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[发明专利]一种钢结构表面镀覆锌镍双层钝化膜的方法-CN201510725932.7在审
发明人：赵月华;秦磊 -专利权人：常熟风范电力设备股份有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C23C2/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种钢结构表面镀覆锌镍双层钝化膜的方法，包括如下步骤：（1）前处理；（2）热镀锌；（3）冷却处理；（4）化学镀镍及钝化处理；（5）干燥成型。本发明一种钢结构表面镀覆锌镍双层钝化膜的方法，通过合理的工艺设计，先后在钢铁表面镀覆锌、镍双层钝化膜，且将化学镀镍与钝化处理同步进行，不仅简化了工艺，提高了效率，而且对整个镍层进行彻底的钝化处理，有效提高了钝化效果；本发明所制得的双层金属钝化层有效提高了钢铁的耐腐蚀性、耐酸性和使用寿命。
一种钢结构表面镀覆双层钝化方法

[发明专利]双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺-CN201110062561.0无效
发明人：许艳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅电池的背钝化技术领域，特别是一种双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺，该结构包括P型硅基体，在基体的正面是N型扩散区，在基体的背面通过双层SiNx叠层钝化。其工艺步骤如下：1、P型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2、正面PECVD镀SiNx；3、背面PECVD镀双层SiNx；4、制作电极；5、烧结。在高效晶体硅太阳能电池的基础上，采用双层富硅SiNx叠层作为背钝化的介质，和正常生产工艺相比有以下的特点：1.SiNx带正电荷，用其做背钝化面，可以降低背场复合，显著提高Uoc。采用双层富硅SiNx进一步降低了复合。2.IQE长波响应可以得到提高。
双层 sinx 钝化结构及其工艺

[发明专利]一种用于正面接触钝化的双层钝化膜及其制备方法-CN201910349983.2有效
发明人：袁声召;陈桂栋;崔艳峰;万义茂;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种用于正面接触钝化的双层钝化膜，所述双层钝化膜为掺磷SiCx/掺磷多晶硅叠层薄膜；本发明中的用于正面接触钝化的双层钝化膜，即掺磷SiCx/掺磷多晶硅叠层薄膜，结合图形化刻蚀工艺可大幅减少正面的吸光，刻蚀过程中，掺磷SiCx薄膜是极佳的刻蚀阻挡层，从而可以保护其下的金字塔不被破坏，刻蚀后，钝化区为隧穿氧化硅/掺磷SiCx叠层结构，仍可提供有效的接触钝化，SiCx薄膜由于其宽的光学带隙，寄生吸收少，
一种用于正面接触钝化双层及其制备方法

[发明专利]一种双层钝化槽体及使用其的铜箔生产分切一体化生产线-CN201810109645.7有效
发明人：杨剑文;肖建斌;李奇兰;陈舍予;谢基贤;张振育 -专利权人：广东嘉元科技股份有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C22/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层钝化槽体及使用其的铜箔生产分切一体化生产线；属于铜箔生产设备技术领域。双层钝化槽体为：上下两个槽体，每个槽体设置有2个活动侧板；铜箔生产分切一体化生产线，将分切机设置在生箔机与双层钝化槽体之间。采用本发明的双层钝化槽体，其能够满足双幅以及三幅铜箔钝化的需求。
一种双层钝化使用铜箔生产一体化生产线

[实用新型]一种双层钝化槽体及使用其的铜箔生产分切一体化生产线-CN201820189686.7有效
发明人：廖平元;温丙台;王崇华;饶彬;叶敬敏;张小玲 -专利权人：广东嘉元科技股份有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C23C22/73 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层钝化槽体及使用其的铜箔生产分切一体化生产线；属于铜箔生产设备技术领域。双层钝化槽体为：上下两个槽体，每个槽体设置有2个活动侧板；铜箔生产分切一体化生产线，将分切机设置在生箔机与双层钝化槽体之间。采用本实用新型的双层钝化槽体，其能够满足双幅以及三幅铜箔钝化的需求。
槽体双层钝化铜箔生产铜箔一体化生产线分切本实用新型设备技术领域防氧化处理活动侧板分切机分体机切削箔机钝化铜粉搬运伤害

