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[发明专利]源极跟随器以及源极跟随器的驱动方法-CN202210161258.4有效
发明人：王科竣;尹桭植;朴东洙 -专利权人：北京奕斯伟计算技术股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种源极跟随器以及源极跟随器的驱动方法，该源极跟随器中的信号输入端连接第三栅源电压调节模块，电源输入端连接第三栅源电压调节模块和第一恒流模块，第三栅源电压调节模块还连接第一栅源电压调节模块和第四栅源电压调节模块，第一恒流模块还连接第一栅源电压调节模块和第二栅源电压调节模块，第一栅源电压调节模块还连接第四栅源电压调节模块、第二栅源电压调节模块和第二恒流模块，第四栅源电压调节模块、第二恒流模块，第二栅源电压调节模块相互连接，并连接电源输出端，第一恒流模块、第一栅源电压调节模块和第二栅源电压调节模块相互连接，并连接信号输出端。
跟随以及驱动方法

[发明专利]快闪存储器及快闪存储器的形成方法-CN202011157488.0有效
发明人：于涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一种快闪存储器及形成方法，快闪存储器包括：衬底，所述衬底包括源线浮栅区和若干个字线位线区，所述源线浮栅区位于相邻的字线位线区之间，且所述源线浮栅区与字线位线区邻接；位于源线浮栅区内的第一源掺杂区；位于第一源掺杂区内和源线浮栅区内的第二源掺杂区，所述第二源掺杂区的离子浓度大于所述第一源掺杂区的离子浓度，且所述第二源掺杂区的深度大于所述第一源掺杂区的深度；位于源线浮栅区上的浮栅结构，所述浮栅结构位于部分第一源掺杂区上；位于源线浮栅区上的擦除栅结构，所述擦除栅结构位于第二源掺杂区上。
闪存形成方法

[发明专利]一种共源共栅放大器偏置方法、装置及偏置电路-CN202111187491.1在审
发明人：徐华超;胡胜发 -专利权人：广州安凯微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种共源共栅放大器偏置方法、装置及偏置电路，其中偏置方法包括：获取共源共栅放大器中输入管的漏源电压对应的第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压对应的第二最低饱和漏源电压；根据第一最低饱和漏源电压、第二最低饱和漏源电压，设置共源共栅管的栅偏置电压，使输入管的漏源电压大于等于第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压大于等于第二最低饱和漏源电压。本发明根据第一最低饱和漏源电压和第二最低饱和漏源电压的值，设置共源共栅管的栅偏置电压，使输入管的漏源电压大于等于第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压大于等于第二最低饱和漏源电压，从而使得共源共栅放大器能够获得稳定的增益
一种共源共栅放大器偏置方法装置电路

[发明专利]一种阈值电压为负的开关器件的阈值电压测试方法及系统-CN202111112577.8在审
发明人：周福斌;任永硕;王荣华;梁辉南 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明方法，包括：将阈值电压为负的开关器件作为被测试器件；将被测试器件的栅源之间通过外接电阻连接，漏栅端施加偏压，量测得到漏源电流与栅源电流的总电流；基于总电流与栅源间的外接电阻计算被测器件的栅源电压或直接量测；对漏源电流与栅源电流的和与栅源电压进行拟合，取指定的漏源电流对应的栅源电压即为阈值电压。本发明通过向被测器件的漏栅端施加偏压，使其在一瞬间为导通状态，和连接电阻动态平衡，形成半导通状态，通过电阻两端电压控制栅源电压，从而控制漏源电流，形成动态平衡，通过不断切换电阻阻值，得出多组栅源电压和漏源电流进行拟合
一种阈值电压开关器件测试方法系统

[发明专利]基于屏蔽栅结构的沟槽栅MOSFET-CN201410397204.3在审
发明人：陈正嵘;陈晨;陈菊英 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于屏蔽栅结构的沟槽型MOSFET，控制栅形成在第一沟槽中并带有底部厚氧化膜，屏蔽栅形成在第二沟槽中，屏蔽栅与控制栅依次间隔排列。屏蔽栅依次穿过源区和阱区所以在横向上和沟槽栅相隔一段距离；屏蔽栅第二沟槽的顶部与源极接触孔连通。在源极接触孔中填充有金属层并用于同时引出源极，源极也同时作为阱区和屏蔽栅的引出电极。本发明的屏蔽栅和控制栅并不形成在同一沟槽中，简化了用于隔离屏蔽栅与控制栅的相关工艺流程；同时，本发明中通过源极接触孔引出的源极和阱区的同时作为屏蔽栅的引出电极，所以不需要占用额外的面积来引出屏蔽栅的电极
基于屏蔽结构沟槽 mosfet

[发明专利]一种槽栅槽源SOI LDMOS器件-CN201410158931.4无效
发明人：石艳梅;刘继芝;代红丽 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种槽栅槽源SOILDMOS器件，包括衬底层、埋氧层、有源半导体层、n⁺漏区、槽栅、栅氧层、介质埋层、槽源、源电极、栅电极、p阱和漏电极并组成SOILDMOS器件，p阱内设有n⁺源区和p⁺p阱欧姆接触区，槽栅和槽源之间通过介质埋层隔离；n⁺源区的上部与栅氧层、介质埋层和槽源相接，p⁺p阱欧姆接触区的上部与槽源相接本发明的优点是：该槽栅槽源SOILDMOS器件中，纵向槽栅聚集了高电场，提高了器件横向耐压；有源半导体层的纵向电场在槽栅的作用下分布均匀，提高了器件纵向耐压；由于采用了槽栅、槽源结构，P阱与纵向槽栅形成了纵向导电沟道
一种槽栅槽源 soi ldmos 器件

