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[外观设计]功率半导体器件-CN202330118263.2有效
发明人：孙梦成;薛铮 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：功率半导体器件。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于功率半导体器件。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN202111221438.9在审
发明人： T.巴斯勒;M.比纳;M.戴内泽;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件。一种功率半导体器件包括耦合到第一负载端子和第二负载端子的半导体主体。半导体主体包括：电连接到第一负载端子的第二导电类型的第一掺杂区域；电连接到第二负载端子的第二导电类型的发射极区域；具有第一导电类型且布置在第一掺杂区域和发射极区域之间的漂移区域。漂移区域和第一掺杂区域使得功率半导体器件能够在以下状态下操作：导通状态，在所述导通状态期间，负载端子之间的负载电流沿正向方向传导；正向阻断状态，在所述正向阻断状态期间施加在端子之间的正向电压被阻断；以及反向阻断状态半导体主体进一步包括至少被布置在第一掺杂区域内的复合区。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201810229237.5有效
发明人： T.巴斯勒;M.比纳;M.戴内泽;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件。一种功率半导体器件包括耦合到第一负载端子和第二负载端子的半导体主体。半导体主体包括：电连接到第一负载端子的第二导电类型的第一掺杂区域；电连接到第二负载端子的第二导电类型的发射极区域；具有第一导电类型且布置在第一掺杂区域和发射极区域之间的漂移区域。漂移区域和第一掺杂区域使得功率半导体器件能够在以下状态下操作：导通状态，在所述导通状态期间，负载端子之间的负载电流沿正向方向传导；正向阻断状态，在所述正向阻断状态期间施加在端子之间的正向电压被阻断；以及反向阻断状态半导体主体进一步包括至少被布置在第一掺杂区域内的复合区。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201080067692.1有效
发明人：古川彰彦;香川泰宏;三浦成久;日野史郎;中田修平;大塚健一;渡边昭裕;今泉昌之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件本发明的功率半导体器件具备设置在感测焊盘下部的阱区之上、并贯通比栅绝缘膜厚的场绝缘膜来与源极焊盘连接的感测焊盘阱接触孔，因此能够提高可靠性。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201210069939.4有效
发明人： J.赫格劳尔;R.奥特伦巴;R.保罗 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的垂直功率半导体芯片。第一端子在半导体层的第一侧处并且第二端子在半导体层的、沿着第一方向与第一侧相对的第二侧处。漂移区在第一端子和第二端子之间的半导体层内。该漂移区在中央部分中具有沿着垂直于第一方向的第二方向的至少100MPa的压应力。该中央部分沿着第一方向从漂移区的总体延伸部的40%延伸到60%并且相对于半导体层的第一侧和第二侧中的至少一个进入半导体层的至少10μm的深度中。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201310597731.4在审
发明人：金泰完 -专利权人：开益禧株式会社
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件，通过在二极管区中形成从终端区向有源单元区增大的杂质浓度梯度来使反相电流分布至有源单元区，所述功率半导体器件能够防止电场集中在二极管区上并且能够改善击穿电压。
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN202020289058.3有效
发明人：朴锺镐;胡尚寿;李相龙;金世云 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本实用新型公开了功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：有源区域中的源极区、外围区域中的栅极结构以及串联连接在有源区域和栅极结构之间的多个沟槽二极管。该多个沟槽二极管中的每一个包括：第一沟槽，该第一沟槽设置在衬底材料中；绝缘层，该绝缘层设置在第一沟槽的表面上方；第一导电类型的第一半导体材料，该第一半导体材料设置在第一沟槽内；和第二导电类型的第二半导体材料，该第二半导体材料设置在第一沟槽内并且设置在第一沟槽中的第一半导体材料的上方。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201510312366.7在审
发明人：朴在勋;吴知然;金智慧;徐东秀;尹善载 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件。所述功率半导体器件包括：漂移层，具有第一导电型；集电极层，具有第二导电型，并形成在所述漂移层之下；集电极，设置在所述集电极层的下部的至少一部分上，所述集电极使用与所述集电极层具有整流接触的金属形成。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201810088668.4在审
发明人：乔明;王正康;王睿迪;齐钊;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件，包括第一导电类型半导体衬底、漏极金属电极、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体体区，第二导电类型半导体体区内有第一导电类型半导体源极区和抗穿通结构；抗穿通结构为第二导电类型半导体体接触区或金属结构；抗穿通结构的下表面与所述第一导电类型半导体漂移区的上表面重合或者二者间的距离小于0.5微米，使得器件不发生穿通击穿；本发明具有更小的栅交叠面积，同时具有更大的寄生栅源、栅漏电容等效极板距离，这两个因素都有利于减小栅寄生电容；同时，在器件源端引入抗穿通结构，避免短沟道和轻掺杂体区导致的穿通击穿。
穿通第一导电类型导电类型半导体功率半导体器件半导体漂移区击穿体区漏极金属电极半导体源极板距离寄生电容金属结构体接触区栅漏电容短沟道轻掺杂上表面下表面重合衬底极区寄生减小交叠源端栅源半导体引入