[发明专利]双层钝化薄膜材料及其制备方法-CN202111184565.6在审
发明人：谭满清;游道明;王栋 -专利权人：中国科学院半导体研究所;国网河南省电力公司电力科学研究院
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本公开提供一种双层钝化薄膜材料，其特征在于，包括：半导体光电子器件基材，包括衬底和腔面；GaN薄膜，制备于所述腔面表面；TiO2薄膜，制备于所述GaN薄膜表面，与所述GaN薄膜形成双层钝化薄膜。本公开同时还提供一种双层钝化薄膜材料的制备方法，包括：操作S1：对半导体光电子器件基材的腔面进行预处理；操作S2：在所述半导体光电子器件基材的腔面上通过离子辅助技术制备GaN薄膜；以及操作S3：在所述GaN薄膜上制备TiO2薄膜，完成双层钝化薄膜材料的制备。
双层钝化薄膜材料及其制备方法

[发明专利]具有双层钝化层的太阳能电池及其制备方法-CN201510124799.X有效
发明人：张治;何凤琴;卢刚;郭灵山 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双层钝化层的太阳能电池，包括依次叠层连接的背电极、硅衬底、扩散结构层、纳米线阵列、钝化层以及正面电极，所述扩散结构层与所述硅衬底形成PN结；其中，所述钝化层包括氧化硅薄膜钝化层和氮化硅薄膜钝化层，所述氧化硅薄膜钝化层位于所述扩散结构层上，包覆所述纳米线阵列；所述氮化硅薄膜钝化层覆盖于所述氧化硅薄膜钝化层上。该太阳能电池中实现对纳米绒面的双层钝化，增强对纳米绒面结构的钝化效果，可以改善纳米绒面表面复合严重、少子寿命低的缺陷，具有开路电压大、效率高的优势。
具有双层钝化太阳能电池及其制备方法

[发明专利]双层氮化硅减反射膜及其制备方法-CN201410020311.4有效
发明人：竺峰;赵国成 -专利权人：宁波富星太阳能有限公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层氮化硅减反射膜及其制备方法。该双层氮化硅减反射膜，包括沉积在硅片上的钝化层和减反射层，所述减反射层沉积在钝化层上，其特征在于：所述钝化层的折射率为2.25～2.45，膜厚为30～40nm，所述减反射层的折射率为1.95～2.05，制备该双层减反射膜时，通过设定气体的流量、压强、射频功率、沉积时间、沉积温度等，具体采用PECVD法在硅片上沉积钝化层和减反射层。通过本方法能有效增加晶体硅表面钝化效果、减少晶体硅表面的太阳光反射效率，同时增加硅片对短波的吸收。
双层氮化减反射膜及其制备方法

[发明专利]一种基于双层钝化精准刻蚀的双T型栅的制备方法-CN202110871188.7在审
发明人：王文樑;李善杰;李国强;邢志恒;吴能滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双层钝化精准刻蚀的双T型栅的制备方法，包括在外延结构上依次生长两层钝化层，两层钝化层包括底层钝化层及顶层钝化层；对顶层钝化层进行第一次曝光，在第一次曝光区域内对顶层钝化层和底层钝化层进行自上而下刻蚀形成栅根区域；对顶层钝化层进行二次曝光，在二次曝光区域对顶层钝化层进行刻蚀形成下层栅帽区域；对顶层钝化层进行第三次曝光形成顶层栅帽曝光区域，蒸镀金属并剥离光刻胶部分即在双钝化层中形成双T型栅结构。本方法在对半导体器件实现双层钝化的同时，制备了百纳米级栅根的双T型栅结构，在减少器件缺陷态密度的同时极大限度的抑制了器件电流崩塌效应。
一种基于双层钝化精准刻蚀制备方法

[发明专利]半导体太阳能电池的制造方法-CN201180014551.8有效
发明人： P·恩格莱哈特;R·塞根;M·埃德曼 -专利权人： Q电池欧洲公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体太阳能电池（1）的制造方法，包括以下步骤：制备半导体太阳能电池（1）的半导体基体（2）；在半导体基体（2）的表面（22）上形成钝化双层（3、4），其方式是，向半导体基体（2）的表面（上施加由第一介电材料形成的第一介电层（3）和向第一介电层（3）上施加由不同于第一介电材料的第二介电材料形成的第二介电层（4）；以及另外的制造步骤，包括以下处理步骤中的至少一个、两个或三个：纹理步骤、扩散步骤和蚀刻步骤，其中，钝化双层（3、4）在所述另外的制造步骤中作为隔离层并保护直接位于钝化双层下面的半导体基体（2），并且其中，钝化双层（3、4）在制造完成的半导体太阳能电池（1）中用作钝化层。
半导体太阳能电池制造方法

