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[发明专利]化学机械研磨垫及其制备方法-CN201811084488.5在审
发明人：王盼;蔡长益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨垫及其制备方法，该化学机械研磨垫包括：基底及形成于所述基底上的研磨层，其中所述研磨层的表面具有：多个均匀有序分布的微突起结构；多个沟槽，形成于多个所述微突起结构之间；其中，所述研磨层表面的孔隙率为通过利用多孔阳极氧化铝为模板，采用纳米复制技术制备出新型的表面拥有可调控纳米阵列结构的化学机械研磨垫，该研磨垫提高了化学机械研磨速率，降低了所处理晶圆的表面刮伤，并保证了研磨后晶圆间的均一性。
化学机械研磨研磨层制备微突起基底晶圆多孔阳极氧化铝纳米阵列结构纳米复制研磨均一性可调控孔隙率研磨垫刮伤保证

[发明专利]一种化学机械研磨液配置优化的方法-CN201310150633.6有效
发明人：徐勤志;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械研磨液配置优化的方法，该方法包括：选定化学机械研磨的工艺条件，并获取晶圆特性数据和当前研磨液配置数据；通过高分子参考作用点模型，获取研磨颗粒吸附状态数据；判断所述研磨颗粒吸附状态数据是否满足物理吸附状态标准；如果否，调整所述当前研磨液配置数据，调整后返回获取研磨颗粒吸附状态数据的步骤；如果是，以所述当前研磨液配置数据作为研磨液配置优化数据，并利用研磨液配置优化数据配置得到优化的研磨液。利用本发明提供的方法进行化学机械研磨液配置优化，使得优化过程简化，在保证研磨后吸附在晶圆表面上的研磨颗粒易于清除的同时，还能使化学机械研磨液的工艺优化成本和周期都得以降低。
一种化学机械研磨配置优化方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710451766.5在审
发明人：蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成介电层，介电层内形成有开口；在开口底部和侧壁上形成钌层，钌层覆盖介电层顶部；形成填充满开口且覆盖钌层的铜层；对铜层进行第一化学机械研磨操作，去除部分厚度铜层；对铜层进行第二化学机械研磨操作，去除高于钌层顶部的铜层，研磨液中含有铜的腐蚀抑制剂；对铜层进行第三化学机械研磨操作，去除位于介电层顶部的铜层，研磨液中含有铜的腐蚀抑制剂。本发明所述第二化学机械研磨操作和第三化学机械研磨操作的研磨液中含有铜的腐蚀抑制剂，从而降低铜层发生腐蚀的概率。
铜层化学机械研磨介电层钌层腐蚀抑制剂研磨液去除半导体结构开口基底侧壁覆盖腐蚀概率

[发明专利]用于有机膜的化学机械研磨浆料组合物及使用其的研磨方法-CN201680057069.5在审
发明人：崔正敏;能条治辉;金高恩;金容国;朴容淳 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于有机膜的化学机械研磨浆料组合物及使用其的研磨方法。化学机械研磨浆料组合物包含超纯水、磨料、含四价铈离子的铈盐及氧化剂，其中氧化剂在酸性区中具有1.72电子伏特或高于1.72电子伏特的氧化电位，且化学机械研磨浆料组合物的pH值为1至7。化学机械研磨浆料组合物可在pH值为1或高于1下使四价铈离子(Ce⁴⁺)稳定且因此可展现出对有机膜的高研磨速率。因此，可通过使用化学机械研磨浆料组合物的研磨方法来简单地移除有机膜，尤其是通过自对准双重图案化技术而形成的有机膜。
化学机械研磨浆料有机膜研磨氧化剂四价铈离子磨料双重图案化氧化电位超纯水自对准移除铈盐

[发明专利]化学机械研磨控制方法及装置、化学机械研磨方法及设备-CN201210093910.X有效
发明人：董呈龙;龚大伟;王一清 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械研磨控制方法及装置、化学机械研磨方法及设备。根据本发明的化学机械研磨控制装置包括：清洗剂喷射单元、控制单元和清洗剂喷射单元；其中，所述控制单元用于控制所述清洗剂喷射单元的清洗剂喷射以及化学机械研磨设备的研磨头的抬升；并且，所述清洗剂喷射单元在所述控制单元的控制下向所述研磨头上的晶圆喷射用于清洗研磨液的清洗剂；并且其中，所述控制单元在化学机械研磨设备的研磨垫清洗装置开始清洗研磨垫之后经过第一时间而仍未回到正常状态时使所述研磨头带着晶圆抬升，并且在研磨垫清洗装置开始清洗研磨垫之后经过第二时间时使清洗剂喷射单元将清洗剂喷向所述晶圆
化学机械研磨控制方法装置设备