[发明专利]半导体存储器件-CN200810204972.7无效
发明人：顾靖;张博;张雄;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体存储器件，包括源极、漏极、沟道区、控制栅、浮栅、源极多晶硅、字线，其中沟道区位于源极和漏极之间，源极多晶硅位于源极上方，字线位于沟道区上方，浮栅位于字线和源极多晶硅之间，控制栅位于浮栅上方，所述控制栅和字线之间具有绝缘介质层，所述绝缘介质层为氧化硅/氮化硅复合结构偏移式介质层。本发明提出的半导体存储器件，其能够减小控制栅和浮栅之间的长度差，提高控制栅和浮栅之间的耦合率，从而提高器件的性能。
半导体存储器件

[发明专利]带续流箝位开关的单相非隔离光伏逆变器的控制方法-CN201410501343.6在审
发明人：马海啸;叶海云;袁颖 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明提供一种带续流箝位开关的单相非隔离光伏逆变器的控制方法，对逆变器中的开关管采用两段式控制：使第一开关管的栅源控制波形和第四开关管的栅源控制波形相同，且栅源控制波形在逆变器输出电流正半周期为SPWM波形、负半周期为零；使第二开关管的栅源控制波形和第三开关管的栅源控制波形相同，且栅源控制波形在逆变器输出电流正半周期为零、负半周期为SPWM波形；使第五开关管和第六开关管的栅源控制波形在逆变器输出电流正半周期与第一开关管的栅源控制波形和第四开关管的栅源控制波形互补，在逆变器输出电流负半周期与第二开关管的栅源控制波形和第三开关管栅源控制波形互补。
带续流箝位开关单相隔离逆变器控制方法

[发明专利]一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法-CN201310228422.X在审
发明人：麻芃;金智;史敬元;张大勇;彭松昂;陈娇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，该方法是利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下栅介质，对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，去除栅源、栅漏间石墨烯沟道区上覆盖的栅介质，然后蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯材料上形成金属石墨烯接触，消除栅源、栅漏之间距离引入的沟道通路电阻。本发明采用自对准工艺蒸镀源漏金属，避免了栅源、栅漏间的距离产生的通路寄生电阻，从而有效地增加了石墨烯顶栅FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率。
一种减小石墨烯顶栅 fet 器件寄生电阻方法

[发明专利]晶体管控制电路和控制方法、以及使用该电路的有源矩阵显示设备-CN200680037829.2有效
发明人： D·A·费什;J·M·沙农 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种晶体管控制电路(74)，包括源极－栅控薄膜晶体管(70)，用于接收表示源极－栅控晶体管的所需控制的驱动电压的输入，以及使已知电流流过源极－栅控晶体管(70)的电流源(82)。当已知电流流过源极－栅控晶体管时，第一电容器(78)存储源极－栅控晶体管所产生的栅－源电压。使用所产生的栅－源电压修改驱动电压，并使用修改后的电压控制源极－栅控晶体管。
晶体管控制电路控制方法以及使用电路有源矩阵显示设备

[发明专利]一种新型的射频晶体管版图结构-CN201410216642.5在审
发明人：张炯;廖英豪;徐帆;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
一种新型射频晶体管版图结构

[发明专利]射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管-CN201010113496.5无效
发明人：廖英豪;傅春晓;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
射频金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]冷源晶体管器件及其制备方法-CN202210493952.6在审
发明人：何百哲;司佳;张志勇;彭练矛 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2022-05-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本公开提供一种冷源晶体管器件，包括：基底层；冷源层，冷源层设置于基底层；条带层，条带层与冷源层连接，并通过相同材料制备；栅介质层，栅介质层的部分形成于冷源层的部分，栅介质层的部分覆盖条带层的部分；栅电极，栅电极设置于栅介质层；其中，冷源层和条带层连接的界面形成为同质结，栅介质层覆盖同质结。本公开还提供一种冷源晶体管器件的制备方法。
晶体管器件及其制备方法

[发明专利]带隙基准电路及带隙基准源电路-CN202310253865.8在审
发明人：孙亚楠;王嘉奇 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种带隙基准电路及带隙基准源电路，带隙基准电路包括：共源共栅电流镜、第一共源共栅单元、第一运算放大单元以及输出单元，其中：第一共源共栅单元，与共源共栅电流镜耦接，适于对共源共栅电流镜的输出电流进行镜像；其输出端与第一运算放大单元的偏置输入端耦接；第一运算放大单元，其第一输入端与共源共栅电流镜的第二支路耦接，其第二输入端与共源共栅电流镜的第一支路耦接，其输出端与共源共栅电流镜的控制端耦接；输出单元，其控制端与共源共栅电流镜的控制端耦接
基准电路

[发明专利]共享源线的闪存单元及其形成方法-CN201110298218.6有效
发明人：曹子贵 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种共享源线的闪存单元及其形成方法，所提供的共享源线的闪存单元包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的源线；依次位于所述源线两侧半导体衬底表面的浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅；位于所述源线与浮栅、控制栅之间的侧墙介质层；位于浮栅、控制栅远离源线的侧壁，以及与所述侧壁近邻的半导体衬底表面的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层表面的字线；位于所述字线远离源线一侧的半导体衬底内的漏极；位于与源线正对的半导体衬底内的源极；其中，所述浮栅具有靠近源线的掺杂类型为p型的p型掺杂端，其余部分的掺杂类型为n型。
共享闪存单元及其形成方法

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