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[发明专利]一种声学谐振器的拟合方法、拟合装置以及计算机设备-CN202310294020.3在审
发明人：帅垚;陈抒建;吴传贵;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本申请提供一种声学谐振器的拟合方法、拟合装置以及计算机设备，用于解决现有技术中的声学谐振器拟合方法难以考虑到谐振器杂散谐振对应的谐振模态的技术问题。其中的一种声学谐振器的拟合方法，包括：获取所述声学谐振器的实际频域阻抗参数；基于所述实际频域阻抗值，确定出对应主谐振的第一实际频域阻抗值和对应杂散谐振的第二实际频域阻抗值；对所述第一实际频域阻抗值进行拟合，得到第一拟合频域阻抗值；基于所述第一拟合频域阻抗值，对所述第二实际频域阻抗值进行拟合，得到第二拟合频域阻抗值；基于所述第一拟合频域阻抗值和所述第二拟合频域阻抗值得到所述声学谐振器的拟合频域阻抗值。
一种声学谐振器拟合方法装置以及计算机设备

[发明专利]一种具有平顶型输出响应的三阶微环谐振滤波器-CN202310290780.7在审
发明人：刘文;吴传贵;罗文博;帅垚;潘忻强 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有平顶型输出响应的三阶微环谐振滤波器，属于半导体技术领域。该滤波器包括底层的硅基衬底、中间层的二氧化硅以及顶层的单晶铌酸锂薄膜。在单晶铌酸锂薄膜表面的两端分别刻蚀相互平行的输入直波导和输出直波导；且在输入直波导和输出直波导之间刻蚀有跑道环形微环谐振腔。靠近输入直波导的微环谐振腔与输入直波导之间形成第一耦合区域，靠近输出直波导的微环谐振腔与输出直波导之间形成第二耦合区域，相邻的微环谐振腔之间形成第三耦合区域。本发明通过设置跑道型的微环谐振腔延长了耦合区域，能够提高耦合效率，降低滤波器器件自身产生的损耗。
一种具有平顶输出响应三阶微环谐振滤波器

[发明专利]基于空耦超声的CFRP板小尺寸缺陷测量方法、装置及系统-CN202211479059.4有效
发明人：范鑫;于波;单奕萌;宣善勇;吴传贵;刘亚星 -专利权人：国营芜湖机械厂
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于空耦超声的CFRP板小尺寸缺陷测量方法、装置及系统，涉及超声检测技术领域，解决的技术问题为“如何提供一种能够准确表征小尺寸缺陷且可以任意设置成像分辨率的CFRP板小尺寸缺陷测量方法”，方法包括：基于第一空气耦合超声换能器对和第二空气耦合超声换能器对，采集待检测CFRP板的步进扫描信号；根据步进扫描信号得到扫描路径，并基于扫描路径建立成像区域；提取各个扫描路径对应的超声波信号的相对非线性系数；根据所述相对非线性系数，计算所述成像区域中任意成像点的缺陷分布概率；基于所述缺陷分布概率，得到缺陷测量结果；该方法采用非线性缺陷指标和自适应加权成像算法，对CFRP板小尺寸缺陷进行测量，检测小尺寸缺陷的能力更强。
基于超声 cfrp 尺寸缺陷测量方法装置系统

[发明专利]一种刻蚀通孔引出薄膜器件下电极的方法-CN202310273677.1在审
发明人： 吴传贵;徐家琦;潘忻强;谢琴;帅垚;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种刻蚀通孔引出薄膜器件下电极的方法。本发明通过在薄膜器件下电极使用高选择比的金属材料形成保护层来保护薄膜器件下电极，防止刻蚀通孔时对下电极造成损伤；由于保护层区域和材料的设计，在刻蚀时可以使得通孔的形状更加精确，且能够更好的控制刻蚀速率和刻蚀深度。本发明极大的降低刻蚀对薄膜器件下电极的损伤，大幅提高了刻蚀通孔的完整性与稳定性，极大地降低了工艺系统误差对加工精度的影响，提高了容错率，可广泛的应用在薄膜器件制造领域，特别是要求高精度通孔的薄膜器件的制造领域。
一种刻蚀引出薄膜器件电极方法

[发明专利]一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法-CN202210324288.2有效
发明人： 吴传贵;李云飞;罗文博;孟雪飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于集成光子学领域，具体涉及一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法。本发明通过对BCB进行稀释，搭配相应的旋涂工艺实现BCB键合层的厚度控制，以满足硅基光电子器件对引入的键合层厚度要求，在保证硅和铌酸锂键合强度的基础上，得到了厚度在200nm以下的BCB键合层。并针对键合过程中，出现稀释后BCB旋涂和预键合效果差的问题，采用两次等离子体活化技术对欲键合界面进行处理，以改善了旋涂和预键合效果。对于250℃退火固化温度下，由于热失配导致的铌酸锂裂片现象，通过将退火最高温度控制在200℃，同时延长保温时间，使裂片问题得以解决。本发明的键合技术为制备低成本、高质量的电光调制器等光学器件提供了工艺支撑。
一种光电子器件铌酸锂异质键合方法

