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[发明专利]半导体刻蚀设备-CN201910816322.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体刻蚀设备，其包括：大气传送腔，用于容纳被刻蚀物；气体过滤装置，设置在所述大气传送腔的进气口处，所述气体过滤装置包括初级过滤件及次级过滤件，所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，将所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，外界气体经所述初级过滤件过滤后直接由过滤通道进入次级过滤件过滤，避免了经初级过滤件过滤的气体在进入次级过滤件之前被污染，大大减小了进入所述大气传送腔的污染源，从而避免在被刻蚀物表面形成凝结性污染物，提高被刻蚀物的良率。
半导体刻蚀设备

[发明专利]半导体刻蚀设备-CN201710851868.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体刻蚀设备，所述半导体刻蚀设备包括：上电极喷洒盘；环形侧壁；连接于所述上电极喷洒盘；侧流反应元件，连接于所述环形侧壁；以及下电极载台，对准于所述侧流反应元件下方；其中，所述侧流反应元件包括至少两层反应材料环以及位于所述反应材料环之间的若干个连接部
半导体刻蚀设备

[发明专利]半导体刻蚀设备-CN202010514735.1有效
发明人：林锦宽 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体刻蚀设备，包括：大气传送腔，用于容纳待刻蚀的晶圆；进气模块，用于将气体送入所述大气传送腔内；排气模块，用于排出所述大气传送腔内的气体，所述排气模块包括气闸和风速测控单元，所述风速测控单元用于检测所述大气传送腔内的气体流动速率
半导体刻蚀设备

[实用新型]半导体刻蚀设备-CN201820936600.2有效
发明人：周亚勇;盖晨光;曾德强;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在反应腔内设置有晶片支座，晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，反应腔还包括内衬，内衬围绕反应腔的侧壁设置，内衬由多个片状构件沿着侧壁围合而成本实用新型提供的半导体刻蚀设备设有片状构件，使其沿侧壁排布并至少一部分重叠而形成内衬，从而能够阻止等离子体直接与反应腔的侧壁发生接触，实现对反应腔侧壁的全面保护。
反应腔侧壁内衬半导体刻蚀设备片状构件等离子体本实用新型晶片支座晶片清洁度反应腔侧壁承载晶片螺旋气流清洁反应全面保护聚合物涡轮泵刻蚀排布围合吸除

[实用新型]半导体刻蚀设备-CN201921433632.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体刻蚀设备，其包括：大气传送腔，用于容纳被刻蚀物；气体过滤装置，设置在所述大气传送腔的进气口处，所述气体过滤装置包括初级过滤件及次级过滤件，所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接将所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，外界气体经所述初级过滤件过滤后直接由过滤通道进入次级过滤件过滤，避免了经初级过滤件过滤的气体在进入次级过滤件之前被污染，大大减小了进入所述大气传送腔的污染源，从而避免在被刻蚀物表面形成凝结性污染物，提高被刻蚀物的良率。
半导体刻蚀设备

[发明专利]半导体结构的刻蚀方法-CN201610510324.9在审
发明人：聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的刻蚀方法，用于在刻蚀设备维护后对半导体衬底上的半导体结构进行刻蚀，包括：在所述刻蚀设备的刻蚀腔体内壁沉积聚合物层；基于所述聚合物层的厚度，设置刻蚀设备的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀工艺本发明能够避免因为刻蚀腔体维护保养时更换部件或者清洗部件引起半导体结构的关键特征尺寸的偏移问题，提高工艺稳定性以及产品良率。
半导体结构刻蚀方法

[实用新型]一种适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室-CN201920887121.0有效
发明人：廖海涛 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室，涉及金属干法刻蚀设备技术领域，该适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室，包括刻蚀室，所述刻蚀室的底板上开设有滑槽，所述滑槽的内部设置有滑块，所述滑块远离滑槽的一端固定连接有活动盘该适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室，通过设置支撑台、填充块和卡框，能够将需要刻蚀的半导体晶片固定在活动盘，便于对半导体晶片进行刻蚀去除不需要的部分，避免了在刻蚀时半导体晶片被轰击后表面处于倾斜状态，导致刻蚀的均匀性极大受到影响的情况出现，实现了将半导体晶片固定，防止其在刻蚀时倾斜的目的。
刻蚀半导体晶片半导体设备干法刻蚀刻蚀腔室活动盘滑槽滑块金属支撑台干法刻蚀设备底板本实用新型内部设置倾斜状态后表面均匀性卡框去除轰击填充

[发明专利]一种刻蚀方法及接触孔制作方法-CN200810205394.9无效
发明人：罗飞;邹立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种刻蚀方法及接触孔制作方法，所述刻蚀方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层，所述器件层暴露出部分半导体衬底，在刻蚀腔室内对半导体衬底进行各向异性刻蚀，在半导体衬底表面形成损伤层；在同一腔室内对形成有损伤层的半导体衬底进行各向同性刻蚀所述的刻蚀方法能够降低了设备费用，降低了生产成本，提高产品的产能和产品良率。
一种刻蚀方法接触制作方法

