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[实用新型]一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器-CN201620520679.1有效
发明人：陈培杕;黄旼;宋伟 -专利权人：中电科技德清华莹电子有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本实用新型提出一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器，包括具有地室的高阻衬底、由上金属电极和下金属电极夹持压电体组成的三明治有源结构，三明治有源结构设置于高阻衬底上端；所述压电体为超薄压电单晶体，超薄压电单晶体所用的压电单晶体，为所有可实用化的压电单晶体，如石英、钽酸锂、铌酸锂、四硼酸锂、锗酸铋、硅酸铋、硅酸镓镧系列、正磷酸铝和铌酸钾。本实用新型的优点有：超薄压电单晶体，晶体完整性未被破坏，为完美单晶；可以自由选择晶体及其晶向，优化器件性能；超薄压电单晶体生产技术前景明朗。
一种采用超薄压电单晶体制作薄膜声波谐振器

[发明专利]一种制备形态可控的活性面暴露TiO₂纳米单晶的方法-CN201210157846.7无效
发明人：王兰;王传义 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备形态可控的活性面暴露TiO2纳米单晶的方法，该方法采用经过酸处理的天然粘土矿物(蛭石)片层为控制剂，在有机碱的协同作用下，可控合成了活性面暴露的TiO2纳米单晶。该方法简单，并绿色环保，原材料选择广泛，制备成本低廉，得到的TiO2纳米单晶晶粒尺寸和所暴露活性面的比例均可控，使得TiO2纳米材料在太阳能电池、光电器件、传感器、光催化以及表面技术等领域具有更加广泛的应用
一种制备形态可控活性暴露 tio sub 纳米方法

[发明专利]一种单晶拼棒对晶线工装装置及单晶开方方法-CN201910725050.9在审
发明人：陈建;周炎 -专利权人：江苏高照新能源发展有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶开方技术领域，具体涉及一种单晶拼棒对晶线工装装置及单晶开方方法。所述单晶拼棒对晶线工装装置包括底座和多个调整装置；所述调整装置通过滑槽或导轨和底座可移动连接；其中，所述调整装置包括单晶棒中心点定位部件、第一滑块和第二滑块，所述第一滑块的下方和底座可活动连接；所述第二滑块的下方和第一滑块的上方可活动连接；所述单晶棒中心点定位部件位于第二滑块的左右两侧或单侧中心点位置。本发明将单晶短棒拼连粘接成单晶长棒，再进行开方；通过该工装装置，可以准确找出两根单晶棒的晶向线、中心点位置，本发明将两根单晶棒连接并粘接，避免单晶晶线被切除的问题。
单晶单晶棒第二滑块第一滑块调整装置工装装置开方底座中心点位置定位部件中心点粘接可活动连接可移动连接活动连接左右两侧长棒导轨短棒滑槽晶向切除

[发明专利]通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法-CN201510940322.9有效
发明人： G·拉明;L·阿尔特曼绍夫尔;G·拉特尼科斯;M·默勒;F·幕莫勒 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过
单晶体单晶体生长感应加热间隔性地静止状态反转生长停留

[发明专利]一种大尺寸、高性能六硼化镧单晶的制备方法-CN201711338440.8有效
发明人：张久兴;杨新宇;王衍;赵晶晶;李志 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸、高性能六硼化镧单晶的制备方法，其是结合放电等离子烧结技术与光学区域熔炼技术，首先以较快的生长速率制得区熔多晶体，再以单晶为籽晶，以较慢的生长速率逐步制得直径均匀且尺寸≥10mm的六硼化镧单晶体本发明制备的六硼化镧单晶体的直径大于现有所有文献的报道，且单晶体的质量高、性能好，为单晶体的进一步工程化应用奠定了基础。
一种尺寸性能六硼化镧单晶制备方法

[发明专利]一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法-CN201910075768.8有效
发明人：吕洋洋;陈思思;林大钧;陈延彬;姚淑华;周健;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
一种氧化物热电材料 bicuseo 单晶体及其制备方法

