“功率半导体器件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1297169个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路-CN202011102501.2在审
发明人：邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路，用于功率半导体器件Q的关断，连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间，包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络，功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态，改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗，稳定功率半导体器件Q的栅源电压；所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性，利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性，采用一路驱动信号，就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。
一种用于抑制非线性阻抗驱动电路

[实用新型]一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路-CN202022302133.8有效
发明人：邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 -专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路，用于功率半导体器件Q的关断，连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间，包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络，功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态，改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗，稳定功率半导体器件Q的栅源电压；所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性，利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性，采用一路驱动信号，就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。
一种用于抑制非线性阻抗驱动电路

[发明专利]功率半导体模块、其制造方法和电转换器-CN202180087075.6在审
发明人： S·基辛;G·里德尔;J·舒德雷尔;F·莫恩 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种功率半导体模块(34)，其包括承载多个功率半导体器件(10)的衬底(12)，其中，所述多个功率半导体器件(10)包括第一组功率半导体器件(10)和第二组至少一个功率半导体器件(10)。第一组功率半导体器件(10)由至少两个未损坏的功率半导体器件(10b、10c)组成，并且第二组功率半导体器件(10)由至少一个损坏的功率半导体器件(10a)组成。所述至少两个未损坏的功率半导体器件(10b、10c)以并联配置电互连，并且第二组至少一个功率半导体器件(10)与第一组功率半导体器件(10)的成员电分离。本公开进一步涉及一种电转换器和一种用于制造功率半导体模块(34)的方法。
功率半导体模块制造方法转换器

[实用新型]一种功率半导体器件保护装置-CN201821548271.0有效
发明人：李百尧;贾捷;王平生;何卫华 -专利权人：广东智科电子股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体器件保护装置，包括PCB板以及设置在PCB板上的功率半导体器件、散热器和温度传感器，温度传感器通过导热垫粘贴在功率半导体器件的下表面，直接采样功率半导体器件表面的温度，而且导热垫可以填充功率半导体器件和温度传感器之间的间隙，增大功率半导体器件和温度传感器之间的热传递界面，导热垫优良的热传导率提高了温度传感器对功率半导体器件温度上升的响应时间，使功率半导体器件的温度保护具有较好的保护效果，另一方面，散热器设置在功率半导体器件的上表面对功率半导体器件进行散热的同时，可以作为功率半导体器件的保护外壳，避免在运输、安装过程中功率半导体器件受到损伤。
功率半导体器件温度传感器导热垫散热器保护装置半导体器件本实用新型安装过程热传导率温度保护增大功率直接采样热传递上表面下表面散热填充粘贴损伤响应运输

[发明专利]一种功率半导体器件老化程度确定方法及系统-CN202210223263.3在审
发明人：徐国卿;潘正云;徐雪亮;向大为;肖正炜;佘辰;赵晖;董京阁;徐君;吴天宜 -专利权人：淮北矿业股份有限公司朱仙庄煤矿;煤炭工业合肥设计研究院有限责任公司;上海大学;阆芯（上海）电子科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件老化程度确定方法及系统，涉及功率半导体器件监测技术领域，包括：构建不同工况条件下的健康功率半导体器件数据模型；获取实际工况条件下电力电子设备中的被测功率半导体器件运行时的实际工作参数；根据实际工况条件确定被测功率半导体器件对应的健康功率半导体器件数据模型，并根据实际工作参数和被测功率半导体器件对应的健康功率半导体器件数据模型，确定测功率半导体器件的预测电压上升时间；根据实际电压上升时间和所述预测电压上升时间，确定被测功率半导体器件的老化程度。本发明能够准确确定功率半导体器件的老化程度，提高电力电子设备的可靠性。
一种功率半导体器件老化程度确定方法系统

[发明专利]一种半导体功率器件斩波测试电路及方法-CN200810212231.3有效
发明人：黄长强;曹怀志;刘长清;蹇芳;张宁 -专利权人：铁道部运输局;株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件斩波测试电路，采用电感作为测试负载，在对第一半导体功率器件的恢复电压进行测试时，连接电感和电源正极，在对第二半导体功率器件的恢复电压进行测试时，连接电感和电源负极。本发明还公开了一种半导体功率器件斩波测试方法，当对第一半导体功率器件进行测试时，控制第二半导体功率器件动作，测得第一半导体功率器件的恢复电压值，当对第二半导体功率器件进行测试时，控制第一半导体功率器件动作，测得第二半导体功率器件的恢复电压值。本发明所提供的测试电路及方法可以实现对半导体功率器件中续流二极管的恢复电压的有效测试。
一种半导体功率器件测试电路方法

[发明专利]一种功率半导体器件-CN202110727717.6在审
发明人：陈燕平;窦泽春;谢舜蒙;彭勇殿;朱武;张荣;荣春晖;袁勇;陈明翊;谭一帆 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括：至少一个晶体管元件，其中，所述晶体管元件包括高压功率端、低压功率端及控制端，所述高压功率端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的高压引脚，所述低压功率端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的低压引脚，所述控制端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的控制引脚；以及至少一个检测二极管单元，其中，所述检测二极管单元的阴极连接所述至少一个晶体管元件的所述高压功率端，所述检测二极管单元的阳极延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的检测引脚
一种功率半导体器件

