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[发明专利]一种共漏双MOSFET结构的制作方法-CN202310286760.2有效
发明人：潘继 -专利权人：无锡沃达科半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种共漏双MOSFET结构的制作方法，其优化共漏MOSFET的源到源的导通电阻值，降低了生产难度和成本的同时，能够制造出厚氧化层的厚度较薄、沟渠的宽度较小的共漏双MOSFET结构，在门极（G1）和门极（G2）之间的核心部分厚氧化层完全是由硅晶体氧化而成，核心区不需要Mask遮挡，Mask的精度要求比以前做法中的Mask要低，且更方便于制造更小沟渠宽度的C2C共漏极金属场效应管，能够制造出核心厚氧化层IPO的厚度较薄、各栅极（G1，G2）沟槽较窄，整体沟渠的宽度（G1+IPO+G2）较小的共漏双MOSFET结构，有效降低了小沟渠的制造难度。
一种共漏双 mosfet 结构制作方法

[实用新型]涂胶装置及涂胶系统-CN202223448928.5有效
发明人：吴炳潮;潘继 -专利权人：广东百合医疗科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B05C9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及医用配件组装设备技术领域，具体为涂胶装置及涂胶系统，包括底座、涂胶座和涂胶柱，底座开设有开口朝上的容纳腔，底座上开设有进胶口和出胶口；涂胶座开设有开口朝上的内腔，涂胶座设置在容纳腔内，且内腔与进胶口相连通，涂胶座的上端设有围壁；涂胶柱安装在涂胶座上，涂胶柱开设有供胶通道，供胶通道与内腔相互连通；围壁与涂胶柱外侧壁之间具有一间隙以形成涂胶腔，涂胶座与容纳腔的侧壁之间具有一间隙以形成回胶腔，涂胶腔分别与供胶通道的回胶腔连通，回胶腔与出胶口连通。涂胶装置操作方便，涂胶作业效率高，且涂胶均匀；胶水一直处于流通状态，避免胶水不流动而凝固、影响涂胶作业，胶水不断流通也能更好地保证涂胶效果。
涂胶装置系统

[实用新型]旋转制动机构、C形臂X射线机及其监控器支架-CN202222212731.5有效
发明人：张特;潘继 -专利权人：上海西门子医疗器械有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：旋转制动机构，包括基座(10)、操作轴(20)、盘形凸轮(30)、杠杆(40)和制动件(50)。基座用于固定连接第一部件。操作轴绕第一轴线(L1)可转动地连接基座或以第一轴线为螺纹轴线螺纹连接基座。盘形凸轮连接操作轴。盘形凸轮的轴线与第一轴线重合。杠杆可转动地连接基座。杠杆的转动轴线平行于第一轴线且与第一轴线偏心设置。杠杆具有动力部(41)和负载部(42)，其偏离杠杆的转动轴线。盘形凸轮的凸轮面能够抵靠动力部以通过盘形凸轮的运动驱动杠杆转动。杠杆能够通过转动使负载部驱动制动件运动或变形，以使制动件抵压第二部件。该旋转制动机构结构简单，利于节省空间。此外还提供了C形臂X射线机及其监控器支架。
旋转制动机构形臂射线及其监控器支架

[发明专利]一种双扩散MOS晶体管结构及其制造方法-CN202210601566.4在审
发明人：潘继;徐鹏 -专利权人：无锡沃达科半导体技术有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种双扩散MOS晶体管结构，同时提供一种双扩散MOS晶体管的制造方法，其包括P型衬底，所述P型衬底上设置N型埋地层，所述N型埋地层上设置N型外延层，在所述N型外延层上两端分别设置P型体和N阱，在所述N阱上设置厚氧化场，在所述P型衬底、所述N型埋地层、所述N型外延层、所述P型体和所述N阱成型的基体上设置源极、漏极和栅极，在所述栅极上沉积氧化层，其能有效地缩短其开关的时间，从而降低上管的开关损耗。
一种扩散 mos 晶体管结构及其制造方法

