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[发明专利]按照压力接触方式实施的功率半导体模块-CN201010004906.2有效
发明人：马库斯·克内贝尔;彼得·贝克达尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：介绍了一种按照压力接触方式实施的功率半导体模块(10)，用于设置在冷却构件(12)上。该功率半导体模块(10)具有至少一个衬底(14)，在所述衬底(14)上设置有功率半导体器件(20)。压力装置(26)用于使所述功率半导体器件(20)在所述至少一个衬底(14)上压力接触导通，以及用于从所述衬底(14)至冷却构件(12)的导热。将所述压力装置(26)构造为主动式冷却装置(28)。在根据本发明的功率半导体模块中，对于功率半导体器件的冷却方案得到改善。
按照压力接触方式实施功率半导体模块

[发明专利]具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法-CN202110950001.2在审
发明人：陈利;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，涉及半导体功率器件制备技术领域，具体为具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，包括保护机构、芯片体和主针脚，所述保护机构的内部设有基片该具有复合保护层的分裂栅功率半导体功率器件及制备方法，利用内衬保护膜可以保持保护机构与基片外部表面之间的贴合程度，而保护机构也可以根据使用者的需要进行拆卸操作，静电层和绝缘层可以对基片的外部表面进行静电防护作用，避免半导体在运输或安装过程中产生静电状况，减少半导体以及芯片受损的可能性，间接的提高了半导体功率器件的生产质量。
具有复合保护层分裂功率半导体器件制备方法

[发明专利]多端口固态断路器装置、系统和方法-CN202111070446.8在审
发明人：宋晓青;江淘莎;A·安东尼亚奇 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：多个断路器支路中的每个包括与第二功率半导体器件串联耦合的第一功率半导体器件以及在第一功率半导体器件与第二功率半导体器件中间的输入/输出端口。第一半导体器件和第二半导体器件中的至少一个包括有源控制的开关器件。浪涌抑制器与多个断路器支路并联地导电耦合。
多端固态断路器装置系统方法

[发明专利]制备准谐振变换器的单片IGBT和二极管结构及方法-CN201110436059.1有效
发明人：安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种制备准谐振变换器的结构及方法，包括在半导体衬底上形成的半导体功率器件，该半导体功率器件还包括一个在半导体衬底外围附近的通道终止区，其中通道终止区还包括一个二极管的外围端，对应与外围端水平相对的二极管另一端，设置在半导体功率器件的有源区上。在本发明的一个实施例中，半导体功率器件是一个绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
制备谐振变换器单片 igbt 二极管结构方法

[发明专利]集成式半导体功率开关器件-CN201710030598.2有效
发明人：朱永生;裴轶 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种集成式半导体功率开关器件。该集成式半导体功率开关器件包括：半导体功率开关、检测通过所述半导体功率开关的电流是否过流的电压嵌位与采样电路、及在所述电压嵌位与采样电路检测到通过所述半导体功率开关的电流过流时使所述半导体功率开关断开的驱动关断电路该集成式半导体功率开关器件，采用了集成式的器件结构，缩短了过流保护的信号采样‑传递‑处理‑执行的路径，减低过流保护的响应延时，实现了对每一个半导体功率开关的过流保护，适用于任何拓扑结构，消除了封装的管脚电感和
集成半导体功率开关器件

[发明专利]一种功率分立器件及其控制方法-CN202110217081.0在审
发明人：陈鹏 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率分立器件及其控制方法，该功率分立器件充分利用了分立器件有限的引脚和面积，通过两个不同类型的可控半导体芯片之间存在至少一个连接点，将两种不同类型的可控半导体芯片合封在该功率分立器件中，可以省去硅基半导体器件的二极管。其封装后得到的控制端口用于实现对于相应可控半导体芯片的通断驱动，以使功率分立器件的主功率电流流经相应功率流端口，以及相应的可控半导体芯片；而不同类型的可控半导体芯片的性能不同，可以依据当前实际应用场景，选择合适的可控半导体芯片承担相应的损耗，进而降低功率分立器件的总损耗；也即，通过控制两类芯片的导通和关断，进而降低整体工作损耗，提高利用率，降低成本。
一种功率分立器件及其控制方法

[发明专利]一种功率半导体器件的测试系统、云服务器及测试机-CN202180007976.X在审
发明人：杜若阳;唐诗;龙纲;邱辉 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种功率半导体器件的测试系统、云服务器及测试机，该系统包括：云服务器(100)和至少一台测试机(200)；云服务器(100)，用于预先利用多个功率半导体器件的历史数据进行训练获得人工智能模型；测试机(200)，用于获得待测试功率半导体器件的数据；云服务器(100)或测试机(200)，用于将待测试功率半导体器件的数据输入人工智能模型，人工智能模型的输出为待测试功率半导体器件的诊断结果。利用云服务器(100)强大的运算能力和存储能力可以预先训练获得准确的人工智能模型，从而云服务器(100)或者测试机(200)利用训练好的人工智能模型对待测试功率半导体器件进行诊断，可以获得准确的诊断结果，将异常的功率半导体器件剔除，以免在实际产品使用过程中发生故障致使整个电路故障。
一种功率半导体器件测试系统服务器

