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[发明专利]一种功率半导体器件的封装结构及其封装工艺-CN201910969687.2在审
发明人：龚秀友;罗艳玲;李锦秀;王敬;李盛稳 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L23/42 文献下载
摘要：一种功率半导体器件的封装结构及其封装工艺，属于功率半导体器件封装技术领域，该功率半导体器件的封装结构，包括封装体以及封装体内部由芯片、键合线、电路载体、引脚组成的内部电路和散热基板，芯片与引脚通过键合线连接，内部电路通过电路载体与散热基板实现绝缘隔离，本发明的有益效果是，其中的封装结构实现了功率半导体器件的内部绝缘，省去了应用安装时需要加装绝缘片的环节，提高了作业效率及安装良率，而且提高了功率半导体器件的散热性能，该封装结构的封装工艺简单、具有实现规模化量产的可能，可提供性能较好、安装成本较低的功率半导体器件。
功率半导体器件封装结构电路载体封装工艺内部电路散热基板键合线引脚功率半导体器件封装芯片绝缘隔离散热性能应用安装作业效率封装体规模化绝缘片体内部加装良率量产绝缘封装环节

[发明专利]功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备-CN202011474538.8在审
发明人：曾宏;潘学军;刘敏安;陈彦;陈芳林;陈勇民;邹平;沈飞淞 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、
功率半导体器件保护电路控制方法存储介质以及设备

[发明专利]一种半导体功率器件结温的确定方法和装置-CN202110617136.7在审
发明人：查鲲鹏;李宽宏;燕翚;王克峰;韩磊;朱宁辉;杨岳峰 -专利权人：中电普瑞电力工程有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体功率器件结温的确定方法和装置，获取半导体功率器件的实时断态电压、实时通态电流以及所述半导体功率器件的散热器进水口的实时水温；将半导体功率器件的实时电压、实时电流以及所述散热器进水口的实时水温输入预先构建的热电耦合模型进行解耦，得到半导体功率器件的实时结温。本发明通过半导体功率器件的实时电压和实时电流对热电耦合模型进行解耦，实时性强。
一种半导体功率器件确定方法装置

[发明专利]车辆、光伏系统、功率变换电路及功率半导体器件-CN202211289290.7在审
发明人：赵东光;陈刚;罗世金;王亚东;黄松云 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种车辆、光伏系统、功率变换电路及功率半导体器件，涉及半导体器件技术领域。其中，功率半导体器件包括依次设置的衬底、外延层、金属层和第一钝化层；外延层背离衬底的一面由内向外依次分为有源区和终端区；金属层覆盖有源区；第一钝化层覆盖终端区与金属层的第一区域，金属层的第一区域与终端区相邻第一钝化层可以比较好的阻挡湿气进入功率半导体器件内部，从而有利于保证功率半导体器件的质量和可靠性，延长功率半导体器件的使用寿命。
车辆系统功率变换电路半导体器件

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202310206900.0有效
发明人：吴毅锋;曾凡明 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法。半导体功率器件包括由下而上依次叠设的背电极、衬底层、绝缘缓冲层、沟道层、势垒层、介质层和钝化层，将传统的单一导电衬底层替代为包含导电衬底区和绝缘衬底区的组合衬底层，将绝缘缓冲层划为三个区域：位于导电衬底区上方的控制区本发明提供的半导体功率器件制备方法用于制备本发明提供的半导体功率器件。本发明提供的半导体功率器件及其制备方法具有改善半导体功率器件的动态电阻特性、提高耐压能力、提高应用耐压和减少寄生电容的技术效果。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]模块化逆变器装置-CN201310218384.X无效
发明人：佩尔蒂·塞韦基维;泰穆·海基莱 -专利权人： ABB公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：该装置包括多个功率半导体器件（5，7）和冷却元件（2），冷却元件连接到功率半导体器件（5，7）以用于冷却功率半导体器件，其中功率半导体器件（5，7）和冷却元件（2）围绕该装置的中轴线（9）以下述方式布置：功率半导体器件和冷却元件围绕中轴线（9）对通道（10）限界，冷却介质能够在该通道中沿着中轴线的方向流动。本发明的特征在于，该装置还包括围绕该装置的中轴线（9）的管形的第一环形薄膜电容器（11），其中功率半导体器件（5，7）设置在冷却元件（2）和第一环形薄膜电容器（11）的内表面之间。
模块化逆变器装置

