CN201220414805.7有效
发明人：金刘 -专利权人：江苏格林保尔光伏有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带双层保护膜的太阳能组件，具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层；还具有减反射膜层和钝化膜层；所述减反射膜层设置在负极层和N型硅层之间；所述钝化膜层设置在减反射膜层和N型硅层之间本实用新型采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳能组件的减反射膜层, 可以减少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氢，可以很好的钝化硅中的表面悬挂键，提高载流子迁移率；同时，在氮化硅膜与N型硅之间沉积二氧化硅膜
一种双层保护膜太阳能组件

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top