[发明专利]降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法及装置-CN202210246654.7在审
发明人：尚保卫;刘旭阳;刘帆;尹杏;宋育兵;赵雄;万烨;严大洲 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法及装置，包括以下步骤：为制备硅芯棒晶体的单晶炉设备通冷却水，使所述单晶炉设备的温度控制在预设范围；在所述单晶炉设备的导流筒上部设置固化毡、热屏装置；启动所述单晶炉设备，进入晶体生长阶段；当所述晶体生长阶段完成后，将制备得到的硅芯棒晶体脱离液面至预设高度，同时降低所述单晶炉设备的功率，在所述硅芯棒晶体冷却预设时间后，功率关闭；的所述硅芯棒晶体需在预设时间内静置、出炉。利用上述降低拉直硅芯棒晶体隐裂的方法和用于执行上述方法的装置，有效降低硅芯棒晶体在拉直过程中隐裂、裂纹等缺陷，并且在硅芯棒晶体的预制过程中不仅限于单晶，从而降低制备硅芯棒晶体的难度。
降低拉直硅芯棒晶体方法装置

[发明专利]具有垂直超薄体晶体管的开放位线动态随机存储器-CN02807549.8无效
发明人： L·福布斯;K·Y·阿恩 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2002-02-06 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：支柱(840)包括单晶体第一接触层(812)和被氧化层(814)隔开的单晶体第二接触层(816)。在各个存储单元中沿着支柱(840)的侧面形成单晶体垂直晶体管。单晶体垂直晶体管包括连接到第一接触层(812)的超薄单晶体垂直第一源极/漏极(851)区和连接到第二接触层(816)的超薄单晶体垂直第二源极/漏极(852)区，与氧化层(814)相对并且连接第一和第二源极/漏极区的超薄单晶体垂直体区(853)，以及与垂直体区相对并且被栅极氧化物(825)与其隔开的栅极(842)。用单晶体半导体材料形成并被设置在阵列存储单元的支柱(840)下面的多个埋藏位线(802)，用来互连存储单元阵列中列相邻支柱的第一接触层(812)。还包括多个字线(842)。各个字线(842)与多个埋藏位线(802)垂直地设置在支柱行之间的沟槽内，用于对邻接沟槽的单晶体垂直晶体管的栅极(842)寻址。
具有垂直超薄晶体管开放动态随机存储器

[发明专利]一种石墨原料铺压及石墨单晶体提取一体装置-CN201610776032.X有效
发明人：沈宇栋;蔡峰烽;张晓 -专利权人：无锡东恒新能源科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C01B32/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨原料铺压及石墨单晶体提取一体装置，包括石墨片材制造装置和石墨单晶体制备装置，制造特殊的薄型石墨片，再利用薄型石墨片分离出单晶体。与现有技术相比，本发明的将桨叶上石墨粉尘出口和粘合剂出口释放的石墨粉溶液平铺按压，形成薄型石墨片材，而薄型石墨片材放置隔层上加热，配合振动装置将片材上分离出的单晶体剥落，薄型的石墨片材在高温加热后，单晶体层更容易分离，提取石墨单晶体效率更高，耗能更少。
单晶体石墨片薄型石墨石墨原料一体装置按压粘合剂出口高温加热石墨粉尘振动装置制备装置制造装置石墨粉再利用剥落隔层耗能桨叶片材平铺加热释放出口配合制造

[发明专利]增强铈搀杂正硅酸钇镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体-CN200580006294.8有效
发明人： B·柴 -专利权人：克利斯托光子学公司
申请日： 2005-01-05 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：增强铈搀杂正硅酸钇镥(LYSO)单晶体响应高能辐照的光输出的方法，包括通过在含氧环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。这种晶体的热氧化方法可有效提供氧填充LYSO单晶体中的至少一些氧空位。闪烁检测器包含通过在晶体中扩散氧增强的LYSO单晶体。
增强搀杂硅酸晶体性能方法通过生产

