“单晶晶体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果212978个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法-CN202010510585.7有效
发明人：陆静;闫宁;徐西鹏;吴晓磊;姜峰;赵延军;王宁昌;陈恩厚 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司;华侨大学
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法，包括如下步骤：在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条，然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验，且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反，得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品，通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测，最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度，确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中，能够确定最优加工方向，减少崩边的尺寸，提高加工质量和晶圆的利用率。
一种单晶晶圆最优划片方向确定方法

[发明专利]一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法-CN201710165295.1在审
发明人：崔潆心;胡小波;徐现刚;谢雪健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：针对单晶生长工艺和高性能器件制备的需求，本发明公开了一种碳化硅单晶晶片基平面弯曲的测试方法，为全面了解SiC单晶晶片的基平面弯曲特性，该测试方法主要利用高分辨X射线衍射技术，对样品表面六个直径方向进行了摇摆曲线的扫描测试；通过测定碳化硅单晶晶片六个直径方向上衍射晶面的摇摆曲线、分析衍射峰位的变化趋势并借助Matlab软件三维模拟，即可获得大直径4H‑SiC单晶晶片的基平面弯曲特性。
一种碳化硅晶片平面弯曲测试方法

[发明专利]空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器-CN201910393168.6有效
发明人：帅垚;罗文博;吴传贵 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及空腔型体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器；包括如下步骤：通过单晶晶圆损伤处理工艺对单晶晶圆进行损伤处理，得到具有损伤层的单晶晶圆；在具有损伤层的单晶晶圆的下表面依次制备下电极和牺牲层，在牺牲层表面制备厚度大于等于牺牲层和下电极厚度总和的聚合物键合层，将衬底与聚合物键合层进行键合工艺处理及单晶晶圆劈裂工艺处理后，得到具有下电极的单晶薄膜；在具有下电极的单晶薄膜的上表面制备上电极，在单晶薄膜层上表面开设与牺牲层连通的牺牲层释放孔
空腔声波谐振器制备方法

[发明专利]一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法-CN202010645103.9有效
发明人：欧欣;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。
一种硅基钽酸锂压电薄膜衬底制备方法

[发明专利]具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187181.6有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。
具有隔离薄膜制备方法谐振器

[外观设计]泡生法单晶晶体生长炉-CN201630239814.0有效
发明人：吕立强 -专利权人：上海朗兆机电设备有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称泡生法单晶晶体生长炉；2．本外观设计产品的用途用于泡生法生长蓝宝石晶体的设备；3．本外观设计产品的设计要点在于本外观设计产品的形状；4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图
泡生法单晶晶体生长

[发明专利]多功能单晶薄膜、其制备方法和谐振器-CN202011443320.6在审
发明人：罗文博;吴传贵;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L41/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能单晶薄膜、其制备方法和谐振器,包括如下制备步骤：选择至少两种不同材质的小尺寸压电单晶晶圆，在各小尺寸压电单晶晶圆的下表面注入高能量离子，在衬底的上表面划分出与各具有损伤层的小尺寸压电单晶晶圆匹配的键合区域，在各键合区域内制备键合层；将各具有损伤层的小尺寸压电单晶晶圆的下表面叠放于一一对应的键合区域内，进行键合处理和单晶劈裂处理，移除上压电层，在大尺寸衬底上拼接不同材质的小尺寸单晶薄膜；本发明提供的多功能单晶薄膜的制备方法，可以在同一衬底上集成不同材质的单晶薄膜，可以为多种膜器件提供多功能性单晶薄膜。
多功能薄膜制备方法谐振器

[发明专利]具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器-CN201910187206.2有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器；步骤：从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；在单晶薄膜层下表面依次制备图形化的下电极、图形化的牺牲层、隔离层和键合层；将衬底与键合层叠放，做晶圆劈裂处理，剥离单晶薄膜层上端的上压电层，在单晶薄膜层的上表面制备上电极；在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到高质量的单晶薄膜体的空腔型体声波谐振器。
具有隔离薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法-CN201811347796.2有效
发明人：欧欣;伊艾伦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H‑SiC单晶薄膜；将所述4H‑SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构。
一种硅基异质集成 sic 外延薄膜结构制备方法

