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- [发明专利]声换能器-CN201880013571.5有效
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J·亨内贝格;A·格拉赫
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罗伯特·博世有限公司
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2018-02-12
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2023-09-12
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G10K9/22
- 本发明提出一种声换能器(1)，包括膜片罐形件(3)、换能器元件(16)和壳体，其中，所述膜片罐形件(3)具有膜片(2)和壁(4)。所述膜片罐形件(3)的所述膜片(2)、所述壁(4)和至少一个壳体部分(6)一件式地构型为纤维塑料复合构件(7)，其中，所述纤维塑料复合构件(7)的至少一个第一区域(10)是以纤维增强的并且所述纤维塑料复合构件(7)的至少一个第二区域(11)是无纤维的，使得在所述纤维塑料复合构件(7)中的波在从所述至少一个第一区域(10)至所述至少一个第二区域(11)的过渡部处至少部分地被反射。
- 声换能器
- [发明专利]声转换器-CN202211069348.7在审
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A·格拉赫;B·朔伊费勒
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罗伯特·博世有限公司
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2022-09-02
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2023-03-07
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G01D5/48
- 本发明涉及一种声转换器(1a、1b、1c、1d)，具有隔膜罐(16)和转换器元件(4)。所述隔膜罐(16)具有隔膜(2)和壁(3)。所述隔膜(2)布置在所述隔膜罐(16)的底部并且所述隔膜罐(16)的壁(3)形成所述隔膜罐(16)的内部空间(6)。转换器元件(4)布置在所述隔膜罐(16)的隔膜(2)上。所述声转换器(4)附加地具有至少一个加强元件(5a)，该加强元件布置在所述隔膜罐(16)的内部空间(6)中并且至少部分地与所述隔膜罐(16)的壁(3)连接。所述加强元件(5a)构造和/或布置在所述隔膜罐(16)的内部空间(6)中，使得所述声转换器(1a)至少具有第一谐振工作点和第二谐振工作点。
- 转换器
- [发明专利]半导体设备以及其制造方法-CN201710153397.1有效
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A·格拉赫
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罗伯特·博世有限公司
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2017-03-15
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2022-04-01
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H01L29/872
- 提出一种具有面式的阳极接触部(12)、面式的阴极接触部(14)、和由n型导电半导体材料制成的第一体积(16)的半导体设备(10)，所述第一体积具有阳极侧端部(16.1)和阴极侧端部(16.2)，并且所述第一体积在所述阳极接触部和所述阴极接触部之间延伸。至少一个p型导电区域(20)从所述第一体积的所述阳极侧端部(16.1)出发向所述第一体积的所述阴极侧端部延伸，而不到达所述阴极侧端部。所述半导体设备的特征在于，所述p型导电区域在横向于所述阳极接触部和所述阴极接触部的横截面中具有两个相互分开的部分区域(20.1，20.2)，所述部分区域限界所述第一体积的用n型导电半导体材料填充的第一部分体积(16.3)，其中，所述第一部分体积朝向所述阴极接触部敞开，所述开口(16.4)由所述部分区域(20.1，20.2)的阴极侧端部(20.3，20.4)限界，并且，所述两个部分区域(20.1，20.2)的限定所述开口(16.4)的间距小于在所述两个部分区域之间的、在所述开口外部存在着的并且位于所述部分区域(20.1，20.2)的阳极侧端部(20.5，20.6)之间的间距(24)。
- 半导体设备及其制造方法
- [发明专利]用于呼吸机的通风机单元-CN202080045990.4在审
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A·格拉赫
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律维施泰因医学技术股份有限公司
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2020-05-18
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2022-02-01
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A61M16/00
- 本发明涉及一种用于呼吸机通风机单元(1，20)，其具有：壳体(2)，所述壳体具有吸入管接头(3，21，23，24)和压力管接头(5)，所述吸入管接头构成输入通道(4)用于流体在吸入侧流入到壳体(2)中，所述压力管接头构成输出通道(6)用于使流体从壳体(2)在压力侧流出；以及能旋转地支承在壳体(2)中的通风机叶轮(7)，所述通风机叶轮构造并且布置用于通过旋转将流体经过吸入管接头(3，21，23，24)吸入并且通过输入通道(4)输送到壳体(2)中以及将流体又经过压力管接头(5)排出并且通过输出通道(6)从壳体(2)输送出去，其中，吸入管接头(3，21，23，24)在其朝向输入通道(4)的、确定输入通道额定直径(DN)的内面上具有至少一个导流元件(10，22，25，26)，借助于所述导流元件确定与输入通道额定直径(DN)不同的输入通道内直径(DI)。
- 用于呼吸通风机单元
- [发明专利]垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法-CN201980047452.6在审
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H·鲍托尔夫;A·格拉赫;S·施魏格尔
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罗伯特·博世有限公司
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2019-06-26
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2021-02-26
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H01L29/165
- 本发明涉及一种具有半导体衬底(2)的垂直功率晶体管(1)，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层(3)，其中，沟槽结构从所述半导体衬底(2)的表面延伸到所述至少一个外延层(3)的内部中，其特征在于，所述沟槽结构具有第一区域(13)，所述第一区域分别从沟槽底部延伸至相应沟槽的确定高度，其中，所述第一区域(13)包括第一部分区域，所述第一部分区域分别具有第一深度(t1)和第一宽度(w1)，其中，所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底(2)的表面延伸，其中，所述第一区域(13)包括第二部分区域，所述第二部分区域分别具有第二深度和第二宽度(w2)，其中，所述第二部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第一倾斜角度，其中，所述第一区域(13)包括第三部分区域，所述第三部分区域分别具有第三深度和第三宽度，其中，所述第三部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第二倾斜角度，其中，所述第一区域(13)与源接合部导电连接。
- 垂直功率晶体管用于制造方法
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