[发明专利]预防研磨液沉淀的装置和方法-CN202010053202.8有效
发明人：张俊杰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种预防研磨液沉淀的装置，包括：连接在研磨液供应系统和化学机械研磨机台之间的研磨液供应管路；在靠近化学机械研磨机台一侧的研磨液供应管路上设置有回流出口；研磨液回流管路设置在研磨液供应系统和回流出口之间；研磨液供应管路上设置有可旋转结构，在研磨液供应管路上设置有旋转装置，旋转装置在研磨液供应管路中沉淀或结晶形成的固化物颗粒的数量达到设定值之前对研磨液供应管路进行旋转，以清除研磨液供应管路中沉淀或结晶形成的固化物颗粒本发明还公开了一种预防研磨液沉淀的方法。本发明能防止在研磨液供应管路中沉淀或结晶过多数量的固化物颗粒，从而能减少晶片表面发生刮伤缺陷的概率。
预防研磨沉淀装置方法

[发明专利]用以形成多层式光罩的方法-CN201811142966.3在审
发明人：徐崇威;苏煜中;吴振豪;李胜男;蔡宗霖;蔡腾群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用以形成多层式光罩的方法包含在目标结构上形成碳涂(spin‑on carbon；SOC)层；化学处理该碳涂层的上部分；在碳涂层上形成牺牲层；在牺牲层上进行化学机械研磨程序，直到抵达碳涂层，其中该碳涂层经化学处理的上部分对该化学机械研磨程序的阻抗高于牺牲层对该化学机械研磨程序的阻抗；在化学机械研磨程序后，于碳涂层上形成图案化光阻层；以及使用图案化光阻层作为光罩，蚀刻目标结构。
碳涂层化学机械研磨牺牲层光罩图案化光阻层化学处理多层式阻抗目标结构蚀刻目标

[实用新型]一种便于研磨的化学机械设备-CN202120467186.7有效
发明人：张作谋 -专利权人：江苏云电守卫电力科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及化学机械设备技术领域，且公开了一种便于研磨的化学机械设备，包括研磨箱体，所述研磨箱体的顶部固定连接有破碎箱，所述破碎箱的左侧固定连接有驱动电机，所述驱动电机的输出轴固定连接有驱动轴，所述驱动轴的外侧固定连接有破碎叶片，所述驱动轴的右端固定连接有滚动块，所述破碎箱的顶部固定连接有进料管，所述研磨箱体的顶部固定连接有连通管，所述研磨箱体的左侧固定连接有电机箱。该便于研磨的化学机械设备，整体结构简单，方便使用，实现了化学机械设备便于研磨的目的，化学机械设备可以将原料加工成需要的颗粒和粉料，保证了原料加工的品质，提高了化学机械设备的使用效率和使用效果。
一种便于研磨化学机械设备

[实用新型]研磨调整装置及化学机械研磨装置-CN201320260008.2有效
发明人：唐强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种研磨调整装置及化学机械研磨装置。所述化学机械研磨装置包括一研磨垫以及一研磨调整装置，所述研磨调整装置位于所述研磨垫的上方。所述研磨调整装置，包括一研磨调整臂和位于所述研磨调整臂一端的金刚石圆盘，另外，还包括位于所述研磨调整臂上的盘刷，所述研磨调整臂带动所述盘刷与所述金刚石圆盘一起移动。采用上述化学机械研磨装置，可以有效改善研磨调整效果，提高研磨垫的使用寿命。
研磨调整装置化学机械

[实用新型]研磨垫及化学机械研磨装置-CN201720255456.1有效
发明人：谭玉荣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种研磨垫及化学机械研磨装置，所述研磨垫包括研磨垫本体，所述研磨垫本体的上表面用于与一待研磨晶圆的正面接触以实现化学机械研磨；多个凹槽，所述凹槽设置于所述研磨垫本体的上表面，且多个所述凹槽之间相互连通；当研磨液滴到所述研磨垫的某一位置处时，相互导通的凹槽会使得研磨液在研磨垫上快速分散，使得研磨垫上均设置有研磨液，从而提高化学机械研磨的效率。
研磨化学机械装置