[发明专利]一种数字孪生复杂装备解构模型系统及其解构方法-CN202111004576.1有效
发明人： 吴传贵;阚艳;徐贵力;郑永龙;唐起源;胡伟;张小辉;王啸 -专利权人：国营芜湖机械厂
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及数字孪生技术领域，具体为一种数字孪生复杂装备解构模型系统及其解构方法，该解构模型系统包括与物理实体连接的部件级结构数字化模块、与部件级结构数字化模块连接的故障维修信息收集模块、与故障维修信息收集模块连接的失效机理影响分析模块、与失效机理影响分析模块连接的构件解构繁简确定模块、与构件解构繁简确定模块对应连接的繁式一一映射模块、简式接口映射模块、与数字孪生体连接的映射综合叠加组合模块。本发明达到了较好地运用维修信息及故障机理与数字孪生技术的有效性和科学性，提高了维修阶段复杂装备数字孪生体构建的高效性、准确性和实用性。
一种数字孪生复杂装备解构模型系统及其方法

[发明专利]一种多模式语音识别送话装置及其控制方法-CN202010984329.1有效
发明人： 吴传贵;阚艳;徐贵力;周勇军;李珊珊;胡伟;韩梁;张小辉 -专利权人：国营芜湖机械厂
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G10L15/01 文献下载
摘要：本发明涉及多模式语音识别及送话领域，具体是一种多模式语音识别送话装置及其控制方法，包括电源模块，还包括：FPGA中央处理模块、2DSP运算处理模块、音视频输入输出模块、人机通信控制模块、软件程序模块，其具体控制方法步骤如下：步骤8.1：初始化及自检测；步骤8.2；判断装置是否正常；步骤8.3；判断装置是否更新；步骤8.4；判断是否为自动设置方式；步骤8.5；环境步骤噪音及光亮；步骤8.6；设置工作模式；步骤8.7；判断是否为模式“X”步骤X值取1至5；步骤8.8；执行送话语音模式；步骤8.9；语音信息输出；步骤8.10；判断是否中断；步骤8.11；判断是否退出；步骤8.12：退出；本发明实现多模式语音识别的送话，提高了语音送话的实时性、准确性。
一种模式语音识别装置及其控制方法

[发明专利]一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法-CN202310127702.5在审
发明人： 吴传贵;刘雨婷;潘忻强;罗文博;帅垚;谢琴 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明属于电子信息技术领域，具体涉及一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法。本发明通过依次采用电导分类法和逐次逼近法对大规模忆阻交叉阵列的各目标忆阻单元的电阻状态进行设置；其中电导分类法通过先设置小电导后设置大电导可以减小对周围忆阻单元的影响；逐次逼近法通过施加至少两轮电压幅值依次减小的写脉冲信号，可将忆阻单元较为准确地设置于目标阻值附近，同时在设置过程中充分利用SET方向的良好线性度，避免了RESET过程存在突变时带来的不利影响。本发明以逐次逼近的方式更精确地设置到目标阻态Rtarget，并减小了阻态设置过程中对其他忆阻单元的影响；尤其适用于在基于忆阻交叉阵列的神经网络运算。
一种交叉阵列器件电阻状态设置方法

[发明专利]一种基于双波段热释电器件的温度识别分类方法-CN202111548498.1有效
发明人：罗文博;宋泽乾;赵泽彬;张开盛;李锐;帅垚;吴传贵;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F18/2431 文献下载
摘要：本发明涉及热释电检测的温度识别分类领域，具体为一种基于双波段热释电器件的温度识别分类方法。本发明根据双波段热释电器件输出的双波段特性，利用目标黑体不同温度可映射不同双波段比值的特点，将双波段比值作为该信号的主要特征，再额外加上时域和频域的一部分特征作为该信号的特征集，从而对信号的主要特征提取完毕；并与机器学习相结合，进而达到良好的温度识别分类效果。本发明易于实现且能达到良好的分类效果，有效解决了现有的温度识别分类方法受限于各自类别使得普适性较低的问题，且可以应用于其他领域，为其他领域的发展提供新的思路。
一种基于波段热释电器件温度识别分类方法

