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[发明专利]外延生长方法-CN200510131733.X无效
发明人：朴性秀 -专利权人：三星康宁株式会社
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：该方法包括：在单晶晶片上形成单晶层；在单晶层上形成具有纳米尺寸点的掩模层；通过蚀刻掩模层和单晶层的表面形成具有纳米尺寸气孔的多孔缓冲层；退火多孔缓冲层；以及利用外延生长工艺在多孔缓冲层上形成外延材料层。根据本发明，利用刻蚀工艺在单晶晶片上形成了具有多孔缓冲层的外延材料层。由于该多孔缓冲层是利用刻蚀工艺和退火工艺形成的，因此晶片可以由多种材料形成。
外延生长方法

[发明专利]一种高可靠性低功耗时钟振荡器-CN201910846697.7在审
发明人：张伟 -专利权人：华大半导体有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟振荡器，包括：放大器电路；第一电阻，所述第一电路连接在所述放大电路的两端；水晶晶体振荡电路，所述水晶晶体振荡电路与所述第一电阻耦合，并在输出端产生振荡输出；以及漏电流对策电路，漏电流对策电路连接到所述水晶晶体振荡电路的输入端
漏电流对策电路水晶晶体振荡电路输入端放大器电路时钟振荡器产生振荡电路连接电阻耦合放大电路流动路径输出端电阻输出

[实用新型]生长蓝宝石单晶晶棒用生长室-CN201220180066.X有效
发明人：石连升;徐雳 -专利权人：哈尔滨晶石光电技术有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：生长蓝宝石单晶晶棒用生长室。作为一种新型的半导体材料，蓝宝石以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率/高额电子器件最重要的半导体材料。一种生长蓝宝石单晶晶棒用生长室，其组成包括:带有底座体（1）的炉体（2），所述的炉体装有氧化铝空心砖(3)，所述的氧化铝空心砖连接隔热屏，所述的隔热屏连接保温筒焊合（7），钨棒(8)插入所述的隔热屏和所述的氧化铝空心砖内本实用新型用于蓝宝石单晶晶棒生长。
生长蓝宝石单晶晶棒用

[实用新型]拉制轻掺硼单晶晶棒的封闭式热场-CN201420426638.7有效
发明人：沈杨宇;韩建超;徐新华 -专利权人：上海合晶硅材料有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拉制轻掺硼单晶晶棒的封闭式热场，其特征在于，包括筒体；所述筒体具有筒腔；所述筒体上端设置有上盖；所述上盖可打开地设置；所述筒腔内设置有坩埚；围绕坩埚设置有保温装置，保温筒内设置有加热器本实用新型中的拉制轻掺硼单晶晶棒的封闭式热场，能耗可以降低降低32％以上；成晶率可提高5％以上；单晶氧含量可降低。
拉制轻掺硼单晶晶棒封闭式

[发明专利]A1GalnN单晶晶片-CN200510075594.3无效
发明人：藤原伸介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2005-06-06 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：破裂被减轻以及利用率和成本效率得到改善的AlGaInN单晶晶片。一种六方晶的Al_xGa_yIn_1－(x+y) N (0＜x≤1，0≤y＜1，x+y≤1)单晶晶片，其特征在于，该晶片具有厚度T(cm)和具有表面积为
a1galnn 晶片

[发明专利]一种连续生长准单晶晶体的装置-CN201210205227.0有效
发明人：张志强;黄振飞;刘振准 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续生长准单晶晶体的装置，具有用于放置硅溶液的坩埚，坩埚上方设置有链式长晶循环装置，链式长晶循环装置包括动力支撑盘和循环链条，循环链条具有籽晶挂载区、生长区，籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面分离本发明中晶体和坩埚脱离接触，避免传统石英陶瓷坩埚中金属杂质向晶体内杂质扩散引起的少子寿命降低，提高晶体质量。
一种连续生长准单晶晶体装置

[发明专利]一种制备低基平面位错的碳化硅单晶晶锭生长系统及方法-CN202211523985.7有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人：浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长领域，具体涉及一种制备低基平面位错的碳化硅单晶晶锭生长系统及方法，所述生长系统包括坩埚本体以及位于坩埚本体上方的坩埚盖，还包括籽晶支撑结构，其由若干均匀分布于坩埚本体内壁的支撑棒构成；本发明通过将籽晶的布置方式由粘贴固定式改为支撑式，可以减少由于粘结固定造成的籽晶内部应力增加，进而降低晶体内部的位错密度，同时通过设置圆筒式电阻加热器，可以在晶体生长结束后，通过调整功率变化速度，从而控制碳化硅晶体降温速率
一种制备平面碳化硅单晶晶锭生长系统方法

[实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202123076753.5有效
发明人：洪棋典;蔡文必;廖弘基;袁文博 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置；碳化硅晶体生长装置包括坩埚和分隔组件，分隔组件设置于坩埚内，以将坩埚的内腔分为第一腔室和第二腔室；分隔组件包括分隔件和过滤件，分隔件和过滤件两者中的一者设置有装配区域本实用新型的碳化硅晶体生长装置能够有效地减少进入第二腔室的杂质，有利于制备出高质量的碳化硅单晶晶体。
碳化硅晶体生长装置

