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[发明专利]一种浮标灯-CN201710138296.7在审
发明人：王长宏;郑焕培;敖航冠;田中轩 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： F21S9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种浮标灯，包括壳体，壳体内部设置有用于给所述浮标灯的警示灯提供电能的半导体温差发电片，半导体温差发电片的上部热端用于与相变组件相接触，半导体温差发电片的下部冷端用于与散热器相接触，散热器设置于壳体外部且与壳体相连集热板吸收太阳能的热量，通过热传导及辐射的形式传递到相变组件中储存，半导体温差发电片的热端与相变组件相接触，散热器与半导体温差发电片的冷端相接触，半导体温差发电片冷热两端形成温差，产生电势差，经相变组件传导到警示灯上
一种浮标

[发明专利]鳍片型场效应晶体管-CN201611202230.1在审
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述衬底包含第一半导体鳍片、第二半导体鳍片以及所述第一半导体鳍片与所述第二半导体鳍片之间的沟槽。所述绝缘体配置在所述沟槽中。所述第一栅极配置在所述第一半导体鳍片上。所述第二栅极配置在所述第二半导体鳍片上。所述开口配置在所述第一栅极与所述第二栅极之间。所述第一介电层配置在所述开口中以将所述第一栅极与所述第二栅极电绝缘，其中所述第一介电层包含配置在其中的气隙。
鳍片型场效应晶体管

[发明专利]一种半导体元器件的缺陷检测方法-CN201710318807.3在审
发明人：彭勇 -专利权人：合肥市华达半导体有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元器件的缺陷检测方法，包括以下步骤提供待检测半导体，并确定待检测缺陷及缺陷分布状况；对半导体进行检测区域的划分；对检测区域设置检测参数；采集半导体缺陷上的斑点；采集检测区域内的图像信息导入至工作台视窗系统，形成工作台视窗图像；通过图像边缘反差化工艺对半导体的斑点图像和工作台视窗图像进行处理；将边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，进而确定缺陷位置以及缺陷周边的结构样貌；将缺陷周围的结构样貌信息导入扫描电子显微镜下得到缺陷的准确位置本发明采用该种方法对半导体的缺陷进行检测，具有检测速度快、准确性高、全面性及合格率高的特点，大大降低了人员的劳动力和成本。
一种半导体元器件缺陷检测方法

[发明专利]LED芯片及其制备方法-CN201710278436.0在审
发明人：张广庚;陈立人;王磊;李庆 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片，所述LED芯片从下向上依次包括衬底；位于衬底上的N型半导体层；位于N型半导体层上的发光层；位于发光层上的P型半导体层；位于P型半导体层上的电流阻挡层；位于电流阻挡层上的透明导电层，透明导电层上设有若干开孔；LED芯片还包括位于N型半导体层上的台阶，台阶上设有N电极，P型半导体层上设有P电极，电流阻挡层靠近P电极的一端采用间断设计，且电流阻挡层的宽度在自P电极到N电极的方向上逐渐增大
led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种MOS栅控晶闸管及其制作方法-CN201710810330.0在审
发明人：陈万军;夏云;刘超;高吴昊;左慧玲;邓操 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种MOS控制晶闸管及其制作方法。本发明对常规MCT的阴极以及栅极区进行改造，通过在栅下增加薄的P型半导体层15以及增加P型半导体基区12，使得器件在栅上不加电压器件正向阻断时，P+阳极2注入空穴形成的空穴漏电流能通过P型半导体基区12正向导通时，在栅上加正电压时，栅下P型半导体反型形成电子沟道，N型半导体源区5中的电子进入漂移区内，由P+阳极2、漂移区3、P型基区4和N型源区5构成的PNPN晶闸管迅速发生闩锁，器件获得大的导通电流，
一种 mos 晶闸管及其制作方法

[发明专利]基于分子印迹聚合物包覆的半导体用于可光催化再生地选择性SERS检测-CN201710547565.5在审
发明人：王灵芝;徐银;张金龙;卢德力 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有核壳结构的半导体表面增强拉曼散射光谱（SERS）基底的制备及其应用。该SERS基底采用分子印迹技术，在硅烷基化的半导体表面包覆一层含有目标分子的聚合物。然后利用半导体的光催化性能，在光照下将目标分子降解除去，获得半导体‑分子印迹聚合物复合物(SC‑MIPs)。由于在半导体表面留有目标分子的印迹位点，因此可以实现在混合溶液中对目标分子的选择性SERS检测，SERS检测的增强因子可以达到1.6 ×104。在SERS检测后，利用半导体的光催化性质，通过光催化作用将捕获的目标分子降解完全，这样SERS基底就可以通过“瞄准‑射击”的方式实现循环再生。
基于分子印迹聚合物半导体用于光催化再生选择性 sers 检测

[发明专利]半导体结构的形成方法、静态随机存储器单元-CN201510006068.5在审
发明人：居建华;俞少峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法和一种静态随机存储器单元，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一鳍部和第二鳍部，第一鳍部和第二鳍部顶部具有掩膜层；在半导体衬底上形成隔离材料层，上述方法形成半导体结构便于调整鳍式场效应晶体管的阈值电压。
半导体结构形成方法静态随机存储器单元

[发明专利]一种半导体制冷制热组件石墨烯材料-CN201610132887.9在审
发明人：张成美;王克俭;韩会忠;房伟 -专利权人：苏州常合新材料科技有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L35/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制冷制热组件石墨烯材料，所述石墨烯材料主要成份按照重量百分比分别为：18‑23份石墨烯、5‑10份聚丙烯腈纤维、3‑6份三乙烯四胺，100‑160份溶剂、1‑5份稀土氧化物、0.5本发明的石墨烯半导体制冷制热组件，解决了原有N型半导体和P型半导体材料电子流动速度慢，传导效率低下的问题，本发明的石墨烯半导体制冷制热组件加大了电子流动，提高半导体制冷制热片的热冷端温度差至150℃，在通电
一种半导体制冷制热组件石墨材料