[发明专利]一种单晶薄膜的剥离方法、单晶薄膜以及电子元器件-CN202210266884.X有效
发明人：帅垚;贺天才;吴传贵;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶薄膜的剥离方法、单晶薄膜以及电子元器件，用于解决现有技术中剥离时裂片的技术问题。其中的一种单晶薄膜剥离方法，包括：获取支撑衬底；获取离子注入后的薄膜晶圆，所述离子注入后的薄膜晶圆包括薄膜层、离子注入层以及余质层；对所述支撑衬底和所述离子注入后的薄膜晶圆进行处理，得到经处理的键合体；其中，所述经处理的键合体具有磁致伸缩特性；对所述经处理的键合体进行热处理，得到经热处理的键合体；其中，所述热处理的温度低于所述离子注入层完全气化并使所述离子注入后的薄膜晶圆剥离的临界温度；对所述经热处理的键合体施加磁场，使得所述经热处理的键合体产生应力，以使所述余质层从所述薄膜层剥离。
一种薄膜剥离方法以及电子元器件

[发明专利]一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件-CN202211288678.5在审
发明人：潘忻强;谢琴;罗文博;帅垚;吴传贵;张万里;杨旭东;刘雨婷;王杰军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明属于电子器件领域，具体涉及一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件。本发明基于缺陷分布对阻变方向进行调控，发明了一种新的无源忆阻交叉阵列器件，通过对忆阻交叉阵列中相邻两行忆阻单元输入相反极性的读电压直接进行权重差分。本发明大幅降低了外围电路的复杂度，不再需要依赖减法电路进行权重差分；同时，也不再依赖三极管进行多阻态设置，通过不同的外部电压脉冲刺激，可分别在相反的读电压下读取多个稳定且可区分的电阻状态，进一步降低了外围电路的复杂度，这使得整个系统的能耗将进一步降低。本发明大幅降低了整个神经网络计算过程的能耗，可直接用于后续基于忆阻器的神经网络计算中。
一种直接实现权重无源交叉阵列器件

[发明专利]一种功率半导体器件、逆变器模组以及电子设备-CN202211404413.7在审
发明人： 吴传贵;朱代磊;帅垚;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本申请涉及提供一种功率半导体器件、逆变器模组以及电子设备，用于解决现有技术中功率半导体器件制备成本高、导通电阻大的技术问题。该器件结构包括：衬底；下电极，设置在所述衬底上；半导体单晶种子层，设置在所述下电极层上；半导体外延层，设置在所述半导体单晶种子层上；功率器件主体功能层，设置在所述半导体外延层上；电极引出部，与所述下电极连接，以引出所述下电极。
一种功率半导体器件逆变器模组以及电子设备

[发明专利]一种二值忆阻器的神经网络芯片-CN201811552899.2有效
发明人：帅垚;乔石珺;彭赟;吴传贵;罗文博;王韬;张万里;梁翔;潘忻强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
一种二值忆阻器神经网络芯片

[发明专利]一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的制备方法-CN202010765348.5有效
发明人：罗文博;李茂荣;张开盛;帅垚;吴传贵;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于红外传感器的研究领域，涉及一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的制备方法。本发明选用NiCr合金作为上电极和吸收层时的同时，利用“单晶热释电薄膜与NiCr合金膜的刻蚀速率差异”将其作为刻蚀掩膜实现多元红外传感器件的制备。本方法仅需一次光刻即可完成多元器件的微细加工，减少单晶薄膜多元器件光刻次数，避免了多次光刻中光刻胶均匀性、对准精度控制等难题；单晶薄膜刻蚀完成后剩余的NiCr合金膜用作上电极和吸收层，无需去除；并且通过干法刻蚀使NiCr合金膜产生粗化效应，减少其对红外光的反射作用，提高NiCr合金膜对红外辐射的吸收，进而提高器件性能。
一种单晶热释电薄膜多元红外传感器制备方法

[发明专利]一种易于实现电光波速匹配的薄膜电光调制器及制备方法-CN202110330085.X有效
发明人：帅垚;杨小妮;乔石珺;吴传贵;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明属于集成光学器件领域，具体为一种易于实现电光波速匹配的薄膜电光调制器及制备方法。通过在埋层上设有空腔，使得原本在无空腔的条件下，集中在埋层微波信号在引入空腔以后，大部分进入到空腔结构中传输，从而大大减小了微波有效折射率；使其易于实现电光波速匹配。即使在高于20GHz带宽时，依然能够实现良好的电光波速匹配，使其保持最佳调制效率。与现有技术相比，通信速率更快，且不会增加电极与光波导之间的距离，因此不会影响电光重叠积分，也不会导致半波电压的增加。
一种易于实现电光波速匹配薄膜调制器制备方法

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