[实用新型]直流电子灭弧装置-CN201520564362.3有效
发明人：郭桥石;邓达;赖斌龙 -专利权人：广州市金矢电子有限公司
申请日： 2015-07-26 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01H9/30 文献下载
摘要：本实用新型直流电子灭弧装置属于电学领域，特别是一种适合于对机械开关作为灭弧使用的直流电子灭弧装置，其包括与所需灭弧的机械开关两端并联的功率半导体器件，其特征是功率半导体器件控制端与控制电路连接，功率半导体器件的主回路通过电容或电阻与控制电路连接，功率半导体器件的主回路两端的电压变化通过电容或电阻连接至控制电路，控制电路产生脉冲控制信号控制功率半导体器件导通，本实用新型直流电子灭弧装置具有功率半导体器件所需导通时间极短，成本低、可靠性高的优点。
直流电子装置

[实用新型]一种直流电子负载-CN201120162703.6有效
发明人：陈胜利 -专利权人：成都飞机工业集团电子科技有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01R1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直流电子负载，包括负载单元，所述的负载单元由功率半导体器件和一个采样电阻构成，该功率半导体器件的漏极与需要加负载测试的电源输出端连接，该功率半导体器件的栅极与外部的控制信号连接，该功率半导体器件的源极串联一个采样电阻后与需要加负载测试的电源形成主回路，在所述的采样电阻与功率半导体器件的栅极之间通过电压比较器和自动调节组件形成控制回路，达到无级调节功率半导体器件栅极的输入电压的大小，仿真出负载阻抗特性，本实用新型的直流电子负载还具有消耗电能少、占用安装空间小的优点
一种直流电子负载

[实用新型]一种限流式保护器-CN202123136582.0有效
发明人：徐胜;王剑国;王峰 -专利权人：常熟开关制造有限公司（原常熟开关厂）
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种限流式保护器，包括线路板、散热器以及贴装于所述线路板上的一组功率半导体器件，所述功率半导体器件包括壳体以及从壳体内延伸至壳体外的管脚与铜基板，功率半导体器件的铜基板贴装固定在线路板铜箔上；每个功率半导体器件均配置有至少一块导热块，各导热块分别贴装于与其所属功率半导体器件的铜基板所在的线路板铜箔上，所述散热器通过绝缘导热垫片压接于功率半导体器件壳体和导热块的上方。
一种限流保护

[实用新型]半导体功率器件超声波焊接结构-CN202220856401.7有效
发明人：李永华 -专利权人：深圳市必利超音波自动化机械有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B23K20/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及超声波焊接的技术领域，公开了半导体功率器件超声波焊接结构，包括与换能器连接且由换能器驱动高频振动的连接段，连接段上连接有焊接头，连接段与焊接头的中部固定连接，焊接头的两端分别形成有抵压在半导体功率器件上的焊接抵压面，连接段的高频振动驱动焊接头的两个焊接抵压面高频摆动；本实用新型提供的半导体功率器件超声波焊接结构，换能器驱动连接段高频振动，连接段的高频振动驱动焊接头两端的焊接抵压面高频摆动，这样，在焊接半导体功率器件时，焊接抵压头抵压在半导体功率器件上，通过其高频摆动，实现半导体功率器件的焊接，焊接效果较佳。
半导体功率器件超声波焊接结构

[发明专利]功率半导体器件损耗及温度实时在线仿真系统及方法-CN201910292349.X有效
发明人：马柯;徐梦琦;王卫耀 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G05B17/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件损耗及温度实时在线仿真系统，包括：系统实时仿真模块、器件损耗计算模块以及器件热阻抗模块；所述系统实时仿真模块，模拟功率半导体器件及其所在系统的电磁行为，并向所述器件损耗计算模块提供实时电磁信号；所述器件损耗计算模块，模拟功率半导体器件损耗行为，接收所述系统实时仿真模块的实时电磁信号，并向所述器件热阻抗模块输出实时损耗信号；所述器件热阻抗模块，模拟功率半导体器件热行为，接收所述器件损耗计算模块的实时损耗信号本发明可从多时间尺度全面地对复杂电力电子系统中的功率半导体器件损耗及电、热应力特性进行实时分析，增加了器件温度仿真结果的可信度。
功率半导体器件损耗温度实时在线仿真系统方法

