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[发明专利]一种超结器件制备工艺-CN201410827015.5在审
发明人：黄晓橹 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件制备工艺，包括如下步骤：提供一第一导电类型的半导体衬底，在该半导体衬底之上制备具有若干第一沟槽的牺牲层；制备一侧墙覆盖在第一沟槽的侧壁；制备第一导电类型的第一外延层将第一沟槽进行填充本发明通过采用先进的无定形碳工艺，使得超结结构的N型半导体材料和P型半导体材料界面垂直平整，并且N型半导体材料和P型半导体材料宽度保持精确一致，提高了超结器件性能。
一种器件制备工艺

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310567126.2在审
发明人：周明杰;冯小明;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及的一种有机电致发光器件，该器件设置有多个有机电致发光单元，在相邻的两个有机电致发光单元之间包含一电荷生成层，该电荷生成层中又包含第一金属层、第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层、第三半导体氧化物及第二金属层该第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层和第三半导体氧化物层分别适应低、中、高三种功函的要求，同时，电荷生成层各层的功函均不同，使电子传输的势垒逐步降低。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种IIB-VIB族半导体/CdS纳米p-n结的制备方法-CN201510257498.4在审
发明人：张希威;孟丹 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米材料及器件制备方法，特别是一种IIB-VIB族半导体/CdS纳米p-n结的制备方法。本发明是在化学气相沉积方法合成的磷掺杂p-型IIB-VIB族半导体纳米线的基础上，运用原子层沉积技术在p-型IIB-VIB族半导体纳米线表层包裹生长CdS壳层。将IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构，通过光刻和电子束镀膜技术在所制备核壳结构的金电极和钛电极，从而制备完成IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构纳米p-n结器件。本发明所制得的IIB-VIB族半导体/CdS核壳结构纳米p-n结性能良好、可控性高，可大规模制备；可广泛应用于太阳能电池、光电探测等纳米光电子领域。
一种 iib vib 半导体 cds 纳米制备方法

[发明专利]一种IGBT的制造方法-CN201310390475.1在审
发明人：黄璇;王万礼;王根毅 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体晶片，在所述半导体晶片的第一表面上进行杂质注入以形成第一导电类型或第二导电类型的导电层；在所述导电层内间隔的形成延伸入所述导电层内的第二导电类型或第一导电类型的通道；在所述通道上形成氧化层；在所述氧化层上键合衬底半导体晶片;减薄所述半导体晶片，并将减薄后的半导体晶片作为漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；去除所述衬底半导体晶片；去除所述氧化层；在所述通道和导电层上形成背面金属电极
一种 igbt 制造方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201310389136.1在审
发明人：黄璇;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：该方法包括：提供N型掺杂的半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面及与第一表面相对的第二表面；N型掺杂半导体衬底的靠近第一表面的区域，以形成缓冲层；P型掺杂半导体衬底的靠近第一表面的区域，以形成集电极层，其中集电极层的深度小于缓冲层的深度；提供支撑衬底，并在第一表面将支撑衬底键合至半导体衬底；从第二表面减薄半导体衬底；在第二表面制备绝缘栅双极型晶体管的正面结构；去除支撑衬底，以露出集电极层；以及在集电极层上制备绝缘栅双极型晶体管的集电极金属层
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器-CN201410777541.5在审
发明人：蒋大勇;刘如胜;田春光;孙龙;侯建华;赵建勋;高尚;梁庆成;秦杰明 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G08B17/12 文献下载
摘要：采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器属于消防设备技术领域。本发明其特征在于，氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极的感光面位于紫外增透聚光镜像方焦面处，氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极与探测信号采集处理模块相连；所述氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极的结构为，在衬底上表面附着一层氧化锌基半导体薄膜，金属薄膜叉指电极位于氧化锌基半导体薄膜上表面；金属薄膜叉指电极的两根引线接探测信号采集处理模块。
采用氧化锌半导体薄膜紫外火焰探测器

