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[发明专利]台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法-CN202011055651.2有效
发明人：庄春泉;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法，制备方法包括氮化硅钝化膜的生长步骤；所述氮化硅钝化膜的生长步骤包括：在铟镓砷外延片上采用PECVD法生长两叠层的氮化硅钝化膜，其中，底层氮化硅钝化膜包括致密结构的呈压应力的Si3N4膜，底层氮化硅钝化膜的厚度范围为100nm～200nm，顶层氮化硅钝化膜包括疏松结构的呈拉应力的SiNx膜，所述顶层氮化硅钝化膜的厚度范围为200nm～400nm。本发明采用低应力、致密的氮化硅薄膜钝化方式，控制了探测器芯片的翘曲度；而且提升了钝化效果；钝化膜生长过程中未对外延材料的表面和侧面附近造成大的损伤，从而使得探测器的表面和侧面暗电流得到抑制。
台面型铟镓砷探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法-CN201911181492.8有效
发明人：王斌;贺贤汉;欧阳鹏;孙泉;马敬伟;戴洪兴 -专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法，在完成图形蚀刻以后进行氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化；步骤一，用1％～5％浓度氢氟酸溶液将氮化硅陶瓷覆铜基板浸泡钝化；步骤二，氮化硅陶瓷覆铜基板用去离子水超声浸泡清洗；步骤三，氮化硅陶瓷覆铜基板用异丙醇浸泡清洗；步骤四，将氮化硅陶瓷覆铜基板热风烘干。通过以上钝化工序，可有效去除产品表面亲水性键合结构(Si‑OH)，从而降低氮化硅表面漏电流随环境变化的漂移值，提高产品绝缘可靠性。
一种氮化陶瓷覆铜基板表面钝化方法

[发明专利]一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构-CN202110424217.5在审
发明人：王斌;戴大洲;赵晨;蒋万昌 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，按照包括制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行，背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜是指首先制备多层的氮氧化硅层，然后制备多层的氮化硅层，最后再制备一层氮氧化硅层和一层氮化硅。本发明通过在电池的背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜，有效的提高了氢钝化，太阳能电池的光电转换效率得到了进一步提升，同时设备不需大规模改进。
一种适用于电池背面叠层膜钝化结构

[实用新型]一种PERC太阳能电池-CN201521132007.5有效
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种PERC太阳能电池，其包括硅片、位于硅片上表面的正面氮化硅钝化层和银层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本实用新型在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金，形成良好的欧姆接触。
一种 perc 太阳能电池

[发明专利]一种晶硅电池双层钝化减反结构-CN201310748474.X在审
发明人：秦广飞;金保华;燕飞;汪文渊;王鹏;张建亮 -专利权人：秦广飞
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅太阳能电池钝化减反技术领域，特别涉及一种晶硅电池双层膜钝化减反结构。该晶硅电池双层钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池上方的下层氮化硅薄膜及下层氮化硅薄膜上方的上层氮化硅薄膜，所述下层氮化硅薄膜的厚度为d₂，折射率为n₂，上层氮化硅薄膜的厚度d₁，折射率为n₁，且d₁>d₂，n₁<n₂；由于下层氮化硅膜的折射率较大，由于自身的消光系数大，会吸收一部分的短波，同时由于双层氮化硅膜在结构上的光学匹配性优于单层氮化硅膜，从而减少了短波段的反射，沿着光入射的方向，氮化硅膜的折射率增加，膜中的Si-H键的密度呈上升趋势，折射率越大，钝化效果越好，从而实现了双层膜减反、钝化双重效果的结合。
一种电池双层钝化结构