[实用新型]一种超低功耗半导体功率器件-CN202121819745.2有效
发明人：南雪莉;张浩茹;夏鹏;魏东来;董金峰;段启凯 -专利权人：山西大学
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低功耗半导体功率器件，属于半导体技术领域，其包括防护壳，所述防护壳内壁的相对面分别与四个固定块相远离的一面固定连接，所述固定块的上表面设置有滑动机构，所述滑动机构的外表面设置有第一弹簧和第二弹簧该超低功耗半导体功率器件，通过设置第一弹簧、第二弹簧、防护壳和防护板，当该半导体功率器件在移动的过程中受到外物撞击时，防护壳和防护板相互配合可对外物进行阻挡，同时第一弹簧和第二弹簧伸缩，伸缩的第一弹簧和第二弹簧相互配合对半导体本体进行防护，使得该半导体功率器件可在外物撞击时进行双重防护，使得该半导体功率器件不易因撞击而损坏，保证了该半导体功率器件正常的使用寿命。
一种功耗半导体功率器件

[发明专利]功率电路组件及制造方法-CN200610160598.6有效
发明人： E·C·德尔加多;R·A·博普雷 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种功率电路组件(10)包括基底(12)，该基底(12)包括衬底(14)，在衬底之上的多个互连电路层(16)，每个互连电路层(16)包括形成有衬底电互连线(20)图案的衬底绝缘层(18)，和从衬底的顶部表面延伸到至少一个衬底电互连线(20)的通路接线(22，24)；以及包括功率半导体器件(28)的功率半导体模块(26)，每个功率半导体器件(28)包括在各自功率半导体器件的顶部表面上的器件焊盘(30)和在各自功率半导体器件的底部表面上的背面触点(31)，功率半导体器件与薄膜结构(32)耦合，该薄膜结构包括薄膜绝缘层(34)和在薄膜绝缘层之上并选择性地延伸到器件焊盘的薄膜电互连线(36)，其中背面触点(31)与选择的衬底电互连线或者通路接线耦合
功率电路组件制造方法

[发明专利]用于预测和管理半导体器件功率和能量使用的系统和方法-CN202011339273.0在审
发明人：劳伦斯·克劳尔;尼纳德·胡伊高尔 -专利权人：智能能源系统公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本申请公开了用于预测和管理半导体器件功率和能量使用的系统和方法。用于修改半导体器件的功率使用的方法包括在一个或更多个处理器处接收半导体器件的模拟的活动流，该活动流包括信号流。使用一个或更多个处理器，从活动流中识别集成电路动作，每个集成电路动作表示半导体器件完成的工作的抽象。处理器确定与集成电路动作相关联的一个或更多个值。针对半导体器件生成功率使用的模型，该模型至少部分基于识别的集成电路动作和相关联的值。基于模型的输出，修改半导体器件的功率使用。还公开了与确定、建模和预测半导体器件的功率/能量使用相关的其他方法和系统。
用于预测管理半导体器件功率能量使用系统方法

[发明专利]用于估计半导体芯片温度的方法和设备-CN201280043404.8无效
发明人： P·B·萨格森;B·兰涅斯泰德 -专利权人：科电公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于估计容纳在工作中的诸如IGBT功率模块的功率半导体器件中的半导体芯片的温度的方法，所述方法包括以下步骤：在功率半导体器件工作中时，确定对于施加的负载电流的值的功率半导体器件上的电压降；基于半导体芯片的温度模型，通过评估确定的电压降与施加的负载电流的值之间的关系来估计半导体芯片的温度。本发明还涉及用于估计半导体芯片的温度的相应设备以及包括这种设备的风力涡轮机。
用于估计半导体芯片温度方法设备