[发明专利]一种具有隧道结结构的边发射半导体激光器及其制备方法-CN201510077277.9在审
发明人：计伟;曲智龙 -专利权人：北京牡丹视源电子有限责任公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，包括N面电极1、具有隧道结结构的外延结构，光刻具有隧道结结构的外延结构两侧形成脊形台，在形成脊形台的外延结构表面沉淀电绝缘层8，电绝缘层上层叠P面电极9本发明提供的这种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，减少了P型限制层中空穴的损耗，提高了载流子的注入效率，从而提高了器件的输出功率；同时消除了某些半导体P型重掺杂较为困难的问题，降低了器件的工作电压，从而提高了半导体激光器的功率转化效率本发明提供的这种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，广泛适用于各种材料系的边发射半导体激光器。
一种具有隧道结构发射半导体激光器及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410780158.5在审
发明人：石田浩;佐藤一彦 -专利权人：辛纳普蒂克斯显像装置株式会社
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。在包括在栅极绝缘膜具备电荷积蓄膜的非易失性存储器用FET、以及高耐压和低耐压的MOSFET的半导体装置的制造方法中，防止产生由形成高耐压MOSFET的厚的栅极绝缘膜的热氧化造成的热应力对电荷积蓄膜造成的缺陷在半导体衬底上的形成高耐压MOSFET的区域形成规定深度的槽，在所形成的槽内通过热氧化形成为高耐压MOSFET的栅极绝缘膜的氧化膜。之后，在上述半导体衬底的整个面对低耐压的MOSFET的栅极电极膜进行成膜。进而之后，对形成上述非易失性存储器用FET的区域进行开口，使上述半导体衬底的半导体表面露出，通过依次沉积第一势垒膜、电荷积蓄膜、以及第二势垒膜而形成电荷积蓄3层膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法和应用-CN201310749962.2在审
发明人：单奇;柳冬冬 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明所述的一种薄膜晶体管，半导体层包括依次堆叠设置的金属氧化物半导体层和硅层，硅层正对半导体两端源区和漏区的区域掺杂有杂质离子；薄膜晶体管工作时，硅层的载流子迁移率远低于金属氧化物半导体层的载流子迁移率，电荷通过硅层中的掺杂区域直接进入金属氧化物半导体层中进行移动，极大的减少了背沟道层中的电荷量，避免了背沟道区域提前开启，从而减少了薄膜晶体管的漏电流。而且，硅层的掺杂区域的导电性能好，有效降低了源/漏电极层和半导体层的接触电阻，提高了薄膜晶体管的电学性能。同时，本发明所述的一种薄膜晶体管的制备方法，工艺简单，易实现大规模生产。
一种薄膜晶体管及其制备方法应用

[发明专利]双色激光磨矿粒度在线分析仪-CN201410200101.3在审
发明人：郝成;杨志刚;王建民 -专利权人：河北联合大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：本发明涉及激光粒度仪，具体为一种双色激光磨矿粒度在线分析仪，依次包括发射单元、光学系统、接收单元、信号处理和控制单元；发射单元包括两个红外半导体激光二极管，分别为平行放置的红外半导体激光二极管和垂直放置的红外半导体激光二极管；平行放置的红外半导体激光二极管发出的光线从直角棱镜的一个直角面进入、从斜面射出，垂直放置的红外半导体激光二极管发出的光线从直角棱镜的斜面反射，两个红外半导体激光二极管发出的光线在直角棱镜的斜面上汇合，
激光磨矿粒度在线分析