[发明专利]一种功率半导体器件-CN202010783759.7有效
发明人：陈政宇;周文鹏;曾嵘;余占清;赵彪;刘佳鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件，包括多个第一电引线、多个第二电引线、第一导电终端、第二导电终端、驱动控制板和第一电极，其中，所述多个第一电引线的一端与功率半导体器件的各个阴极单元连接，另一端延伸出功率半导体器件与第一导电终端连接；所述多个第二电引线的一端与功率半导体器件的门极环连接，另一端与延伸至门极环的第二导电终端连接；所述第一电极与功率半导体器件的阳极连接；所述第一导电终端和第二导电终端还分别与所述驱动控制板连接。通过设置多个第一电引线与多个第二电引线将功率半导体器件的阴极单元和门极环引出，方便用户观测功率半导体器件在小电流等级关断过程下的表面温度分布情况。
一种功率半导体器件

[实用新型]一种压紧功率半导体器件的装置-CN201521009544.0有效
发明人：杨鸣峰 -专利权人：无锡康博瑞特电子科技有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01R13/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种压紧功率半导体器件的装置，包括散热壳体、印刷电路板和若干功率半导体器件，散热壳体内设置有至少一个接触面体，散热壳体内的下部设置有卡槽，印刷电路板插入卡槽内，功率半导体器件排列为至少一排，单排功率半导体器件设置在印刷电路板的上端面靠近接触面体的位置，单排功率半导体器件背向接触面体一侧的上方设置有一个压紧片，压紧片上方的散热壳体上设置有螺孔，螺孔内设置有压紧螺丝。本实用新型提供的压紧功率半导体器件的装置，对功率半导体器件的压紧结构进行改良，安装方便，节省了人工，提高了生产效率，安装所使用的部件减少，降低了成本，绝缘膜无击穿情况，避免了产品故障的出现。
一种压紧功率半导体器件装置

[实用新型]一种功率半导体器件-CN202021617223.X有效
发明人：陈政宇;周文鹏;曾嵘;余占清;赵彪;刘佳鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括多个第一电引线、多个第二电引线、第一导电终端、第二导电终端、驱动控制板和第一电极，其中，所述多个第一电引线的一端与功率半导体器件的各个阴极单元连接，另一端延伸出功率半导体器件与第一导电终端连接；所述多个第二电引线的一端与功率半导体器件的门极环连接，另一端与延伸至门极环的第二导电终端连接；所述第一电极与功率半导体器件的阳极连接；所述第一导电终端和第二导电终端还分别与所述驱动控制板连接。通过设置多个第一电引线与多个第二电引线将功率半导体器件的阴极单元和门极环引出，方便用户观测功率半导体器件在小电流等级关断过程下的表面温度分布情况。
一种功率半导体器件

[发明专利]功率半导体装置和半导体功率模块-CN202310804059.5在审
发明人：大塚拓一;岩桥清太;畑野舞子;渡边龙太;吉原克彦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供功率半导体装置和半导体功率模块。该功率半导体装置具备平板状的厚铜基板、部分地配置在所述厚铜基板上的导电性的接合层、配置于所述接合层上的半导体功率器件、以及与所述半导体功率器件的电极电连接的外部连接用端子，所述厚铜基板的维氏硬度为50以下
功率半导体装置模块

[实用新型]单片半导体器件和半导体器件-CN201820405821.7有效
发明人： J·W·霍尔;G·M·格里弗纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及单片半导体器件和半导体器件。本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的单片半导体器件和改进的半导体器件。该单片半导体器件包括：衬底；第一二极管，形成在所述衬底的第一功率区域中；第二二极管，形成在所述衬底的第二功率区域中；第三二极管，形成在所述衬底的第三功率区域中；以及第四二极管，形成在所述衬底的第四功率区域中通过本实用新型，可以获得改进的单片半导体器件和改进的半导体器件。
二极管单片半导体器件衬底半导体器件功率区域本实用新型改进二极管连接桥式整流器

[发明专利]一种防止半导体功率器件结温超限的实时在线保护方法-CN202210347456.X在审
发明人：姚瑱;孙晨晨;杜鑫 -专利权人：南京埃斯顿自动化股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止半导体功率器件结温超限的实时在线保护方法，涉及半导体功率器件结温超限保护方法领域。可以在保证对CPU运算能力要求不高的前提下，通过固定周期tp内半导体功率器件的壳温和电流查表获得对应的时限值t，对tp/t进行累加，即可判断半导体功率器件的结温是否超限。首先，根据半导体功率器件的手册参数计算或仿真获得功率器件在不同电流、壳温下的堵转时限二维表格；然后，按照固定的周期tp获取半导体功率器件的电流、壳温；获得时限t；最后，按照tp/t进行累加，一旦累加值达到或超过1，则进行结温超限保护，关闭半导体功率器件。
一种防止半导体功率器件超限实时在线保护方法

[发明专利]侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法-CN202210392751.7有效
发明人：王俊;刘武灵;谭少阳;王邦国;赵武;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法、半导体封装结构，侧向光模式控制高功率半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心区域至电极注入区的边缘区域，所述电极注入区的厚度递减。所述半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
侧向模式控制功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]直流电子灭弧装置-CN201510459501.0在审
发明人：郭桥石;赖斌龙;邓达 -专利权人：广州市金矢电子有限公司
申请日： 2015-07-26 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01H9/30 文献下载
摘要：本发明直流电子灭弧装置属于电学领域，特别是一种适合于对机械开关作为灭弧使用的直流电子灭弧装置，其包括与所需灭弧的机械开关两端并联的功率半导体器件，其特征是功率半导体器件控制端与控制电路连接，功率半导体器件的主向路通过电容或电阻与控制电路连接，功率半导体器件的主回路两端的电压变化通过电容或电阻连接至控制电路，控制电路产生脉冲控制信号控制功率半导体器件导通，本发明直流电子灭弧装置具有功率半导体器件所需导通时间极短，成本低、可靠性高的优点。
直流电子装置