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[发明专利]基于视觉的片剂计数器-CN202180045334.9在审
发明人： 朴在勋;明圻沅 -专利权人：考格立克斯株式会社;康禾株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： A61J7/02 文献下载
摘要：片剂计数器可以包括：用于移动片剂的托盘；滑动结构体，其与所述托盘的一区域连接以接收从所述托盘供应的片剂，并且包括具有预定倾斜度的倾斜表面；方向转换结构体，其基于所述滑动结构体沿指定方向可移动地布置；以及控制部，其与所述方向转换结构体可操作地连接，并且控制所述方向转换结构体的移动以调整沿所述倾斜表面落下的片剂的落下方向。
基于视觉片剂计数器

[发明专利]制冰装置-CN201711051041.3有效
发明人：郑辉东;李基焕;任成彬;朴在勋;柳璋铉;丁敏秀 -专利权人：清湖乃思株式会社
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： F25C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种制冰装置。本发明一实施例的制冰装置包括：供水单元，供给用于制冰的水；接水槽，用于贮存从所述供水单元供给的水；蒸发器，被浸渍于所述接水槽所贮存的水中，用于对水进行冷却；旋转单元，结合于所述接水槽，用于选择性地使所述接水槽旋转；联接器，结合于所述接水槽的一侧，并且与所述接水槽一同旋转；离合器，结合于所述旋转单元，并与所述联接器连接，用于将所述旋转单元的旋转力传递至所述接水槽以及解除传递。
装置

[发明专利]改善了门的工作机构的供冰装置-CN201711048311.5在审
发明人：郑辉东;柳璋铉;朴在勋;陆俊秀 -专利权人：清湖乃思株式会社
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： F25C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及供冰装置，包括：本体；制冰单元，设置在所述本体内，用于制冰；储冰库，具有容纳空间及排冰口，所述容纳空间用于贮存制备好的冰；螺旋构件，以能够旋转的方式设置在所述储冰库内部，旋转时移送冰且使所述冰通过所述排冰口向本体外部排出；排冰门，用于开闭所述排冰口；其特征在于，所述排冰门通过获得驱动马达的旋转力来实现旋转开闭，所述排冰门和所述驱动马达之间设有连杆组件，所述连杆组件将所述驱动马达的旋转运动转换为用于开闭所述排冰门的转动运动。
冰门驱动马达排冰口供冰装置连杆组件容纳空间储冰库开闭方式设置工作机构螺旋构件旋转开闭制冰单元转动运动旋转力排出制冰制备贮存体内转换外部

[发明专利]易拆装的净水器-CN201711046173.7在审
发明人：郑辉东;李基焕;金善溶;朴在勋;柳璋铉;丁敏秀 -专利权人：清湖乃思株式会社
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明的净水器具有：至少一个过滤器，能够对原水进行过滤；至少一个储存罐，储存过滤器过滤的过滤水；出入流路，一端与储存罐连通，另一端分岔分别与过滤器和用于获取所述过滤水的取水口连通；水位传感器，与储存罐分开且设置在储存罐的外侧，用于检测储存罐中储存的过滤水的水位；流路分配器，设置在出入流路和所述储存罐之间实现水密结合；在储存罐的底部形成有使过滤水出入的单个出入口，单个出入口从储存罐的底面向下方突出，流路分配器的上部具有与储存罐的出入口的形状相对应的形状，储存罐的出入口以过盈配合方式可拆装地结合在流路分配器的上部。无需特殊工具也能够将储存罐等构成净水器的部件轻松地进行拆装，容易清扫或更换部件。
储存罐出入口过滤水流路分配器净水器过滤器流路连通过滤储存过滤器水位传感器储存更换部件过盈配合可拆装取水口易拆装拆装分岔水密原水清扫水位检测

[发明专利]曲面板玻璃的成型方法及装置-CN201780001025.5在审
发明人： 朴在勋 -专利权人：阿格拉斯有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C03B23/03 文献下载
摘要：本发明公开一种用于软化板玻璃来成型为三维形状的曲面板玻璃的成型方法及装置。本发明的成型装置由模具组、输送机和连续炉构成。模具组具有形成有支撑而容纳板玻璃的边缘周边的空腔的下模具和用于通过与下模具的闭模而将板玻璃成型为曲面板玻璃的上模具。输送机被设置成能够从用于将板玻璃装载至模具组的装载站向用于从模具组卸载曲面板玻璃的卸载站移送模具组。连续炉设置于装载站与卸载站之间。连续炉中从装载站向卸载站连续地配置有预热板玻璃的预热区域、软化板玻璃以使上模具靠自重冲压板玻璃的同时预对准于下模具来将板玻璃预成型为曲面板玻璃预成型品的预对准区域、借由上模具冲压曲面板玻璃预成型品来精密成型为曲面板玻璃的冲压区域、对所述曲面板玻璃进行缓冷的缓冷区域以及冷却曲面板玻璃的冷却区域。根据本发明，能够通过板玻璃的预热、预成型、精密成型、缓冷和冷却精密地制造三维形状的曲面板玻璃，且防止不良，进而提高生产性。
曲面板玻璃板玻璃模具组连续炉上模具下模具卸载站装载站缓冷成型方法及装置精密成型三维形状预成型品冲压输送机预成型预对准软化成型冷却边缘周边成型装置冷却区域预热区域冲压板容纳板生产性预热板预热闭模空腔卸载精密装载配置支撑制造

