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[发明专利]一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件-CN201910429419.1有效
发明人：张士英;徐庆君;韦德泉;李振华;刘建波;张彬 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下绝缘层、源极电极、源极电极延伸段、源极场板、MIS肖特基二极管延伸段、MIS肖特基二极管绝缘层、p型GaN或凹槽、漏极电极、钝化层、AlN错层漏极内嵌场板，MIS肖特基二极管绝缘层制备于源极场板向MIS肖特基二极管延伸段以及AlGaN势垒层表面中间区域，二极管靠漏极侧采用p‑GaN或凹槽，提升器件击穿特性，漏极下方采用内嵌的错层场板，提升漏极向衬底抗击穿的能力，错层设计适应漏极电场自右向左的渐变型分布，提升器件的击穿特性，延长源极场板并包裹栅极，栅漏侧形成MIS肖特基二极管，二极管做成分块隔离的方式
一种集成反向二极管内嵌漏极场板横向扩散 egan hemt 器件

[发明专利]MOS型肖特基二极管结构-CN202011567716.1在审
发明人：王艳春 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS型肖特基二极管结构，MOS型肖特基二极管结构包括设置于阴极背面金属层上的N型衬底层；位于N型衬底层上的N型外延层；内嵌在N型外延层上表面的多个MOS区域；多个MOS区域沿第一方向分布能够在增加肖特基区域宽度的同时，增大了MOS区域的底部宽度，实现降低高温漏电流和导通压降，提高了MOS型肖特基二极管的耐压和开关速度，且在对MOS型肖特基二极管施加反向电压时，各MOS区域产生的耗尽层仍然能够连接
mos 型肖特基二极管结构

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN201811466155.9有效
发明人：林信南;黄樟伟 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一方面由于在碳化硅MOSFET器件的结型场效应管区域的上方内嵌一个肖特基结，即在碳化硅MOSFET器件内嵌一个肖特基二极管，使得碳化硅MOSFET器件存在的开关损耗问题得到解决。
一种碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

[实用新型]一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路-CN201822242913.0有效
发明人：刘奕晨;李薇 -专利权人：深圳市富盛电子有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路，基于无线充电的肖特基二极管包括：SiO₂衬底001、第一Ge层002、第一N型Ge层010、第二N型Ge层006、铝Al金属层007和钨W金属层009，其中，所述第一Ge层002设置在所述SiO₂衬底001的表面；所述第一N型Ge层010设置在所述第一Ge层002的表面；所述第二N型Ge层006内嵌在所述第一N型Ge层010中；所述Al金属层007设置在所述第二N型Ge层006的表面上；所述W金属层009设置在所述第一N型Ge层010的表面的预设的肖特基接触指定区域内。应用本实用新型实施例提供的肖特基二极管的抗闩锁效应好，可靠性更佳。
肖特基二极管无线充电本实用新型整流电路金属层衬底肖特基接触闩锁效应内嵌预设应用

[发明专利]用于结实耐用封装的带有增强型上部接头结构的结型势垒肖特基二极管及其方法-CN201210238750.3有效
发明人：安荷·叭剌;潘继;伍时谦 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种带有增强型上部接头结构的半导体结型势垒肖特基二极管。参照X-Y-Z坐标系，结型势垒肖特基二极管具有平行于X-Y平面的半导体衬底。位于半导体衬底上方的有源器件区，具有带有Z-方向电流的结型势垒肖特基二极管。半导体衬底上方的外围保护区包围着有源器件区。增强型有源上部接头具有顶部接触金属，向下延伸，并与增强型上部接头结构的底部电传导；顶部接触金属内嵌入的底部支撑结构由硬材料制成，嵌入底部支撑结构向下延伸到增强型上部接头结构的底部。当结型势垒肖特基二极管封装时，在顶部接触金属上方一旦产生接合力，那么嵌入底部支撑结构就会增强增强型上部接头结构抵御顶部接触金属可能的细微破裂，降低结型势垒肖特基二极管的漏电流。
用于结实耐用封装带有增强上部接头结构结型势垒肖特基二极管及其方法