[实用新型]粗糙晶面人造金刚石单晶-CN200720200491.X有效
发明人：彭明保 -专利权人：彭明保
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： B23P5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石，特别指粗糙晶面人造金刚石单晶。所述的金刚石单晶晶面制成磨砂玻璃形貌的粗糙磨砂面，用于以金属结合剂来制造钻进或锯切类工具；所述的金刚石单晶晶面制成凹凸面，凹凸面的形状为花岗石断口，或像谷底相连的群山，或者是密布的盲孔，用于制造锯切类或钻进类工具，也适合以金属结合剂或陶瓷结合剂或树脂结合剂制造磨削类工具；所述的金刚石单晶晶面制成毛刺面，毛刺面的形状为表面密布有大小不一的锥尖形刺峰，用于树脂结合剂或者陶瓷结合剂或者金属结合剂来制造磨削类工具，或者锯切类工具
粗糙人造金刚石

[发明专利]一种电辅助的氮化物晶体生长装置及方法-CN201610966496.7有效
发明人：李成明;王琦;胡耀华;巫永鹏;陈蛟;张耿;郑小平;卢洪;李顺峰;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
一种辅助氮化物晶体生长装置方法

[发明专利]镍基单晶高温合金精密铸造过程的再结晶倾向性评价方法-CN201711019309.5有效
发明人：孟杰;黄举;王亮;荀淑玲;邹明科;李金国;金涛;孙晓峰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G01B21/28 文献下载
摘要：本发明涉及高温合金领域，具体为一种镍基单晶高温合金精密铸造过程的再结晶倾向性评价方法。先用型芯模具制备氧化硅基型芯，再在外坯模具中压蜡模，组合成单晶模组后制壳，然后在定向凝固炉中拉制单晶样品，接着脱去模壳和型芯，再进行热处理后，统计表面再结晶晶粒的面积。利用再结晶晶粒面积定量评价合金的再结晶倾向性。再结晶面积越大，合金再结晶倾向性越强。在采用同一铸造体系的条件下，定量表征不同单晶高温合金的再结晶倾向性。本发明解决单晶高温合金再结晶倾向性评价难的问题，实现对已有的单晶高温合金进行再结晶倾向性评价，为合金选材提供依据。也可以对新研制的单晶高温合金进行再结晶倾向性评价，达到优化合金成分的目的。
镍基单晶高温合金精密铸造过程再结晶倾向性评价方法

[发明专利]一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法-CN202111673616.1有效
发明人：金雷;武红磊;覃佐燕;李文良 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体为一种采用气相传输制备氮化铝晶体的方法，包括以下步骤：首先将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周，使其围成一晶体生长腔，将氮化铝籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；将已装配好氮化铝原料和氮化铝籽晶的坩埚放入加热炉中，切换加热炉中的生长气氛为纯氮气氛围，升温至坩埚内达到预设温度，并调节至所述籽晶周围形成由所述原料至所述籽晶方向温度由高到低的小温梯，进行氮化铝单晶晶体生长，并保温一段时间，降温至室温，打开坩埚，得到所述的氮化铝晶体使用本发明原料进行氮化铝晶体生长，可抑制晶体中碳占氮位和氮空位点缺陷的产生，获得的氮化铝晶体在深紫外波段具有很高的透过率。
一种采用相传制备氮化晶体方法

[发明专利]一种三孪晶硅及其制备方法-CN201310144811.4无效
发明人：张学锋;梁斌;刘健;石晓军;李明阳;邱英;金勇 -专利权人：宁夏东方钽业股份有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：其特点是：是由三个底面均为扇形的第一单晶硅柱体、第二单晶硅柱体和第三单晶硅柱体通过各自的侧面以孪晶晶界两两结合组成的圆柱体。本发明的三孪晶硅就是利用孪晶结构将晶面束缚在孪晶晶界上。
一种三孪晶硅及其制备方法

[发明专利]一种对InSb进行割圆倒角的装置-CN201510977772.5有效
发明人：赵超;陈元瑞;程鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种对InSb进行割圆倒角的装置，本发明主要用于非规则形状的InSb晶圆的制备工艺中，解决InSb单晶晶锭利用率低的问题。通过采用新型的割圆倒角工艺，可以使InSb单晶晶锭在切割成晶片以后再进行割圆，并在同一台设备上通过一次操作同时完成割圆和倒角工艺。因而极大的提高了材料的利用率，并提高了晶圆的加工效率。
一种 insb 进行倒角装置

[发明专利]增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法-CN201310236892.0无效
发明人：张燕辉;于广辉;陈志蓥;王彬;张浩然 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法，包括：将衬底置入独立腔室中，加热使衬底温度达到500-1600℃；然后在惰性气体保护下通入含碳气体，在0.1-760torr下反应，反应结束后降至室温本发明简单易操作，本发明的方法可以使相同衬底上制备的多晶石墨烯单晶晶畴尺寸增大数倍甚至10倍以上，重复性高并且不影响其他生长参数对石墨烯生长的控制。
增大化学沉积石墨烯单晶晶畴尺寸方法