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201310042628.3有效
发明人： 朴在勋;张昌洙;宋寅赫;严基宙;徐东秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极；以及形成在所述第二半导体区域内与所述第三半导体区域对应的位置的至少一个位置的阻挡层。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201310224034.4有效
发明人： 朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电型漂移层；形成在漂移层上的第二导电型主体层；形成在漂移层下方的第二导电型集电极层；通过穿透主体层及一部分漂移层而形成的第一栅；形成在主体层中并形成为与第一栅间隔开的第一导电型发射极层；遮盖主体层及发射极层的上部并在第一栅上形成为扁平型栅的第二栅；以及形成在具有主体层、发射极层及漂移层的第一和第二栅的接触表面之间的偏析阻止层。本发明还提供了制造该功率半导体器件的方法。本发明提供的功率半导体器件防止了栅传导电压Vth的不稳定性，因此防止了集电极电流的波纹现象，由此提高功率半导体器件的稳定性。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体设备及其制作方法-CN201310308658.4有效
发明人：徐东秀;朴在勋;严基宙;张昌洙;宋寅赫 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体设备，所述功率半导体设备包括彼此间隔预定距离而形成的多个沟道栅，形成于所述沟道栅之间的电流增强部件，且所述电流增强部件包括第一导电型发射极层和形成于所述沟道栅表面上的栅极氧化层，以及形成于所述沟道栅之间的抗干扰性改善部件，所述抗干扰性改善部件包括第二导电型体层、形成于所述沟道栅表面上的保护膜和厚度小于所述电流增强部件的所述栅极氧化层的厚度的栅极氧化层。
功率半导体设备及其制作方法

[发明专利]功率半导体设备及其制造方法-CN201310182197.0有效
发明人：严基宙;宋寅赫;张昌洙;朴在勋;徐东秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体设备，该设备包括形成在有源区内的触点，从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅，形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱，形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分，以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。
功率半导体设备及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201510102793.2在审
发明人：张昌洙;徐东秀;牟圭铉;朴在勋;宋寅赫 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电型主体层；第二导电型电场限制环，设置在第一导电型主体层的上部中；电阻层，设置在第二导电型电场限制环之下；第二导电型阳极层，设置在第一导电型主体层的上部上。由于电阻层设置在第二导电型电场限制环之下，可有优势地影响半导体器件的击穿电压并提高半导体器件的耐用性。
半导体器件

[发明专利]玻璃板的剪切边裂纹去除装置-CN201380028661.9有效
发明人： 朴在勋 -专利权人：阿格拉斯有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C03B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于去除在薄板玻璃板的剪切边形成的细微裂纹的薄板玻璃的剪切边加工装置。本发明包括用于使玻璃板的剪切边熔融的燃烧器、用于向燃烧器供应燃烧气体的燃烧气体供应机构、用于吸附把持玻璃板并使玻璃板接近燃烧器的旋转真空吸附夹具。燃烧器包括火焰放射面、在火焰放射面形成的多个火焰放射孔。旋转真空吸附夹具包括配置得与燃烧器的火焰放射面垂直的旋转轴、固定于旋转轴的叶毂、一端固定于叶毂且在另一端上形成有吸附面的真空吸附臂。真空吸附臂设置成在旋转轴旋转时使在既定位置吸附把持的玻璃板的一面朝向燃烧器的火焰放射面。
玻璃板剪切裂纹去除装置

[发明专利]功率半导体器件-CN201510312366.7在审
发明人： 朴在勋;吴知然;金智慧;徐东秀;尹善载 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件。所述功率半导体器件包括：漂移层，具有第一导电型；集电极层，具有第二导电型，并形成在所述漂移层之下；集电极，设置在所述集电极层的下部的至少一部分上，所述集电极使用与所述集电极层具有整流接触的金属形成。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201410337329.7在审
发明人：宋寅赫;朴在勋;徐东秀;张昌洙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件可以包括：基板，包括第一导电型漂移层；第二导电型半导体基板，设置在所述基板的另一个表面上；第一导电型扩散层，设置在基板中并且杂质浓度高于漂移层的杂质浓度；第二导电型阱层，设置在所述基板的一个表面内；沟槽，从包括阱层的所述基板的一个表面形成，以便在深度方向上穿透扩散层；第一绝缘膜，设置在所述基板的表面上；以及第一电极，设置在沟槽中。扩散层在横向上的杂质掺杂浓度的峰值点位于接触沟槽侧面的区域中。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件-CN201310722649.X在审
发明人：张昌洙;严基宙;宋寅赫;朴在勋;徐东秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层，具有厚度t1，以耐受600V的反向电压；以及第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层的上部中并具有厚度t2，其中，t1/t2为15至18。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201410302847.5在审
发明人：宋寅赫;朴在勋;严基宙;徐东秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件及其制造方法。其中，该功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区；形成于第一半导体区中并且为第二导电类型的第二半导体区；形成于第二半导体区之上并且为第二导电类型的阱区；以及形成于阱区中并且为第一导电类型的源极区，其中，第二半导体区包括从器件的下部沿该器件的高度方向延伸形成的1至n层，并且在第n层的第二半导体区的最宽宽度为P_n的情况下，P₁<P_n，其中，n≥2。
功率半导体器件及其制造方法

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