[发明专利]数字证书处理方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202111607544.0在审
发明人：周宇坤;严兴俊;潘继 -专利权人：中国电信股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种数字证书处理方法、装置、电子设备及可读存储介质。该方法中，数字证书管理系统中的任一候选节点，均会响应于请求端发送的签发请求，根据该候选节点的私钥以及签发请求中携带的相关信息，生成数字证书。基于数字证书创建至少包括数字证书的区块，以作为候选区块。在候选区块符合预设要求的情况下，将候选区块确定为目标区块，并将目标区块中的数字证书返回给请求端。本发明实施例中，多个候选节点均生成数字证书，并最终会向请求端返回符合预设要求的目标区块中的数字证书，即使单一候选节点发生故障，一定程度上也可以实现数字证书签发，从而可以提高签发操作稳定性。
数字证书处理方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]带有可控相位节点振铃的开关电路-CN201710913345.X有效
发明人：潘继;雷燮光 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种开关电路，包括导电类型相同的一个第一MOS晶体管和一个第二MOS晶体管，并联在开关电路的第一端和第二端之间，第一和第二MOS晶体管具有各自的栅极端，耦合到控制端上，以接收控制信号，接通或断开第一和第二MOS晶体管。第一MOS晶体管的特征在于第一反向栅极至漏极电容（Crss），第二MOS晶体管的特征在于第二Crss，第二Crss大于第一Crss。
带有可控相位节点振铃开关电路

[实用新型]一种MOSFET-CN202120385825.5有效
发明人：潘继;徐鹏 -专利权人：无锡沃达科半导体技术有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域,公开了一种MOSFET，通过将MOSFET的栅极多晶硅层从中间区域引至边缘，然后通过第四电极与栅极金属电连接，而且由于第二栅极多晶硅层的底部设有第三氧化层、第二栅极多晶硅层的周围设有氧化层，能够使第二栅极多晶硅层承受漏极电压，不用开设相应的接口沟槽以及在接口沟槽中设置提供保护作用的氧化层，这样MOSFET在刻蚀时由于第一沟槽至第M沟槽的整体宽度差异小于0.1um.不用担心有颗粒残留在沟槽中。
一种 mosfet

[发明专利]一种MOSFET及其制造方法-CN202110194286.1在审
发明人：潘继;徐鹏 -专利权人：无锡沃达科半导体技术有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种MOSFET及其制造方法，通过将MOSFET的栅极多晶硅层从中间区域引至边缘，然后通过第四电极与栅极金属电连接，而且由于第二栅极多晶硅层的底部设有第三氧化层、第二栅极多晶硅层的周围设有氧化层，能够使第二栅极多晶硅层承受漏极电压，不用开设相应的接口沟槽以及在接口沟槽中设置提供保护作用的氧化层，这样MOSFET在刻蚀时由于第一沟槽至第M沟槽的整体宽度差异小于0.1um.不用担心有颗粒残留在沟槽中。
一种 mosfet 及其制造方法

[发明专利]具有叉指状背对背MOSFET的器件结构-CN201710283885.4有效
发明人：马督儿·博德;雷燮光;潘继 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一个双向开关器件，包括两个叉指状背对背垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），形成在衬底上，它们的漏极连接在一起，但相互隔离。
具有叉指状背对背 mosfet 器件结构

[实用新型]新型共漏双MOSFET结构-CN201921374651.1有效
发明人：潘继;徐鹏 -专利权人：无锡沃达科半导体技术有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型公开了新型共漏双MOSFET结构，涉及模拟电路与数字电路的技术领域。新型共漏双MOSFET结构，通过相互靠近的FET1和FET2单元，使得电流在晶圆中都是在相邻的FET1和FET2单元之间流动，这样大大减小了电流在介质中的传输距离，从而避免了电流在介质中长距离的输送导致的导通电阻，同时使得圆晶厚度与电流的传输距离的影响变小，进而使得圆晶无需做的很薄，从而降低了工艺难度，再者在不需要较大面积的FET1和FET2同时不需要晶圆背面的厚金属，因此避免了成品的MOSFET在晶圆上受到应力影响，同时避免晶圆的翘曲。
新型共漏双 mosfet 结构