[发明专利]一种用于整流天线的肖特基二极管及整流电路-CN201811620031.1在审
发明人：薛磊;李雯 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于整流天线的肖特基二级管及整流电路，所述肖特基二级管包括：Si衬底(001)、晶化Ge_1‑xSn_x层(007)、N型Ge_1‑x1‑xSn_x层(007)设置在所述Si衬底(001)的表面；所述N型Ge_1‑xSn_x层(009)内嵌在所述晶化Ge_1‑xSn_x层(009)的表面上；所述W金属层(012)设置在所述晶化Ge_1‑xSn_x层(007)表面的预设肖特基接触区域内应用本发明实施例，能够提高肖特基二极管的电子迁移率，从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。
晶化肖特基二极管肖特基二级管整流电路整流天线金属层衬底无线能量传输系统最大转换效率电子迁移率肖特基接触内嵌预设微波应用

[发明专利]一种基于无线传输的硅基肖特基二极管及整流电路-CN201811620029.4在审
发明人：刘奕晨;李薇 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于无线传输的硅基肖特基二极管及整流电路，硅基肖特基二极管包括：Si衬底、第一Ge层、第二Ge层、SiGe/Ge应变超晶格插层、第一N型张应变Ge层、第二N型张应变Ge层、铝Al金属层和钨W金属层，第一Ge层设置在Si衬底的表面；第二Ge层设置在第一Ge层的表面；SiGe/Ge应变超晶格插层设置在第二Ge层的表面；第一N型张应变Ge层设置在第二Ge层的表面；第二N型张应变Ge层内嵌在第一N型张应变Ge层中；Al金属层设置在第二N型张应变Ge层的表面上；W金属层设置在第一N型张应变Ge层的表面的预设的肖特基接触指定区域内。应用本发明实施例可以提高肖特基二极管的电子迁移率。
张应变肖特基二极管硅基应变超晶格无线传输整流电路金属层插层衬底电子迁移率肖特基接触内嵌预设应用

[发明专利]一种肖特基二极管及整流电路-CN201811620030.7在审
发明人：薛磊;李雯 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基二级管及整流电路，肖特基二级管包括：Si衬底(001)、N型Si_1‑xGe_x层(004)、第一N型压应变Ge层(011)、第二N型压应变Ge)设置在所述Si衬底(001)的表面；所述第一N型压应变Ge层(011)设置在所述N型Si_1‑xGe_x层(004)的表面；所述第二N型压应变Ge层(007)内嵌在所述第一N型压应变Ge层(011)中；所述铝Al金属层(008)设置在所述第二N型压应变Ge层(007)的表面上；所述钨W金属层(010)设置在所述第一N型压应变Ge层(011)的表面的预设的肖特基接触指定区域内应用本发明实施例可以提高肖特基二极管的电子迁移率。
压应变肖特基二极管肖特基二级管整流电路金属层衬底电子迁移率肖特基接触内嵌预设应用

[发明专利]一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件-CN201910126536.0在审
发明人：胡盛东;安俊杰 -专利权人：重庆大学;安俊杰
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件，一方面在常规的槽型场氧器件基础上采用异质结肖特基二极管结构，即多晶硅与碳化硅直接接触，在降低器件制造成本的同时，降低JFET区域的电阻从而减小器件的导通损耗，消除由于肖特基金属退火温度差引起的肖特基势垒不可控的可靠性问题，从而达到降低具有二极管结构的碳化硅槽型场氧器件的工艺制造难度。
碳化硅槽型场氧异质结二极管功率MOS器件自保护内嵌肖特基二极管结构退火二极管结构可靠性问题肖特基势垒栅极氧化层槽型结构导通电阻导通损耗工艺制造击穿电压降低器件制造成本保护层常规的多晶硅温度差肖特基异质结电阻减小金属缓解