[实用新型]集成母线电容的功率半导体模块的封装结构-CN202220289745.4有效
发明人：朱楠;邓永辉;史经奎;梅营;徐贺 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率半导体模块封装技术领域，公开了一种集成母线电容的功率半导体模块的封装结构，包括功率半导体器件；主电路绝缘基板，所述功率半导体器件设置在所述主电路绝缘基板的正面；正母线区域，设置在所述主电路绝缘基板的正面且位于所述功率半导体器件的下方该封装结构通过将多个半导体母线电容通过正母线区域和负母线区域与功率半导体器件连接，使得功率半导体器件与多个半导体母线电容一体封装，大幅度提高了系统的功率密度，此时半导体母线电容靠近功率半导体器件，可以减小功率回路的寄生电感；同时半导体母线电容利用主电路绝缘基板散热，能够提高半导体母线电容的散热效率。
集成母线电容功率半导体模块封装结构

[发明专利]换流臂、串联高压直流变压器及控制方法-CN201911130085.4有效
发明人：谢晔源;王宇;杨晨;张中锋;田杰 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：换流臂的首端连直流正极，尾端连直流负极，中点引出作为换流臂的交流端，换流臂包括至少一个耗能单元和至少一个均压单元；均压单元包括第一直流电容、第一功率半导体器件及串联连接的第三功率半导体器件和第四功率半导体器件，第三功率半导体器件另一端连接相邻均压单元的第三功率半导体器件和第四功率半导体器件的连接点或耗能单元；第一直流电容一端连接第三功率半导体器件和第四功率半导体器件的连接点，第一功率半导体器件一端连接第一直流电容另一端，第一功率半导体器件另一端连接第四功率半导体器件另一端，所有均压单元的第一功率半导体器件同向依次串联。
换流串联高压直流变压器控制方法

[发明专利]功率半导体器件、控制方法、装置及系统-CN202011227251.5在审
发明人：朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本发明还公开了一种功率半导体器件的控制方法、装置及系统。本发明提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。
功率半导体器件控制方法装置系统

[发明专利]具有有源缓冲器的功率开关-CN201180009537.9有效
发明人： K.特里尔 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种具有有源缓冲器的功率开关，依据第一实施例，该电子电路包括第一功率半导体器件，和被耦接到第一功率半导体器件的第二功率半导体器件。该第二功率半导体器件被配置成对抗第一功率半导体器件的振铃。
具有有源缓冲器功率开关

[发明专利]功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法-CN201810393462.2在审
发明人： G.科尔梅德;J.马勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件包括布置在半导体衬底的功率器件区中的至少一个功率晶体管。功率半导体器件进一步包括布置在半导体衬底的第一电路区中的第一电路。功率半导体器件进一步包括布置在半导体衬底的第二电路区中的第二电路。半导体衬底的第一电路区被布置在半导体衬底的第一边缘处。半导体衬底的第二电路区被布置在半导体衬底的第二边缘处。功率器件区被布置在第一电路区和第二电路区之间。
功率半导体器件衬底电路区半导体功率器件边缘处电路功率晶体管

[发明专利]用于估算功率模块的功率半导体器件的结温的方法和系统-CN202011339979.7在审
发明人：李制桓 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于估算功率模块的功率半导体器件的结温的方法和系统。所述方法包括：基于第一功率半导体器件的功率损耗和热阻来计算第一功率半导体器件的结温预测值，并且基于第二功率半导体器件的功率损耗和热阻来计算第二功率半导体器件的结温预测值。通过将温度传感器感测到的感测温度减去第一功率半导体器件的结温预测值来计算散热器的温度预测值。然后，通过将散热器的温度预测值与第二功率半导体器件的结温预测值相加来最终确定第二功率半导体器件的结温。
用于估算功率模块半导体器件方法系统

[发明专利]可关断功率半导体器件阀及其串联式拓扑结构-CN201110027716.7无效
发明人：杨雷;傅鹏 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可关断功率半导体器件阀及其串联式拓扑结构。可关断功率半导体器件阀由电流正向入口、电流反向入口之间相互并联的两个可关断功率半导体器件及电容、关断功率半导体器件各自对应反向并联的二极管构成。多个可关断功率半导体器件阀，依次串联构成串联式的拓扑结构。本发明所采用的可关断功率半导体器件不仅限于IGBT，还可以采用其它类型的可关断功率半导体器件；本发明的串联式拓扑结构允许各可关断功率半导体器件阀中的可关断功率半导体器件导通或关断的时间有差异；整个串联式拓扑结构的功能可以等效为一个可关断功率半导体器件
可关断功率半导体器件及其串联式拓扑结构

[实用新型]一种超低功耗半导体功率器件-CN201921803908.0有效
发明人：江俊 -专利权人：常州顺烨电子有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低功耗半导体功率器件，包括半导体功率器件本体，半导体功率器件本体的两侧表面均固定连接有引脚，多个引脚的一端固定连接有焊接脚，多个焊接脚的表面开设有焊接孔，半导体功率器件本体的表面固定连接有限位散热块，限位散热块的表面与半导体功率器件本体的表面相互平行。该超低功耗半导体功率器件，通过设置半导体功率器件本体的表面固定连接有限位散热块，限位散热块的表面与半导体功率器件的表面相互平行，限位散热块的内部设置有散热装置，散热装置包括有散热管，能够快速的散去焊接引脚所产生的热量以及半导体功率器件本体工作所产生的热量，进一步加强了半导体功率器件本体的使用寿命。
一种功耗半导体功率器件