[实用新型]平面结构沟道金氧半场效晶体管-CN201920963740.3有效
发明人：潘继;徐鹏 -专利权人：无锡沃达科半导体技术有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面结构沟道金氧半场效晶体管。平面结构沟道金氧半场效晶体管包括基体，基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，第一基板为P型晶圆基板，第二基板经过深N‑阱工艺处理。第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，沟道中形成有栅极，沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，栅极、源极和漏极位于基体的同侧。本实用新型中沟道型栅极和同侧设置的栅极、源极和漏极结构可以提高导通性能，减小单元间距，从而降低集成电源芯片的单位导通电阻，提高导通性能，并将同性能条件下的晶体管面积减小一半左右，同时便于在同一基体上集成多个晶体管结构。
平面结构沟道半场晶体管

[发明专利]新型共漏双MOSFET结构及其形成方法-CN201910780080.X在审
发明人：潘继;徐鹏 -专利权人：无锡沃达科半导体技术有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了新型共漏双MOSFET结构及其形成方法，涉及模拟电路与数字电路的技术领域。新型共漏双MOSFET结构，通过相互靠近的FET1和FET2单元，使得电流在晶圆中都是在相邻的FET1和FET2单元之间流动，这样大大减小了电流在介质中的传输距离，从而避免了电流在介质中长距离的输送导致的导通电阻，同时使得圆晶厚度与电流的传输距离的影响变小，进而使得圆晶无需做的很薄，从而降低了工艺难度，再者在不需要较大面积的FET1和FET2同时不需要晶圆背面的厚金属，因此避免了成品的MOSFET在晶圆上受到应力影响，同时避免晶圆的翘曲。
晶圆传输距离导通电阻工艺难度模拟电路数字电路应力影响厚金属变小减小翘曲流动

[发明专利]紧凑源极镇流器MOSFET及其制备方法-CN201810312715.9在审
发明人：雷燮光;马督儿·博德;潘继 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底，一个第二导电类型的本体区，一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，一个轻掺杂源极区和一个形成在本体区中的重掺杂源极区，以及一个延伸到本体区的源极接头形成在栅极沟槽附近的源极接触沟槽中。轻掺杂源极区延伸到本体区中比重掺杂源极区更深处。轻掺杂源极区在源极接触沟槽附近。镇流电阻器形成在轻掺杂源极区中，在重掺杂源极区和本体区之间，以及一个肖特基二极管形成在源极接头和轻掺杂源极区之间的接头处。
轻掺杂源极区重掺杂源极源极接触源极接头栅极沟槽衬底延伸镇流器半导体场效应晶体管第一导电类型肖特基二极管掺杂源极区镇流电阻器导电类型沟槽金属栅极电极接头处紧凑源氧化物制备

[发明专利]用于MOSFET应用的可变缓冲电路-CN201410054781.2有效
发明人：雷燮光;潘继 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明的各个方面提出了一种具有缓冲电路的MOSFET器件。缓冲电路包括一个或多个带有动态可控电阻的电阻器，由开关时一个或多个MOSFET结构的栅极和/或漏极电势的变化控制。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。
用于 mosfet 应用可变缓冲电路

[发明专利]用于功率MOSFET应用的端接沟槽-CN201410057850.5有效
发明人：李亦衡;马督儿·博德;高立德;哈姆扎·依玛兹;王晓彬;潘继;常虹;金钟五 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的各个方面提出了一种功率MOSFET器件的端接结构。端接沟槽形成在半导体材料中，包围着MOSFET的有源区。端接沟槽还包含导电材料的第一和第二部分。导电材料的第一和第二部分相互电绝缘。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。
用于功率 mosfet 应用端接沟槽

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