[发明专利]海底热液温差发电装置-CN201410596321.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泰顺派友科技服务有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种海底热液温差发电装置，其特征在于，是一种塔式结构，包括塔基和塔身两部分，塔身由内、外两层组成，在塔身内、外层之间嵌入半导体温差发电模块，所述的半导体温差发电模块的热端面紧贴塔身内层，其冷端面紧贴塔身外层；所述塔身在垂直方向划分成若干分层，在每一分层上嵌入若干个半导体温差发电模块，相同分层上的半导体温差发电模块的电源输出端口按照正、负极串联方式连接，不同分层上的正、负电压输出并联连接，作为整个装置的电能输出端线本发明利用海底热液和周边海水的稳定温差，使得半导体温差发电具备合适的环境条件，通过半导体温差发电模块的串、并联连接方式，扩大了输出电能容量，适合产业化开发。
海底热液温差发电装置

[发明专利]一种风能变流器系统及除湿方法-CN201310274578.1在审
发明人：田兴;姬永军;尚付鹏;曹秋云;张旗;茹意 -专利权人：艾默生网络能源有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：所述风能变流器系统包括：柜体；设置于所述柜体内的液冷换热器以及冷端换热器；其中，所述液冷换热器和冷端换热器之间设置有至少一个的半导体制冷片，每个所述半导体制冷片的热端与所述液冷换热器的热交换面导热接触，每个所述半导体制冷片的冷端与冷端换热器的热交换面导热接触。本发明有益效果如下：通过采用半导体制冷片冷端将流经冷端换热器内空气中的水蒸气液化，同时，通过液冷换热器将半导体制冷片热端产生的热量带出除湿器外，降低了半导体制冷片热端产生的热量对风能变流器系统除湿的影响
一种风能变流器系统除湿方法

[发明专利]一种降低LDMOS导通电阻的器件结构-CN201310358585.X在审
发明人：黄枫;孙贵鹏;韩广涛 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区为指状结构，其包括数条沿源区到所述漏区方向延伸的条状场区，所述条状场区之间由有源区隔离；条状场区上有从栅极延伸过来的条状栅极延伸区根据本发明制作的半导体器件，利用条状场区上的条状栅极，使整个漂移区耗尽，实现较高的关态击穿电压，而一条条有源区的出现又使整个漂移区的杂质浓度提高，减小导通电阻。
一种降低 ldmos 通电器件结构

[发明专利]用于碱金属蒸汽激光器泵浦的半导体激光光源输出装置-CN201510457853.2在审
发明人：张俊;彭航宇;宁永强;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01S3/227 文献下载
摘要：用于碱金属蒸汽激光器泵浦的半导体激光光源输出装置属于半导体激光技术领域，该装置包括：半导体激光器、准直组件、窄带滤光片和外腔镜；半导体激光器输出光束经过准直组件准直，然后以一定角度θ入射到窄带滤光片，经过窄带滤光片后，再入射到外腔镜，一部分光束经过外腔镜前表面反射，沿原路返回，依次经过窄带滤光片和准直组件，返回到半导体激光器内，通过半导体激光器后腔面反射，再次经过准直组件、窄带滤光片和外腔镜；另一部分光束经过外腔镜直接输出
用于碱金属蒸汽激光器半导体激光光源输出装置

[发明专利]一种环保型空调扇-CN201510340082.9在审
发明人：杨湜 -专利权人：杨湜
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：所述防护网设置在壳体正面的中间，所述调速旋钮设置在壳体上方的左侧，所述调温旋钮设置在调速旋钮的右侧，所述定时旋钮设置在调温旋钮的右侧，所述电机设置在壳体右侧的中间，所述风扇安装在连接杆的左端，所述稳压器设置在电机的上方，所述半导体制冷器设置在电机下方的右侧，所述导冷片安装在半导体制冷器的上方，所述水箱设置在半导体制冷器的左侧，所述导热片安装在半导体制冷器的左侧，且导热片插入水箱中。该空调扇结构简单，节能环保，半导体制冷器的设置可以产生冷量，为使用者降温，导冷片的设置，有利于冷量的散发，水箱和导热片的设置，导热片将半导体制冷器产生的热量导入水箱的水中。
一种环保空调