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[发明专利]MOM电容的形成方法-CN202110313014.9在审
发明人：韩国庆;吴慧慧;吴姗姗 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOM电容的形成方法中，包括：提供半导体基底，包括相邻的第一区和第二区，在半导体基底上分别形成顶层金属层和钝化层；部分刻蚀位于第一区的钝化层露出顶层金属层的表面，以形成呈叉指形状的图案化的钝化层；以图案化的钝化层为掩膜刻蚀位于第一区的顶层金属层和部分半导体基底，以形成呈叉指状的图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底；在图案化的钝化层表面和图案化的半导体基底的表面形成介质层，介质层覆盖图案化的钝化层、图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底的侧壁；刻蚀位于第二区的介质层和图案化的钝化层露出顶层金属层的表面，以形成焊垫。
mom 电容形成方法

[发明专利]一种半导体器件加工用自动上料机的自动投料系统-CN202110510060.8在审
发明人：王飞;王锟;鲁启永 -专利权人：湖北福灿电子科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B65G65/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件加工用自动上料机的自动投料系统，本发明涉及半导体器件加工上料技术领域，包括进料斗，所述进料斗的上方两侧均设置有凸板，两个所述凸板的上表面之间设置有投料组件，所述进料斗的一侧面中间位置处设置有防堵组件该装置通过两个传动盘的上表面中间位置处均固定连接有主锥齿轮，两个圆盘相对的一端均固定连接有与主锥齿轮相对应的从锥齿轮，从锥齿轮与主锥齿轮之间为啮接，当在对半导体器件进行送料时，能够对半导体器件进行定量投料工作，使半导体器件每次进入到进料斗的量为一致，且全程无需人工进行看管，自动化高，方便后续对半导体器件进行相关的加工工作，提高了工作效率。
一种半导体器件工用自动上料机投料系统

[发明专利]一种SGT-MOSFET半导体器件-CN202110436730.6在审
发明人：丘展富 -专利权人：深圳市芯控源电子科技有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件，涉及半导体领域。该SGT‑MOSFET半导体器件，包括屏蔽栅和三组半导体结构，所述半导体结构包括沟槽，且沟槽呈U形设置，所述沟槽端面设置有控制导电材料，且控制导电材料顶部设置有栅电极，所述沟槽之间设置有屏蔽栅电极，三组所述半导体结构之间设置有绝缘材料
一种 sgt mosfet 半导体器件

[发明专利]晶圆处理方法-CN202110034841.4在审
发明人：麦玄颖;李蕙君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该晶圆处理方法包括以使一半导体晶圆的一后表面面向下的方式将该半导体晶圆置放在一晶圆载台上。该晶圆处理方法进一步包括将一第一刷组件定位在该半导体晶圆的该后表面之下。该晶圆处理方法亦包括使一第一刷组件朝向该半导体晶圆的该后表面移动至一第一位置。在该第一位置处，该第一刷组件的由不同材料制成的一内部刷构件及一外部刷构件与该半导体晶圆的该后表面接触。另外，该晶圆处理方法包括在该第一刷组件处于该第一位置时使该第一刷组件相对于该半导体晶圆旋转。
处理方法

[发明专利]一种散热型超低功耗半导体器件-CN202110598108.5在审
发明人：仇亮;窦静 -专利权人：广东仁懋电子有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热型超低功耗半导体器件，包括半导体器件主体、底杆、挡杆、散热板、散热片、固定板、第一限位块、连接引脚、限位板、限位柱、连接杆、连接柱、第二限位块、第一连接块、限位杆、固定柱、连接管、第二连接块、连接环、移动环、顶盖、卡杆、固定块、限位环、固定杆、安装管、连接板、挡环、挡块、弹簧和支撑块，该半导体器件，利用安装的散热板和散热片，同时利用安装的支撑块和固定板避免了半导体器件主体直接与固定物贴合，进而提高了散热效率，同时降低了使用半导体器件主体过程的能耗，且利用安装的限位板对连接引脚起到限位作用，避免了在使用焊接过程中导致连接引脚的断裂，进而延长了该半导体器件的使用寿命。
一种散热型超低功耗半导体器件