[发明专利]毫米波薄膜肖特基二极管及其制备方法-CN202211143439.0在审
发明人：陈海森;王俊龙;杨明宣;金雷 -专利权人：深圳市承恩热视科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波薄膜肖特基二极管及其制备方法，所述二极管包括半绝缘GaAs缓冲层，所述半绝缘GaAs缓冲层的上表面的左侧形成有阳极焊盘，所述半绝缘GaAs缓冲层的右侧形成有AlGaAs外延层，所述AlGaAs外延层的上表面形成有GaAs重掺杂层，所述GaAs重掺杂层的上表面的左侧形成有GaAs低掺杂层，所述GaAs重掺杂层上表面的右侧内嵌有阴极欧姆接触，所述阴极欧姆接触的高度高于所述GaAs低掺杂层的高度，所述GaAs低掺杂层的上表面形成有肖特基接触，所述肖特基接触通过空气桥与所述阳极焊盘连接。
毫米波薄膜肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种结势垒肖特基二极管结构-CN202020075832.0有效
发明人：曹群;肖秀光;吴海平 -专利权人：深圳比亚迪微电子有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供了一种结势垒肖特基二极管结构，包括：设置于阴极背面金属层上的N型碳化硅衬底层；位于所述N型碳化硅衬底层上的N型碳化硅外延层；内嵌在所述N型碳化硅外延层上表面的多个P型扩散区域；覆盖在所述N型碳化硅外延层上且避开所述本申请在N型碳化硅外延层的上表面沉积了薄层的N型硅区域，N型硅区域与金属阳极接触层之间形成硅肖特基结构，可有效降低肖特基势垒，使得载流子越迁能量降低，进而使得JBS的正向开启电压VF大幅度降低，以此降低了系统的开通损耗
一种结势垒肖特基二极管结构

[实用新型]毫米波薄膜肖特基二极管-CN202222486551.6有效
发明人：陈海森;王俊龙;杨明宣;金雷 -专利权人：深圳市承恩热视科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种毫米波薄膜肖特基二极管，所述二极管包括半绝缘GaAs缓冲层，所述半绝缘GaAs缓冲层的上表面的左侧形成有阳极焊盘，所述半绝缘GaAs缓冲层的右侧形成有AlGaAs外延层，所述AlGaAs外延层的上表面形成有GaAs重掺杂层，所述GaAs重掺杂层的上表面的左侧形成有GaAs低掺杂层，所述GaAs重掺杂层上表面的右侧内嵌有阴极欧姆接触，所述阴极欧姆接触的高度高于所述GaAs低掺杂层的高度，所述GaAs低掺杂层的上表面形成有肖特基接触，所述肖特基接触通过空气桥与所述阳极焊盘连接。
毫米波薄膜肖特基二极管

[发明专利]一种用于无线能量传输的肖特基二极管及整流电路-CN201811621007.X在审
发明人：薛磊;李雯 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于无线能量传输的肖特基二级管及整流电路，所述肖特基二级管包括：Si衬底、第一Ge层、张应变Ge层、第二N型Ge_1‑xSn_x层、第三N型Ge1‑xSn_x层设置在张应变Ge层的表面；第三N型Ge_1‑xSn_x层内嵌在第二sub>层中；Al金属层设置在第三N型Ge_1‑xSn_x层的表面上；W金属层设置在第二N型Ge_1‑xSn_x层的预设肖特基接触区域内应用本发明实施例，能够提高肖特基二极管的电子迁移率，从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。
张应变无线能量传输肖特基二极管肖特基二级管整流电路金属层衬底无线能量传输系统最大转换效率电子迁移率肖特基接触内嵌预设微波应用

[发明专利]一种具有内嵌肖特基二极管的RC-LIGBT器件-CN202010135094.9有效
发明人：易波;赵青;蔺佳;杨瑞丰;侯云如;黄东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压横向半导体器件，具体为一种具有内嵌肖特基二极管的RC‑LIGBT器件。本发明中，通过在集电极一侧引入N型欧姆接触区、浮空电极以及P型肖特基二极管，在反向工作状态下形成由两个串联二极管组成的载流子流通路径，使得器件具有反向导通的能力；同时，当器件工作在正向状态时，P型肖特基二极管不会开启
一种具有内嵌肖特基二极管 rc ligbt 器件

[发明专利]内嵌肖特基二极管的双载子接面晶体管半导体结构-CN201110132612.2有效
发明人：陈永初;陈信良 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌肖特基二极管的双载子接面晶体管半导体结构。第三阱形成于第一阱与第二阱之间。第一掺杂区与第二掺杂区形成于第三阱的一表面中。第一肖特基势垒覆盖于第一基区的一部分与第一掺杂区的一部分。第二肖特基势垒覆盖于第二基区的一部分与第二掺杂区的一部分。
内嵌肖特基二极管双载子接面晶体管半导体结构

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