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[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210115728.3在审
发明人：蔡佳宏 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：利用光掩模进行第一光刻制作工艺而形成第一图案化光致抗蚀剂层。利用第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，对金属材料层进行图案化制作工艺，而形成包括多个金属图案的金属层。移除第一图案化光致抗蚀剂层。形成覆盖多个金属图案的第一介电层。利用在第一光刻制作工艺中所使用的相同光掩模进行第二光刻制作工艺而形成第二图案化光致抗蚀剂层。第二图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料为第一图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料的反型光致抗蚀剂材料。利用第二图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对第一介电层进行蚀刻制作工艺。移除第二图案化光致抗蚀剂层。
半导体结构制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202110337729.8在审
发明人：郭怡辰;刘之诚;翁明晖;魏嘉林;陈彦儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
光致抗蚀剂层表面处理盖层形成光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]独立自支撑膜的制造及其在纳米颗粒图案合成中的应用-CN201280053361.1有效
发明人：杨军;李庭杰 -专利权人：西安大略大学
申请日： 2012-10-03 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本专利公开了一种均匀孔径、特定形状以及规则孔分布的独立自支撑多孔膜加工方法，以及其在纳米颗粒图案合成中的应用。本方法包括将光致抗蚀剂层涂覆于基底上表面，首先将其加热相应时间段，然后通过具有预设图案的掩模版使该光致抗蚀剂层通过紫外曝光，并控制所述紫外线辐射剂量的强度和时间实现剂量控制，以便所述紫外线辐射剂量通过并进入所述光致抗蚀剂层顶部比与所述基底表面紧邻的光致抗蚀剂层底部经受更多的交联，从而在所述光致抗蚀剂层的厚度内产生交联梯度。由于与基低表面相邻的膜部分与膜表面相比交联程度低，去除掩模版后容易将膜层从基底表面分离。分离后的膜形成是具有特定图形分布的独立自支撑多孔膜。当沉积在UV透明基底上时，该方法也可以用正性光致抗蚀剂材料，以便将光致抗蚀剂从其顶部通过掩模对掩模版进行UV曝光并且从透明基底的背部掩模版进行直接无掩模的UV曝光。
独立支撑制造及其纳米颗粒图案合成中的应用

[发明专利]修正凸块光掩膜图案的方法-CN200810130467.2有效
发明人：傅文勇 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种修正凸块光掩膜图案的方法，包含：提供晶片，其主动面上具有多个焊垫；形成光致抗蚀剂层在晶片的主动面上；提供具有第一图案的第一光掩膜层，在此，第一光掩膜层的第一图案是用以限定出晶片上的有效区域，且有效区域是对应于晶片的全部区域；执行第一曝光工序，使得第一图案转移到光致抗蚀剂层上；以具有第二图案的第二光掩膜层取代具有第一图案的第一光掩膜层，并执行第二曝光工序，使得第二图案转移至光致抗蚀剂层上，在此，第二光掩膜层的第二图案是用以限定晶片的部份区域，且部份第二图案与部分第一图案重迭；及执行一显影及蚀刻步骤，以移除第二图案与第一图案的重迭部分，并曝露出在晶片上的有效区域上的多个焊垫以及移除在全部区域的无效区域上的部分光致抗蚀剂层。
修正凸块光掩膜图案方法

[发明专利]形成图形的方法和在其中使用的处理剂-CN01818879.6有效
发明人：居岛一叶;高野祐辅;田中初幸;船户觉 -专利权人：克拉瑞特国际有限公司
申请日： 2001-10-24 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：形成抗蚀图形的方法，包括以下步骤：(a)涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜，(b)在化学放大光致抗蚀剂膜上涂覆pH值为1.3到4.5的处理剂，(c)在涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜和涂覆所述的处理剂这两步的至少一步之后烘焙所述的化学放大光致抗蚀剂膜，(d)选择性地，将所述的化学放大光致抗蚀剂膜曝光，(e)曝光后烘焙所述的化学放大光致抗蚀剂膜，和(f)将所述的化学放大光致抗蚀剂膜显影，其中在用水去除光致抗蚀剂上的处理剂和在显影前旋转干燥后，比不涂覆处理剂的情况，化学放大光致抗蚀剂薄膜未曝光部分和显影液的接触角降低了10°到110°。使用此方法，在光致抗蚀剂膜上的显影溶液的湿润性得到了提高，因为在处理剂中含有例如有机酸的酸性成份，所以减小了漂浮的碱性物质的影响，从而形成了具有良好形状的图形。
形成图形方法其中使用处理