[发明专利]沟槽的形成方法及刻蚀设备-CN201911398513.1在审
发明人：孟凡顺;陈忠奎;易芳 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽的形成方法和刻蚀设备，光刻胶的去除在硬掩模刻蚀腔室或半导体衬底刻蚀腔室中进行，另外，将刻蚀硬掩模的腔室与刻蚀半导体衬底的腔室设于同一刻蚀机台上，使得半导体结构在硬掩模刻蚀完成之后，可以在不接触大气环境的情况下直接进入另一腔室进行半导体衬底的刻蚀，因此，减少了半导体结构在机台间的转换，而且直至半导体衬底刻蚀完成，半导体结构均不会被暴露在大气环境中，故而减少了缺陷率的产生，提高了产品良率，也简化了工艺流程，降低了生产成本。
沟槽形成方法刻蚀设备

[发明专利]一种半导体器件制造方法及装置-CN202210796209.8在审
发明人：杨阳 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法及装置。半导体器件制造方法包括：提供待刻蚀的半导体器件材料，将半导体器件材料置于反应腔内，半导体器件材料形成有预处理沟道区；将半导体器件材料进行预刻蚀处理，清除预处理沟道区中的杂质，得到预刻蚀半导体器件；将预刻蚀半导体器件进行主刻蚀处理，得到主刻蚀半导体器件，主半导体器件中形成有主刻蚀沟道区；将主刻蚀沟道区进行后刻蚀处理，清除主刻蚀沟道区中的杂质，得到刻蚀后的半导体器件。本发明对半导体器件进行预刻蚀处理、主刻蚀处理及后刻蚀处理，通过这三次刻蚀处理，可以清除半导体器件沟道区内的杂质，改善刻蚀选择比，以提高制程洁净度和刻蚀均匀性，最终提升半导体器件的电学性能。
一种半导体器件制造方法装置

[发明专利]金属刻蚀工艺-CN201610356777.0在审
发明人：昂开渠;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种金属刻蚀工艺，所述金属刻蚀工艺用于对半导体衬底上的金属层进行刻蚀，所述金属刻蚀工艺在刻蚀设备中进行，所述金属刻蚀工艺的刻蚀气体的流量不小于300sccm。本发明通过采用大流量的刻蚀气体进行刻蚀工艺，减少半导体衬底边缘的聚合物沉积，改善刻蚀工艺造成的半导体衬底的聚合物剥落的缺陷。
金属刻蚀工艺

[发明专利]晶片边缘刻蚀设备及方法-CN200410047417.X无效
发明人：崔昶源;金太龙;金宗范;徐廷宇;边昌柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风
晶片边缘刻蚀设备方法

[实用新型]一种半导体刻蚀夹具-CN202021756224.2有效
发明人：同嘉锡;金铉洙 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体刻蚀夹具。半导体刻蚀夹具，其特征在于，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个上设置有多个凹槽，且所述第一基板和所述第二基板相对合时，所述凹槽形成容纳待刻蚀半导体的容纳槽，所述凹槽的底面开设有贯穿所在基板的开孔本申请提供的半导体刻蚀夹具，在对小尺寸产品进行测试时，将产品设置于容纳槽中，容纳槽上开设有开孔，因此，不会影响刻蚀过程中所使用的刻蚀液与产品之间的接触效果，而半导体刻蚀夹具本身具有较大的尺寸，可以在针对大尺寸产品进行刻蚀的刻蚀设备中使用，这样，不需要单独设置针对小尺寸产品的刻蚀设备，提高了刻蚀设备的通用性，有助于降低生产成本。
一种半导体刻蚀夹具

[发明专利]一种刻蚀溶液、一种半导体器件制造方法及设备-CN202210721594.X在审
发明人：马诗潇;杨云春;王荣栋;陆原 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种刻蚀溶液、一种半导体器件制造方法及设备。其中，半导体器件制造方法包括：将半导体器件浸入刻蚀溶液中，刻蚀溶液包括过氧化氢和氢氧化物，通过过氧化氢和氢氧化物与阻挡层中钛和氮化钛反应，实现对阻挡层的刻蚀；在浸入时长达到目标刻蚀时长后，从刻蚀溶液中取出半导体器件过氧化氢和氢氧化物能够与阻挡层中的钛以及氮化钛进行反应，因而在半导体器件浸入刻蚀溶液达到目标刻蚀时长后，能够刻蚀掉半导体器件上的阻挡层。过氧化氢和氢氧化物较为容易获得，使得本发明的实施成本较现有干式刻蚀更低，并且，只需将半导体器件浸入刻蚀溶液中就能够进行刻蚀，刻蚀条件要求较低，另外，还能够对阻挡层进行较为全面的刻蚀。
一种刻蚀溶液半导体器件制造方法设备

[发明专利]一种刻蚀方法、半导体器件及电子设备-CN202010723461.7在审
发明人：金廷修;高建峰;卢一泓;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种刻蚀方法及半导体器件和电子设备，涉及半导体制造技术领域，以解决半导体制造的刻蚀工艺中图案倾倒问题，从而提高产品良率。该刻蚀方法包括：提供一基底；在基底的表面形成支撑层；同一清洗液对支撑层的腐蚀速率小于基底氧化物的腐蚀速率；在支撑层背离基底的表面形成掩膜层；采用清洗液清洗掩膜层；在掩膜层的掩膜下对基底进行刻蚀。所述刻蚀方法用于制作半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。
一种刻蚀方法半导体器件电子设备

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