[发明专利]增强铈搀杂正硅酸镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体-CN200580006295.2有效
发明人： B·柴 -专利权人：克利斯托光子学公司
申请日： 2005-01-05 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：增强铈搀杂正硅酸镥(LSO)单晶体响应高能辐照的光输出的方法，包括通过在含氧环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。这种晶体的热氧化方法可有效提供氧填充LSO单晶体中的至少一些氧空位。闪烁检测器包含通过在晶体中扩散氧增强的LSO单晶体。
增强搀杂硅酸晶体性能方法通过生产

[发明专利]一种表征金纳米晶晶格结构和纯度的简便方法-CN201811289568.4有效
发明人：刘远兰;林翔;林爽;赵海燕;刘本康;王利 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种表征金纳米晶晶格结构和纯度的简便方法，属于纳米材料技术领域。主要技术方案如下：首先在阳离子表面活性剂溶液体系下，以金纳米晶体为种子、加入银前驱体和还原剂制备金银核壳纳米晶体。通过银在金纳米晶体表面的沉积和生长，使其形状更加分明，简化金纳米晶晶格结构的分析。
一种表征纳米晶格结构纯度简便方法

[发明专利]一种复合衬底的制备方法-CN202211587497.2有效
发明人：母凤文;郭超;谭向虎 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合衬底的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：（1）单晶衬底作为籽晶，在其中一个表面生长晶体层，得到单晶衬底与晶体层组成的复合晶体层结构；（2）激光照射所述复合晶体层结构，在所述复合晶体层结构的单晶衬底内部形成改质面；施加外力，将单晶衬底沿着改质面断开，得到复合衬底。本发明所述制备方法通过在高质量单晶衬底上生长低质量晶体层，之后采用激光冷裂切割处理，复合衬底的制备效率高且质量好，应用范围广。
一种复合衬底制备方法

[发明专利]一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法-CN201510876795.7在审
发明人：安俊超;徐军;周森安;吴锋;唐慧丽;李县辉;李豪 -专利权人：洛阳西格马炉业股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C30B13/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法，该坩埚包括顶端开口的坩埚本体及与坩埚本体相匹配的顶盖，所述顶盖与坩埚本体底部平行，且坩埚本体可相对顶盖所在平面平行移动，所述坩埚本体由方形主体与三角端部对接组成，三角端部的尖端设有顶尖，顶尖内可放置籽晶，方形主体及三角端部内可放置晶体生长物料；采用顶盖可防止发热体损坏时或者其他物质掉到坩埚本体内时影响蓝宝石单晶体的质量，坩埚本体从熔融区移动到结晶区时，已生长好的蓝宝石单晶体暴漏在结晶区的低温空间内；使制备的蓝宝石单晶体具有热交换均匀充分的优点，可减少制备的蓝宝石单晶体的退火时间，减短蓝宝石单晶体的制备周期，降低蓝宝石单晶体的生产成本。
一种用于制备蓝宝石单晶体坩埚方法

[发明专利]一种单晶体石墨材料制备提纯装置-CN201610774914.2有效
发明人：沈宇栋;蔡峰烽;章钰锋 -专利权人：无锡东恒新能源科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B32/215 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶体石墨材料制备提纯装置，包括反应炉，反应炉内设置有多层用于放置石墨片材的隔层，反应炉内壁上还设置有多个与隔层对应的磨损板，磨损板朝向隔层的面上具有磨擦颗粒，连接磨损板设置有振动装置，与现有技术相比，本发明的一种单晶体石墨材料制备提纯装置，首先将石墨片材进行高温加热，然后利用磨损板对石墨片材进行物理磨损，将高温下石墨片材表面上分离出的单晶体从石墨片材上分离，完成石墨单晶体制备，而提纯罐收集从石墨片材上分离的物质，利用石墨单晶体相比其他杂质或多晶体较轻的特点，吸收漂浮在提纯罐上部单晶体含量较高的空气，提取到纯度较高的石墨单晶体。
单晶体石墨片反应炉磨损板制备石墨材料提纯装置石墨提纯罐隔层高温加热磨擦颗粒物理磨损振动装置多晶体多层内壁漂浮吸收