[发明专利]一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器及制备方法-CN201610236535.8在审
发明人：王建禄;胡伟达;王旭东;孙璟兰;孟祥建;陈效双;陆卫;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、二维半导体，金属源漏电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后在该结构上制备铁电薄膜，随后在铁电薄膜上制备半透明或透明电极，形成二维半导体探测器结构。器件首先需要通过极化铁电材料，使得二维半导体沟道背景载流子完全耗尽，源极和漏极间施加一微小电压，通过测量光照下的电流信号变化，进而实现光电探测。
一种局域增强二维半导体光电探测器制备方法

[发明专利]一种半导体传感器窗厚测量方法及装置-CN201410802217.4在审
发明人：杨垂柏;张珅毅;张斌全;荆涛;孙莹;王文静;曹光伟;孔令高;梁金宝;孙越强 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体传感器窗厚测量方法及装置，所述方法包括：步骤101，依据半导体传感器窗厚理论值估算不同离子穿透传感器窗和灵敏区所需要的能量；步骤102，依据得到的不同离子穿透半导体窗和灵敏区所需的能量值统计各种离子穿透传感器窗和灵敏区的情况并依据使离子穿透传感器窗同时又不穿透灵敏区的原则，从所有离子中选定若干离子种类和能量；步骤103，依据选定的离子种类和能量值设置离子枪，即使离子抢射出的离子种类和能量与选定的离子的种类和能量值相同，并将离子抢射出的离子传输至半导体传感器处，进而测试半导体传感器的窗厚。本发明的技术方案可以为半导体窗开展测量厚度，从而为仪器研制的质量保证提供保障。
一种半导体传感器测量方法装置

[发明专利]具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件及其制备方法-CN201610225871.2在审
发明人：李俊;傅逸周;蒋雪茵;张志林 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、无机半导体有源层、源极、漏极和有机半导体有源层构成底栅结构，源极和漏极形成同层源漏电极薄膜层，无机半导体有源层和有机半导体有源层位于源漏电极薄膜层两侧本发明充分结合无机N型半导体材料丰富、迁移率较高且制备方法相对简单的优势和有机P型半导体材料种类比较多、迁移率较高且稳定性较好的优势，结合底栅顶接触结构的特点，很好地避免了有机薄膜晶体管刻蚀过程造成的损伤
具有复合有源双极型薄膜晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种多波长激光合束系统-CN201610304413.8在审
发明人：李丰;黄伟;杨立梅 -专利权人：芜湖安瑞激光科技有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：本发明公布了一种多波长激光器合束系统，包括多个半导体激光器的管芯(1)和设置在所述半导体激光管芯输出光路上的快轴准直透镜(2)、布拉格体光栅(VBG)(3)、快慢轴准直透镜(4)、全息光栅(5)和光束变换透镜组(6)，其特征在于：所述的布拉格体光栅(3)的背面放置有快慢轴准直透镜(4)，使来自各个半导体激光器管芯的激光束，在+1级衍射条纹上，衍射到同一个方向，实现多管芯(1)的半导体激光合束。本发明的合束技术提高了每个半导体激光器管芯的波长稳定性，也提高了整个系统的工作稳定性。该合束技术为实现高亮度、大功率的直接半导体激光器系统提供了新的方法和路径。
一种波长激光系统

[发明专利]一种带自动控温装置的儿童安全座椅-CN201610359713.6在审
发明人：曹旸 -专利权人：江苏法中航空安全技术有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： B60N2/28 文献下载
摘要：一种带自动控温装置的儿童安全座椅，包括座椅本体，座椅本体的外部套设有柔性透气垫，所述座椅本体内设有半导体制冷装置；所述半导体制冷装置包括：半导体制冷片，具有热效应面和冷效应面；隔热结构，将所述半导体制冷片的所述热效应面和冷效应面热隔离，所述热效应面被所述隔热结构包裹其中；金属片，所述金属片的上表面与所述半导体制冷片的冷效应面紧密贴合，所述金属片的下表面与柔性透气垫相接触；一组热管，第一端与所述半导体制冷片的热效应面贴合，第二端延伸出隔热结构外
一种自动装置儿童安全座椅

[发明专利]具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置-CN201610130291.5在审
发明人： N·曲;A·格拉赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)和在所述第一侧(16)中延伸的并且至少部分地以金属(14、14a)和/或以第二导电类型的半导体材料(40；41)填充的至少一个槽沟(18)，其中，所述槽沟(18)具有至少一个壁区段(20)，所述至少一个壁区段至少局部地具有氧化物层(22)。根据本发明，位于所述槽沟(18)旁的、敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的至少一个区域(24)具有位于所述金属层(14)和所述半导体体积(12)之间的、由所述第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层
具有沟槽 mos 势垒肖特基二极管半导体装置

[发明专利]一种半导体结构的整合处理方法-CN201510081889.5在审
发明人：金一诺;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工领域，尤其涉及一种对半导体结构进行的整合处理方法。本发明提供了一种半导体结构的整合处理方法，该半导体结构由表层至底层依此包括金属铜层、阻挡层、金属掩膜层、介质层和基底，且该半导体结构带有图形线槽，图形线槽内填充金属铜层，其中的介质层至少有一层为低K介质层或超低采用本发明的技术方案能够大幅度提高对半导体结构进行加工的可靠性，防止脆弱的低K介质层或超低K介质层被损伤，并节约成本。
一种半导体结构整合处理方法