[发明专利]功率半导体器件-CN201911282734.2在审
发明人： R.巴布尔斯克;M.耶利内克;F-J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;C.P.桑多;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：功率半导体器件包括有前侧和背侧的半导体本体，其包括第一导电类型的漂移区；第一导电类型的场停止区，布置在漂移区和背侧间且有比漂移区更高掺杂剂浓度的掺杂剂，通过经由背侧的质子注入创建；和第一导电类型的发射极调整区第一局部最小值布置在第一局部最大值和场停止区的掺杂剂浓度分布的另一局部最大值间和/或第一局部最大值和发射极调整区的掺杂剂浓度分布的最大值间，第一局部最大值处的掺杂剂浓度高到第一局部最小值处的掺杂剂浓度的至多三倍，半导体本体是或包括有至少1E17 cm‑3的间隙氧浓度的半导体衬底。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN202010403783.3在审
发明人：贺东晓 -专利权人：丽晶美能（北京）电子技术有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括有源区和终端区，有源区和终端区均具有衬底，终端区环绕有源区设置，终端区包括多个第一场板，位于衬底上，各第一场板沿由有源区到终端区的方向间隔设置，且相邻各第一场板具有相等的第一间距，第一间距为当器件偏置电压突变时，每个场板电容也将均匀的同时变化，从而不会造成电压在场板上的突变而导致的不稳定，降低了场板/场限环之间发生放电击穿的风险。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201910603177.3在审
发明人： A.P-S.谢;P.C.布兰特;H.许斯肯;V.拉皮杜斯;M.普法芬莱纳;F.D.普菲尔施 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：功率半导体器件包括半导体衬底，其具有有源区和半导体衬底的有源区与侧边缘之间的边缘终止区。多个非金属电极在半导体衬底的前侧上在边缘终止区中延伸。每个非金属电极通过至少两个相应的金属塞子电连接到半导体衬底的相应掺杂区，每个金属塞子延伸穿过形成在电绝缘底层中的相应第一开口，其中不同非金属电极的任何两个金属塞子之间的最短距离d大于距离p。
非金属电极衬底半导体金属塞子边缘终止区最短距离内边缘外边缘源区功率半导体器件延伸穿过侧边缘掺杂区电绝缘电连接开口延伸

[发明专利]功率半导体器件-CN201910666410.2在审
发明人：埃迪·黄;尼古拉斯·A·M·科佩尔;马特加兹·罗兹曼;斯蒂芬·D·伍德;章剑峰 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件，包括：具有单极传导结构和双极传导结构的半导体衬底，第一端子和第二端子。第一传导路径被配置为在功率半导体器件的导通状态期间，以第一频率接通和断开，并且第二传导路径被配置为在第一传导路径的断开阶段期间接通，在第一传导路径的导通阶段期间被断开。
传导结构传导路径传导类型单极双极断开功率半导体器件第一区可操作接通掺杂导通状态衬底导通配置半导体

[发明专利]功率半导体器件-CN202011509191.6在审
发明人： R·巴布尔斯克;M·豪夫;H-J·舒尔策;H·舒尔策;B·施托伊布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，包括：半导体本体，具有前侧和背侧；第一负载端子结构和第二负载端子结构；半导体本体的有源区域；半导体本体的漂移区，具有第一导电类型并且被配置用于传导负载电流；半导体本体的背侧区，包括第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN202111537706.8在审
发明人：王亚飞;卢吴越;宋瓘;李乐乐;张文杰;王志成;刘小东;朱奇伟;李诚瞻 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电类型碳化硅衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区；所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区
功率半导体器件