[发明专利]一种半导体元件装配用压装装置-CN202110819939.0在审
发明人：周海生;蒋振荣 -专利权人：安徽富信半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B23P19/027 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件装配用压装装置，包括载台，所述载台顶部设置有压装盒，所述压装盒内设置有用于储存半导体元件的压装板，所述压装板上开设有若干容置槽，所述压装盒内设置有用于带动压装板翻转的翻转组件，所述翻转组件底部两侧对称设置有用于缓冲压装板的缓冲组件本发明通过设置压装盒以及压装组件，压装组件上的压装辊配合压装盒上的压装板，有效的将散热片压合至半导体元件上，通过在压装板底部设置缓冲组件，缓冲组件上的缓冲弹簧缓冲了压装辊施加的压力，避免半导体元件受到的压力过大而损坏，从而保证了压装效果，同时避免人工手动压装造成的半导体元件受力不一致从而导致半导体元件受力损坏的情况，提高了工作效率。
一种半导体元件装配用压装装置

[发明专利]制造发光元件的方法和包括发光元件的显示装置-CN201980089243.8在审
发明人：都永洛;姜慧林;朴后根 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：制造发光元件的方法包括：准备基体基底并在基体基底上形成至少一个半导体棒的步骤；形成第一元件结构，并将第一元件结构与基体基底分离的第一分离步骤，第一元件结构包括半导体棒和形成为围绕半导体棒的外表面的第一支撑件；去除第一支撑件的至少一部分以部分地暴露半导体棒，并形成第二元件结构的步骤，第二元件结构包括暴露的半导体棒和围绕第一支撑件的外表面的第二支撑件；以及将半导体棒与第二元件结构分离的第二分离步骤。
制造发光元件方法包括显示装置

[发明专利]晶圆半导体产品、其制作方法与光刻机-CN202110317709.4在审
发明人：潘钙;王国峰;杨忠武 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆半导体产品、其制作方法与光刻机，所述晶圆半导体产品包括光学对准场以及多个管芯曝光场，所述光学对准场包括至少一个光学对准目标标记；管芯曝光场呈点阵式的排列在晶圆半导体产品上除所述至少一个光学对准场以外的区域；每一所述管芯曝光场包括多个管芯以及第二精细对准目标标记；所述光学对准场为不完整场；所述光学对准场位于所述晶圆半导体产品的边缘，且所述光学对准场的一部分外露出所述晶圆半导体产品，所述光学对准目标标记形成在所述晶圆半导体产品上
半导体产品制作方法光刻

[发明专利]一种半导体产品生产用预除尘清洗装置-CN202110455878.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：高必静
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体产品生产用预除尘清洗装置，属于半导体技术领域。一种半导体产品生产用预除尘清洗装置，包括箱体，所述箱体上固定连接有第一支撑架，所述第一支撑架上设有除尘机构，所述箱体上设有与除尘机构通相互配合的第一传送机构；所述箱体内壁转动连接有转动轴，所述转动轴上固定连接有曲轴，所述箱体内设有往复机构，所述曲轴驱动往复机构工作；本发明结构简单，操作便捷，达到对半导体产品表面沾附的金属碎渣进行清除收集，避免了后续对半导体产品进行清洗时，因碎渣造成产品表面出现刮花或损坏的情况，并且可对半导体产品表面沾附的灰尘进行一体式清洗
一种半导体产品生产除尘清洗装置

[发明专利]珀尔帖温控模组、温度控制系统和电动汽车-CN201911418078.4在审
发明人：龙建琦;邓瑞阳;伍东升;赵成飞;黄思然;刘捷宇 -专利权人：广州汽车集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L35/10 文献下载
摘要：该珀尔帖温控模组，包括珀尔帖组件、与所述珀尔帖组件相连的N端极耳和P端极耳；所述珀尔帖组件包括N型半导体件、P型半导体件以及用于连接所述N型半导体件和所述P型半导体件的导电元件，所述N型半导体件与所述N端极耳相连，所述P型半导体件与所述P端极耳相连。
珀尔帖温控模组温度控制系统电动汽车