[发明专利]适用于电解水工业的一种超耐电化学腐蚀的双层钝化膜结构及不锈钢-CN202310433454.7在审
发明人：黄明欣;余开平 -专利权人：香港大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C25D11/34 文献下载
摘要：本发明涉及适用于电解水工业的一种超耐电化学腐蚀的双层钝化膜结构及不锈钢，具体公开了一种基底的双层钝化膜结构，包括内层和外层，所述内层包括第一元素的氧化物，所述外层包括第二元素的氧化物，其中所述第一元素的钝化电位低于所述第二元素的钝化电位，且所述第二元素的钝化电位低于所述第一元素的过钝化电位。还公开了一种形成上述基底的双层钝化膜结构的方法和处理基底的方法。仍又公开了一种电解水阳极基底材料/析氧催化剂/催化剂载体，包括上述的双层钝化膜结构不锈钢。
适用于电解水工业一种电化学腐蚀双层钝化膜结构不锈钢

[实用新型]一种电梯侧壁用镀锌钢板-CN201920616594.7有效
发明人：葛满全;丁志平;葛国全;葛知名 -专利权人：兴化市华成镀锌管件有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电梯侧壁用镀锌钢板，包括钢板、钢板的表面附着有锌合金镀层，锌合金镀层的表面附着有双层钝化膜，双层钝化膜的外部附着有封闭层。锌合金镀层外表面涂覆有双层钝化膜，提高钝化膜的厚度、自愈能力和耐蚀性。
一种电梯侧壁镀锌钢板

[实用新型]一种背面点接触晶体硅太阳电池-CN201120235560.7有效
发明人：窦亚楠;何悦;王涛;江作;王建禄;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本专利公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。本专利电池具有表面钝化效果好，背表面增强对红外光的内反射，前表面双层抗反射涂层减少表面反射，抗UV辐射性能好，光电转换效率高等优点。
一种背面点接触晶体太阳电池

[发明专利]一种双层钝化耗尽型MIS-HEMT器件及其制备方法-CN202210434393.1在审
发明人：李祥东;袁嘉惠;王峻博;王萌;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层钝化耗尽型MIS‑HEMT器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层；在上一步得到的样品两侧形成器件的隔离区；在AlGaN势垒层上表面生长Si钝化层，并通过热氧化工艺在Si钝化层表面形成一层SiO2氧化层，从而形成Si‑SiO2双层钝化结构；刻蚀掉栅极区域两侧的SiO2氧化层和Si钝化层；在整个样品表面淀积SiO2钝化层；制作器件的源漏极和栅极。本发明通过在栅极氧化物和半导体之间生长一层Si钝化层，并经热氧化形成Si‑SiO2双层钝化结构，有效减少了栅极介质和势垒层之间的界面态，减小了器件阈值电压负漂，
一种双层钝化耗尽 mis hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法-CN201510697978.2在审
发明人：郭承造;陈盟舜 -专利权人：强茂电子（无锡）有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种可减少玻璃钝化硅晶圆制造工序的背面激光切割方法，包含以下步骤：一、正常玻璃钝化硅晶圆制造，不需要制作背面定位切割道；二、使用玻璃沟槽作为定位基准，采用背面激光半切穿方式进行切割；三、分离芯片晶粒；其中，第二步包括a.玻璃钝化硅晶圆放置在双层透明玻璃片上，该双层玻璃上层有小孔，旁有真空接口；b.双层透明玻璃正下方，放置显微放大镜头和摄像机，依据玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽作为切割定位线，对玻璃钝化硅晶圆进行定位；c.晶圆定位完成后，通过对激光的扩束、聚焦后对钝化玻璃硅晶圆背面进行切割，使用半切穿方式形成激光切割槽。
一种玻璃钝化硅晶圆背面激光切割方法

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