[实用新型]一种晶硅电池双层膜钝化减反结构-CN201320886856.4有效
发明人：秦广飞;金保华;燕飞;汪文渊;王鹏;张建亮 -专利权人：秦广飞
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶硅太阳能电池钝化减反技术领域，特别涉及一种晶硅电池双层膜钝化减反结构。该晶硅电池双层钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池上方的下层氮化硅薄膜及下层氮化硅薄膜上方的上层氮化硅薄膜，所述下层氮化硅薄膜的厚度为d₂，折射率为n₂，上层氮化硅薄膜的厚度d₁，折射率为n₁，且d₁>d₂，n₁<n₂；由于下层氮化硅膜的折射率较大，由于自身的消光系数大，会吸收一部分的短波，同时由于双层氮化硅膜在结构上的光学匹配性优于单层氮化硅膜，从而减少了短波段的反射，沿着光入射的方向，氮化硅膜的折射率增加，膜中的Si-H键的密度呈上升趋势，折射率越大，钝化效果越好，从而实现了双层膜减反、钝化双重效果的结合。
一种电池双层钝化结构

[发明专利]一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201610272824.3有效
发明人：叶继春;曾俞衡;高平奇;韩灿;廖明墩;王丹;蔡亮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。
一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

[发明专利]PERC太阳能电池及其制备方法-CN201511023431.0在审
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种PERC太阳能电池及其制备方法，其中PERC太阳能电池包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅层和银层、位于二氧化硅层上表面的正面氮化硅钝化层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金。本发明在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层，能够有效的解决PERC太阳能电池电位诱导衰减问题。
perc 太阳能电池及其制备方法

[实用新型]PERC太阳能电池-CN201521129987.3有效
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开一种PERC太阳能电池，其包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅层和银层、位于二氧化硅层上表面的正面氮化硅钝化层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本实用新型在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金。本实用新型在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层，能够有效的解决PERC太阳能电池电位诱导衰减问题。
perc 太阳能电池

[实用新型]一种N型双面太阳电池-CN201621384993.8有效
发明人：张三洋;魏青竹;吴晨阳;刘晓瑞;陆俊宇;连维飞;倪志春 -专利权人：中利腾晖光伏科技有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：它包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化铝层、硼扩散层、N型硅基底、磷扩散层以及氮化硅钝化减反射膜，所述氮化硅层、氧化铝层构成叠层的氧化铝/氮化硅钝化层，所述氧化铝/氮化硅钝化层上刻蚀形成有用于对应各副栅线电极的刻蚀槽
一种双面太阳电池

[发明专利]一种PERC太阳能电池及其制备方法-CN201511022501.0在审
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开一种PERC太阳能电池及其制备方法，其中PERC太阳能电池包括硅片、位于硅片上表面的正面氮化硅钝化层和银层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金，形成良好的欧姆接触。
一种 perc 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201210294388.1无效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化制备方法含有硅片太阳能电池

[实用新型]氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201220414730.2有效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化含有硅片太阳能电池

[发明专利]一种晶硅电池多层钝化减反膜及其制作方法-CN201410436663.8在审
发明人：刘仁中;张辉;杨红冬;张斌;邢国强 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅电池多层钝化减反膜，所述的钝化减反膜沉积于晶硅电池N型面，其特征在于：所述的钝化减反膜由下而上依次包括：氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、第三氮化硅膜，其中氧化硅膜的厚度为10-30nm，折射率n1为1.3-1.6，第一氮化硅膜厚度为8-15nm，折射率n2为2.15-2.25，第二氮化硅膜的厚度为15-30nm，折射率n3为2.05-2.15，第三氮化硅膜的厚度为30-50nm
一种电池多层钝化减反膜及其制作方法

[发明专利]一种PERC电池背钝化结构及制备方法-CN201910553483.0在审
发明人：赵洪俊;宛正 -专利权人：阜宁苏民绿色能源科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种PERC电池背钝化结构及制备方法。包括依次层叠的晶硅衬底、氧化铝层和复合氮化硅层；所述晶硅衬底为单晶或多晶硅片，为p型晶体硅片，厚度为180～200μm；所述氧化铝层为PECVD法沉积；所述复合氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层；所述第一氮化硅层的厚度不大于第二氮化硅层的厚度，所述第二氮化硅层的厚度不大于第三氮化硅层的厚度。本发明提供的PERC电池背钝化结构及制备方法显著提高开路电压和短路电流，极大地提高了电池的转换效率。
氮化硅层背钝化结构氧化铝层电池衬底晶硅制备复合短路电流多晶硅片开路电压依次层叠转换效率沉积单晶硅片

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