[发明专利]形成单元标识的方法、具有单元标识的显示基板和设备-CN200710186032.5无效
发明人：郑基勳;梁容豪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种单元标识形成方法，包括：在基板上形成金属层；在金属层上涂覆光致抗蚀材料，以形成光致抗蚀膜；通过包括与单元标识图案相对应的阻光图案的掩模来对光致抗蚀膜进行曝光；对曝光的光致抗蚀膜进行显影；使用显影的光致抗蚀膜来蚀刻金属层，以形成包括单元标识图案的金属图案；以及将激光束照射到单元标识图案的符号上。
形成单元标识方法具有显示设备

[发明专利]水蒸汽作为处理气，用于离子植入后抗蚀剂剥离中硬壳、抗蚀剂和残渣的去除-CN03147057.2有效
发明人： A·陈;罗素芸 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2003-08-30 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：水蒸汽作为处理气，从具有带图案的光致抗蚀剂层的衬底上剥离光致抗蚀剂材料，该光致抗蚀剂层曾作为离子植入掩模，其中该带图案的光致抗蚀剂层由覆盖在松光致抗蚀剂部分上的光致抗蚀剂硬壳加以限定。广义地说，水蒸汽可以更有效地剥离具有交联光致抗蚀剂硬壳的光致抗蚀剂材料，而不会使光致抗蚀剂硬壳爆裂，或者使松光致抗蚀剂底切。因此，水蒸汽作为一种安全、有效、而且经济的处理气，可用来剥离具有因离子植入而导致的光致抗蚀剂硬壳的光致抗蚀剂材料。
水蒸汽作为处理用于离子植入后抗蚀剂剥离硬壳抗蚀剂残渣去除

[发明专利]用于使用电镀来制造精细金属掩模的方法-CN201710494570.4在审
发明人：金治宇;朴钟甲;申兴铉 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：所述方法包括(a)在载具上形成牺牲层；(b)在牺牲层上形成电极层；(c)在电极层上形成光致抗蚀剂膜；(d)通过光刻将光致抗蚀剂膜图案化；(e)形成电镀层；(f)去除图案化的光致抗蚀剂膜，从而留下用作金属图案的电镀层；(g)将电极层图案化以形成对应于金属图案的图案，从而形成包括电镀层和电极层的掩模图案；(h)执行热处理以增大掩模图案的硬度；(i)检查掩模图案；以及(j)将掩模图案从载具分离。
用于使用电镀制造精细金属方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物以及用多层光致抗蚀剂体系进行多重曝光的方法-CN200880116679.3有效
发明人：黄武松;陈光荣;P·R·瓦拉纳斯;李伟健 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光致抗蚀剂组合物及在多重曝光/多层方法中使用所述光致抗蚀剂组合物的方法。所述光致抗蚀剂组合物包含：包含含有羟基结构部分的重复单元的聚合物，光酸产生剂；以及溶剂。一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在图案位置处曝光所述第一光致抗蚀剂层，在所述衬底以及图案化第一光致抗蚀剂层上形成第二非光致抗蚀剂层。另一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在图案位置处曝光所述第一光致抗蚀剂层，在所述衬底以及图案化第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层并且在图案位置处曝光所述第二光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂组合以及多层体系进行多重曝光方法

[发明专利]极性弹性体微结构及其制造方法-CN201780078835.0在审
发明人： R·G·曼利;K·梅罗特拉;B·J·帕多可;R·瓦迪;N·Z·哲勒夫;朱斌 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种制造极性弹性体的微结构的方法，包括：用包含极性弹性体的电介质材料涂覆基材；用光致抗蚀剂涂覆电介质材料；使光致抗蚀剂通过光掩模暴露于紫外(UV)光，以在光致抗蚀剂上限定图案；对光致抗蚀剂进行显影以在光致抗蚀剂上形成图案；对电介质材料进行蚀刻以将图案从光致抗蚀剂转移到电介质材料；以及从经过图案化的电介质材料移除光致抗蚀剂。
光致抗蚀剂电介质材料极性弹性体微结构图案蚀刻涂覆基材光掩模抗蚀剂图案化涂覆显影移除制造暴露

