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[发明专利]外延生长方法-CN200510131615.9无效
发明人：朴性秀 -专利权人：三星康宁株式会社
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：该方法包括：在单晶晶片上形成具有纳米尺寸的点的掩模层；通过蚀刻该掩模层和该晶片的表面在该单晶晶片的表面上形成具有纳米尺寸的孔的多孔层；利用外延生长工艺在该多孔层上形成外延材料层；以及退火该外延材料层。
外延生长方法

[发明专利]确定单晶晶片的表面取向的方法-CN201380059964.7有效
发明人：金昌洙;宾锡闵 -专利权人：韩国标准科学研究院
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种确定单晶晶片的表面取向的方法。使用高分辨率X射线摇摆曲线测量来确定单晶晶片的表面取向的方法可以使用高分辨率X射线衍射方法的摇摆曲线测量并且测量由测量设备的旋转轴和晶片的表面法线形成的失准角以及所述失准角的取向来确定晶片的表面角和所述表面角的方向
确定晶片表面取向方法

[实用新型]一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置-CN202021500700.4有效
发明人：刘新辉;杨昆;张福生;路亚娟;牛晓龙;尚远航 -专利权人：河北同光科技发展有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括：坩埚、保温层、外加热器和上加热器，其中，所述坩埚位于保温层内；所述外加热器位于所述保温层外侧；所述上加热器位于所述坩埚顶盖的上部，配合所述外加热器反复反转SiC籽晶生长热场的轴向温度梯度，使SiC籽晶晶体表面每经历一段时间的微升华和微再结晶的近平衡状态后，再继续生长，周而复始，直到完成生长。使用本实用新型装置生长出来的晶体，微管、位错等缺陷密度得到了有效降低，晶体质量大大提高。
一种缺陷密度 sic 制备装置

[发明专利]低电阻率重掺砷硅单晶生产方法-CN202110882455.0有效
发明人：周文辉;王忠保;闫龙 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。方法包括化料、高温处理、一次安定、一次籽晶试温、降温、砷掺杂、二次安定、二次籽晶试温、引晶、放肩、等径、收尾步骤，其中，降温过程中，使硅熔液液面温度相比引晶温度降低20℃～50℃，砷掺杂过程中，设定单晶炉炉压为实践表明，采用该方法能够有效降低得到的低电阻率重掺砷硅单晶晶棒的电阻率，砷掺杂剂的用量相比气相掺杂过程降低约7.4%，降低重掺砷硅单晶晶棒发生晶变的概率。
电阻率重掺砷硅单晶生产方法

[发明专利]金刚石或铱材料单晶层的制造方法和外延生长金刚石或铱材料单晶层的衬底-CN201980021528.8在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：一种用于生产金刚石或铱材料的单晶层的方法，其包括将SrTiO3材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述金刚石或铱材料的单晶层。
金刚石材料单晶层制造方法外延生长衬底

[发明专利]一种无铱区熔法氧化镓晶体的生长装置及生长方法-CN202210607364.0有效
发明人：张辉;王嘉斌;夏宁;马可可;李成;吴丹;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铱区熔法氧化镓晶体的生长装置及生长方法。本发明中提及的无铱区熔法属于熔体法生长单晶的方法，不使用贵金属作为发热源，通过外部的发热体发热，热量通过高透过率、高导热性能材料做成的气氛隔离装置，将固体氧化镓多晶料棒或者陶瓷棒加热融化，然后将籽晶与熔体接触，通过对温度、升降、转速等工艺条件进行控制，使熔融区逐步的上移，进而使远离热场的熔体区按照籽晶晶向进行定向结晶，最终获得大尺寸、高质量、确定晶向的氧化镓单晶。
一种无铱区熔法氧化晶体生长装置方法

[发明专利]一种微波水热制备氟硼酸铅单晶的方法-CN201510042593.2有效
发明人：李弘毅;潘世烈;张芳袁;鹿晓泉 -专利权人：新疆维吾尔自治区产品质量监督检验研究院
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波水热制备氟硼酸铅单晶的方法，该方法采用微波水热法，利用微波迅速高效的加热方式，能够在液相中一次性完成的微波水热法生长氟硼酸铅非线性光学晶体的制备方法。通过本发明方法获得的氟硼酸铅单晶具有优异的非线性光学性能，粉末倍频效应达到KDP（KH2PO4）的4倍，紫外区截止边在195nm左右。此外，微波水热制备的氟硼酸铅单晶晶形完整，尺寸均匀，易于切割、抛光加工和保存，在作为制备倍频发生器、上或下倍频转换器和光参量放大器等非线性光学器件中都能得到广泛应用。
一种微波制备硼酸铅单晶方法