[发明专利]一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法-CN201811042914.9有效
发明人：张学富;王浩敏;吴天如;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
一种低温制备石墨烯单晶晶圆方法

[发明专利]法罗培南钠水合物单晶晶型及其制备方法-CN201410531418.5在审
发明人：史登健;王庆辉;牛明玉;朱圣红;孙凤一 -专利权人：扬子江药业集团江苏海慈生物药业有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C07D499/893 文献下载
摘要：本发明提供了一种法罗培南钠水合物单晶晶型，所述单晶晶型为正交晶系，其晶轴为a=5.4998(3)Å，b=9.2057(4)Å，c=32.4371(12)Å；晶面夹角为α=90°，β=90°,λ=90°。本发明还提供了上述单晶晶型的制备方法，包括如下步骤：在纯化水中加入法罗培南钠，加热至50℃以上，至固体完全溶解，停止加热，缓慢降温并静止放置48h以上，析出固体后，过滤，干燥。本发明的单晶晶型的法罗培南钠水合物具有更加稳定的化学性质。
法罗培南钠水合物单晶晶型及其制备方法

[发明专利]一种单晶石墨烯线圈-CN201410523885.3在审
发明人：段兴 -专利权人：段兴
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：一种单晶石墨烯线圈，该单晶石墨烯线圈以有完整单晶晶体特性的单晶石墨烯线材绕制形成，具有超强导电性、超高拉伸弯折机械性能，其制作方法简洁，与常规制程兼容，形成线圈形貌、尺寸、长度可控，可连续生成，适宜大批量生产
一种晶石线圈

[发明专利]硅单晶长晶方法-CN201911151325.9有效
发明人：陈俊宏;王兴邦;徐文庆;李依晴 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：本发明公开一种硅单晶长晶方法及硅单晶长晶设备，所述硅单晶长晶方法包括：提供炉体、不会相对于炉体转动的支撑座与坩埚、及设置于支撑座外围的加热模块；在坩埚内的硅熔汤液面实施固化以形成晶体后，逐次调降加热模块的加热功率而对坩埚的外周围区域进行适当的温度调节，并有效控制坩埚周围热场的温度梯度，借以得到由所述硅熔汤固化形成的一硅单晶晶锭。
硅单晶长晶方法

[发明专利]一种磁场下无籽晶连续制备单晶的方法及其装置-CN202310003498.6在审
发明人：钟云波;郑天祥;林文浩;周邦飞;冯美龙;蔡浩;陈子阳;陈苏林 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B30/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁场下无籽晶连续制备单晶的方法及其装置，是一种全新的单晶制备方法及装置。在定向凝固过程中，结合熔融玻璃净化剂减少形核质点的特点以及稳恒静磁场在凝固过程中抑制形核以及对导电流体的流动的强烈抑制作用，为晶体的生长提供了稳定的热和溶质环境。本发明利用稳恒静磁场，将纯金属、混合均匀的合金或半导体通过凝固的方式连续制备单晶，实现了在凝固条件下，直接从高温熔体中连续生长单晶的方法，通过调整磁感应强度、温度梯度和抽拉速度可获得具有多尺度凝固组织的单晶晶体，适用于纯金属的提纯，高温合金等合金及半导体单晶制备。本发明工艺简单，可操作性强，无需籽晶体，可连续生产制备单晶产品，具有广阔的应用前景。
一种磁场籽晶连续制备方法及其装置

[发明专利]一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法-CN202010620665.8有效
发明人：张学富;吴天如;王浩敏;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括以下步骤：S1：提供一种铜基织构薄膜衬底，将所述铜基织构薄膜衬底置于化学气相沉积系统中进行退火处理；以及S2：通入气态碳源，在所述铜基织构薄膜衬底表面外延生长石墨烯单晶晶圆根据本发明提供的一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，解决了单晶衬底外延生长单晶石墨烯晶圆带来的高昂成本问题，有利于石墨烯单晶晶圆的规模化应用，对实现石墨烯在微电子领域中的广泛应用有着重要的意义
一种铜基织构薄膜衬底制备石墨烯单晶晶圆方法