[发明专利]化学机械研磨装置及其研磨垫的调节方法-CN200510103864.7有效
发明人：陈胜裕;洪德松;成忠荣;郑锜彪;郑博元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种化学机械研磨装置，至少包括一研磨盘、一研磨垫、一研磨液供给管路、一研磨垫调节器、一化学液供给管路以及一分流管路。其中，研磨盘表面上具有多个研磨液出口，而研磨垫配置于研磨盘上。研磨液供给管路连接于研磨盘底部，且适于从研磨盘下方经由研磨液出口供给一研磨液至研磨垫表面上。研磨垫调节器配置于研磨垫上方，而化学液供给管路连接于研磨垫调节器，且适于供给化学液至研磨垫调节器。分流管路连接于研磨液供给管路与化学液供给管路之间，适于使化学液经由化学液供给管路、研磨液供给管路以及研磨液出口供给至研磨垫表面上。本发明的化学机械研磨装置适于提供一良好的研磨效果。
化学机械研磨装置及其调节方法

[实用新型]研磨垫修整器及研磨装置-CN201620029745.5有效
发明人：唐强;马智勇;张溢钢;彭婷婷;林保璋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本实用新型公开一种研磨垫修整器及研磨装置，研磨垫修整器包括研磨盘；第一驱动单元，用于在晶圆进行化学机械研磨时，驱动所述研磨盘进行旋转运动，同时将所述研磨盘按压于研磨垫表面，并沿所述研磨垫表面的边缘至中心进行往复直线运动；第二驱动单元，用于在晶圆进行化学机械研磨后，驱动所述研磨盘进行旋转运动，同时将所述研磨盘按压于研磨垫表面，并沿所述研磨垫表面进行多次中心至边缘的直线运动进行往复。由于本申请的研磨垫修整器在晶圆进行化学机械研磨时和化学机械研磨后采用不同的工作状态，较为快速的去除研磨垫上的残留颗粒，有效的改善研磨垫的修整效果，避免残留颗粒对后续晶圆研磨的影响，提高了产品良率。
研磨修整装置

[实用新型]化学机械研磨装置-CN202121554906.X有效
发明人：金文祥;彭萍;沈毛振;李阿龙;陈海楠 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置包括一检测单元，所述检测单元安装于研磨平台朝向研磨头的表面上，通过所述检测单元，可实现实时的检测化学机械研磨过程中的晶圆是否从研磨头上滑落，提高了检测结果的可靠性，避免了在晶圆滑落后因研磨平台的持续旋转对晶圆造成的损伤。
化学机械研磨装置

[发明专利]化学机械研磨的方法-CN02140151.9有效
发明人：许嘉麟;胡绍中;蔡腾群;王松雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-04 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种化学机械研磨的方法，是在化学机械研磨制程中，于阻障层研磨液中添加一化学助剂而变成金属层研磨液，并凭借化学助剂的添加与否调整研磨液的性质，以分别用来去除金属层与阻障层。如此可免去熟知的研磨液转换过程中清洗研磨垫所需的繁复步骤，并可避免因研磨液的差异而产生的酸碱冲击，以及因此所造成的元件缺陷等问题。
化学机械研磨方法

[发明专利]一种防止化学机械研磨时微观刮伤的研磨方法-CN201410411838.X有效
发明人：严钧华;张明华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种防止化学机械研磨时微观刮伤的研磨方法，该方法中对晶圆依次进行第一研磨平台的第一道次粗磨、第二研磨平台依次进行的第二道次粗磨和精磨的流水研磨处理，并通过增加一套研磨液供给系统，以在晶圆表面上还剩下总的需研磨厚度的1/3～1/4时，开始进行精磨的研磨处理，并开始投入使用该增加的研磨液供给系统，该研磨液供给系统只在该精磨中使用，且该研磨液中的粒度不到粗磨过程中使用的粒度的一半；使用本发明的方法，能在不影响化学机械研磨效率的前提下，而通过小直径研磨颗粒的精磨以修复在粗磨中大直径研磨颗粒在晶圆表面造成的刮伤，能提高晶圆的质量和使用寿命。
一种防止化学机械研磨微观方法

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