[发明专利]一种准单晶铸锭加热热场结构-CN201710542350.4在审
发明人：郭宽新;宋江;边志坚;张斌;李红波 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司;泗阳瑞泰光伏材料有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种准单晶铸锭加热热场结构，包括炉体，炉体内设置有隔热笼，隔热笼内部设置有坩埚，坩埚的顶部和底部分别设置有顶部加热器和底部加热器，顶部加热器连接有顶部加热电源，底部加热器连接有底部加热电源，坩埚的侧部设置有侧部加热器，侧部加热器为分段式结构，每一段加热器分别连接有分段加热电源，多个分段加热电源为单独控制；该准单晶铸锭加热热场结构，能够实现热场温度梯度分布，变化更均匀、平缓，以明显降低晶体内部的应力，抑制缺陷的产生和繁殖；同时构造微凸的长晶界面，以促进单晶晶粒的优势生长，增大单晶面积。
热场结构电源准单晶铸锭坩埚加热侧部加热器底部加热器顶部加热器单独控制底部加热分段加热加热电源隔热笼温度梯度分布加热器分段式结构侧部设置单晶晶粒内部设置优势生长单晶炉体热场微凸繁殖体内

[发明专利]一种单晶炉及用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺-CN202010330003.7在审
发明人：吴树飞;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉，包括炉盖和主炉室，还具有若干用于监测所述主炉室石英坩埚中熔硅液面上设定区域内的温度监控装置，所述监控装置置于所述炉盖内侧且被置于所述主炉室导流筒的斜上方；所述监控装置均朝所述设定区域方向倾斜设置本发明还提出一种用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺。本发明通过设置用于熔硅液面尤其是靠近中心位置处的温度，实现熔硅液面温度监控自动调整，以保证稳温拉制工序中固液界面温度的横定，为后续成功引晶奠定基础，监控区域设置合理，监控温度精准且易于控制，实现熔硅液面温度的自动调节,从而保证单晶晶体生长温度梯度的一致性
一种单晶炉进行直拉单晶稳温工艺

[发明专利]一种单晶硅铸锭用坩埚和单晶硅铸锭方法-CN201910168212.3在审
发明人：罗鸿志;何亮;周成 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅铸锭用坩埚，包括坩埚本体和引晶层，坩埚本体包括底座和由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁围成一收容空间，引晶层设置在底座朝向收容空间的一侧，引晶层包括位于底座中部的第一单晶区，以及依次环绕设置在第一单晶区外的第一多晶区、第二单晶区和第二多晶区，第二多晶区外围与侧壁贴合；通过在第一多晶区和第二多晶区之间增设第二单晶区，使得在铸锭过程中第一多晶区的多晶晶粒微凸生长并侵入第二单晶区，生成向外生长的孪晶，阻挡第二多晶区中靠近坩埚侧壁的多晶晶粒的倾斜生长入侵第二单晶区，达到主动阻挡的效果，有效提高单晶硅锭的品质。本发明还提供了一种单晶硅铸锭方法。
多晶单晶区单晶硅铸锭底座引晶多晶晶粒收容空间坩埚本体侧壁坩埚生长阻挡侧壁贴合单晶硅锭底座中部环绕设置向上延伸铸锭过程坩埚侧壁孪晶微凸侵入入侵外围增设