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010398424.3在审
发明人：朱熙宁;江国诚;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一鳍和第二鳍中的每个包括多个半导体沟道层。在第一鳍和第二鳍中的每个的相对侧上执行STI区域的两步凹陷，以暴露出第一鳍的第一数量的半导体沟道层和第二鳍的第二数量的半导体沟道层。第一栅极结构形成在具有第一数量的暴露的半导体沟道层的第一鳍上方，并且第二栅极结构形成在具有第二数量的暴露的半导体沟道层的第二鳍上方。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种悬桥结构热电堆器件的制作方法-CN202011262952.2在审
发明人：周娜;毛海央;高建峰;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：制作方法：在半导体衬底的正面依次沉积多层隔离材料，形成堆叠隔离层；在堆叠隔离层表面形成多晶硅层，然后光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；在热电偶上方沉积氧化硅膜，并光刻图形化，形成电极接触孔；在电极接触孔内沉积导电金属，并图形化，然后在金属上方覆盖红外吸收层，之后图形化刻蚀至半导体衬底，打通正面悬桥；在半导体衬底的正面方向的表面上形成保护层，然后在半导体衬底的背面沉积氧化硅作为掩膜层，对半导体衬底进行选择性刻蚀，刻蚀至穿透半导体衬底
一种结构热电器件制作方法

[发明专利]在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件-CN202010488922.7在审
发明人：李炫锡;姜埈求;赵基熙;安相赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了半导体器件。半导体器件包括下电极结构的第一部分，下电极结构的第一部分位于基底上。半导体器件包括第一支撑图案，第一支撑图案与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触。半导体器件包括下电极结构的第二部分，下电极结构的第二部分位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上。半导体器件包括上电极，上电极位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上。此外，半导体器件包括介电层，介电层位于上电极与下电极结构的第二部分之间。
在下电极结构包括支撑图案半导体器件

[发明专利]一种半导体材料自动化切割装置-CN202011277192.2在审
发明人：甘海玉 -专利权人：东莞三励科技有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种半导体材料自动化切割装置，包括工作台，所述工作台的右侧焊接有支撑板，所述支撑板和工作台的前部和后部均焊接有挡板，所述支撑板的底部焊接有连接板，所述支撑板的右侧设置有传动机构，所述连接板的左侧设置有翻转机构，所述支撑板的顶部开设有透气孔，所述工作台的左侧焊接有侧板，所述侧板的顶部设置有切割机构，本发明通过传动机构和切割机构的配合运作，可以实现自动对半导体进行进给加切割，从而无需手动切割，防止人工不稳定导致半导体被切割偏移致使损坏，再通过散热装置可以对半导体切割时发出的热量进行散热，减少了切割时产生的热量，防止半导体因温度过高导致其损坏。
一种半导体材料自动化切割装置

[发明专利]显示设备及其制造方法-CN202010742693.7在审
发明人：朴晙晳;金明花;金兑相;金亨俊;文然建;朴根徹;孙尚佑;林俊亨;全景辰;崔惠临 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示设备包括：基板；被布置在基板上的缓冲层；被布置在缓冲层上并且包括氧化物半导体和第一有源层的第一半导体层；被布置在第一半导体层和缓冲层上的第一栅绝缘层；被布置在第一栅绝缘层上并且包括氧化物半导体、第二有源层以及在第一有源层上的第一氧化物层的第二半导体层；被布置在第二半导体层上的第二栅绝缘层；被布置在第二栅绝缘层上的第一导电层；被布置在第一导电层上的绝缘层；被布置在绝缘层上的第二导电层；被布置在第二导电层上的钝化层；以及被布置在钝化层上的第三导电层。
显示设备及其制造方法