[发明专利]一种制备氮化铝单晶的方法-CN201810269475.9在审
发明人：吴亮;贺广东;王智昊;王琦琨;龚加玮;雷丹;黄嘉丽;黄毅 -专利权人：苏州奥趋光电技术有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备氮化铝单晶的方法，在氮化铝烧结体表面长晶来制备籽晶，保持T2＞T1，使生长速率较快，得到的籽晶晶粒尺寸更大；将杂质沉积到沉积区，使杂质含量较少；通过对晶粒的选取，使晶向可控，能够选出特定晶向的晶粒；倒置并固定氮化铝烧结体，保留晶粒进行同质续长，免除了常规物理气相传输法中籽晶粘接这一困难工序；通过在升温阶段控制长晶区温度大于原料区温度，并短时保温，进一步清除掉籽晶表面污染及损伤层；在晶体生长阶段保持低压及特定温差，保证了较大传质速率及晶体生长速率；在降温阶段再次控制长晶区温度大于原料区温度，有效的抑制了后期的二次形核，提高了晶体质量，能够有效的制备出大尺寸、高质量的氮化铝单晶。
氮化铝单晶晶粒制备氮化铝烧结体原料区晶向晶体生长阶段常规物理降温阶段晶体生长气相传输升温阶段杂质沉积制备籽晶籽晶表面倒置沉积区损伤层传质次形可控同质粘接籽晶温差保温生长保留污染保证

[发明专利]提高稳定性的前驱体溶液及FA基钙钛矿单晶的制备方法-CN202310413635.3在审
发明人：赵一英;蒋伟;任吉威;李海宾;刘丹 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了提高稳定性的前驱体溶液及FA基钙钛矿单晶的制备方法，涉及钙钛矿单晶制备技术领域，包括S1、准备原材料，原料中包括鹅去氧胆酸；S2、第一溶液的制备；S3、第二溶液的制备；S4、第三溶液的制备；S5、前驱体溶液的制备；S6、FA基钙钛矿单晶的制备。本发明的鹅去氧胆酸结构中的羧基官能团，能够抑制FA离子在FA基钙钛矿前驱体溶液中发生脱质子分解；减缓FA钙钛矿单晶的结晶和提高FA基钙钛矿单晶晶体质量；FA基钙钛矿单晶中残留的鹅去氧胆酸，能够提高FA基钙钛矿单晶的热分解温度
提高稳定性前驱溶液 fa 基钙钛矿单晶制备方法

[发明专利]单晶晶面偏角及偏向测算方法-CN201310637248.4有效
发明人：石广丰;史国权;胡明亮 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：单晶晶面偏角及偏向测算方法属于单晶材料定向检测及加工技术领域。现有技术需要反复对晶体做偏角定向。本发明采用X射线晶体定向仪测量待测晶面上位于同一平面上的任意三点衍射角，标注所测三点的位置；连接所测三点成三角形，量出所述三角形边长并计算内角；建立空间直角坐标系；基于所述空间直角坐标系列出已知量与未知量方程组求解所述三点及其投影点坐标，计算得到待测晶面法向向量与理想晶面的法向向量；根据晶系晶面夹角公式计算出待测晶面相对于理想晶面的偏角，再根据空间两方向向量夹角公式计算出待测晶面相对于理想晶面的偏向；根据所获得的偏角、偏向，调整晶体切割方向，一次切割加工出与晶体定向相符的晶面。
单晶晶面偏角偏向测算方法

[实用新型]一种硅单晶切割籽晶专用夹具-CN200920103290.7有效
发明人：赵士锋;冯志军;蔡中锁 -专利权人：宁晋赛美港龙电子材料有限公司
申请日： 2009-06-16 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种硅单晶切割籽晶专用夹具，用于解决籽晶切割方位问题。本实用新型可在x射线定向仪测定硅单晶晶向的同时，根据晶向误差对硅单晶进行调整并确定其切割角度，从而保证切割籽晶的质量。采用该夹具切割籽晶不仅无需剔除晶向偏角较大的硅单晶原料，而且可将籽晶晶向误差严格控制在正负30秒以内。
一种硅单晶切割籽晶专用夹具

[发明专利]低性复合晶氧化剂-CN200610032544.1无效
发明人：张龙替 -专利权人：张龙替
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： C06B31/02 文献下载
摘要：一种用于制作烟花鞭炮火药的低性复合晶氧化剂，采用如下原料和工艺制得：(1)反应釜中注入一定重量比的清水、硝酸与碳酸钡，经复合反应，生成硝酸钡溶液；(2)硝酸钡溶液中加入一定重量比的高氯酸钾进行吸热反应，冷却至室温，得复合晶晶体；(3)将所得复合晶晶体甩干；(4)将甩干的复合晶晶体烘干；(5)将烘干的复合晶晶体与一定重量比的轻质碳酸钙混合；(6)将所得混合物风选粉碎过筛即得。
复合氧化剂