[发明专利]形成半导体器件的微小图案的方法-CN200610083687.5无效
发明人：金钟勋 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种形成半导体器件的微小图案的方法。在半导体基片上顺序形成第一氧化物膜、下抗反射膜以及第一光致抗蚀剂膜图案之后，使用第一光致抗蚀剂膜图案作为掩模蚀刻下抗反射膜以及第一氧化物膜。在氮化物膜沉积在整个结构上之后，蚀刻氮化物膜以在第一氧化物膜的侧壁上形成间隔物；第二氧化物膜沉积在整个结构上并随后被抛光。第二光致抗蚀剂膜图案随后形成在整个结构上。使用第二光致抗蚀剂膜图案作为掩模去除所述氮化物膜，以形成具有100nm的线和50nm的间隔的氧化物膜图案及多个图案。通过采用其中改进了具有100nm的线和200nm的间隔的图案的CD规则性和工艺自由度的图案，50nm的线和100nm的间隔或者100nm的线和50nm的间隔图案可形成为超过ArF曝光设备的限制。
形成半导体器件微小图案方法

[发明专利]半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺-CN03143604.8有效
发明人：颜裕林;张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺。首先，提供一衬底，衬底上依序形成有第一抗反射介质涂层、第一光致抗蚀剂助黏层及第一图案化光致抗蚀剂层。接着，去除第一抗反射介质涂层上的第一图案化光致抗蚀剂层及第一光致抗蚀剂助黏层，例如以湿式剥离法完成。然后，形成第二抗反射介质涂层于第一抗反射介质涂层上。然后，形成第二光致抗蚀剂助黏层于第二抗反射介质涂层上。接着，形成第二图案化光致抗蚀剂层于第二光致抗蚀剂助黏层上。
半导体图案化光致抗蚀剂层工艺

[发明专利]半导体器件制造方法-CN200680053348.0无效
发明人：山田惠三 -专利权人：株式会社拓普康
申请日： 2006-03-06 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的课题在于良好地管理光致抗蚀剂工序，提高半导体器件的制造效率。本发明的半导体测量装置的特征在于，包括：在半导体衬底上形成光致抗蚀剂膜的步骤；利用形成有工艺评价用的规定图案的掩模，对每个曝光区采用不同的曝光条件曝光所述光致抗蚀剂膜的步骤；在规定条件下使所述光致抗蚀剂膜显影，从而在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂结构体的步骤；向形成有所述光致抗蚀剂结构体的所述半导体衬底的表面照射电子束的步骤；对随着所述电子束的照射而产生于所述半导体衬底的衬底电流进行测量的步骤；和根据所述衬底电流的波形计算工艺窗口的步骤
半导体器件制造方法

[发明专利]曝光方法和曝光设备-CN96112248.X无效
发明人：手塚达郎 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-07-28 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光设备和方法，可优化光致抗蚀剂膜的曝光，而与光致抗蚀剂膜因曝光而发生的化学反应无关。利用第1光致抗蚀剂膜和第1半导体片测量最佳曝光，并将获得的数据存到存储器中。然后用相同的曝光对第2半导体片上的第2光致抗蚀剂膜曝光，测量开始曝光时由第2光致抗蚀剂膜和第2半导体片的反射光强。读出存储的第1光致抗蚀剂膜和第1半导体片的最佳曝光时间数据，将它用作第2光致抗蚀剂膜和第2半导体片的最佳曝光时间。
曝光方法设备

[发明专利]芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法与结构-CN01144617.X无效
发明人：许诗滨;陈江都;刘彦宏 -专利权人：全懋精密科技股份有限公司
申请日： 2001-12-20 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法与结构，该结构的特征在于基板的电性接触垫外表面完全被一镍/金层所包覆，且该基板并未具有另外布设的电镀导线；该制作方法包含：在一已电路图案化而定义出线路层的基板表面，覆盖上一导电膜；再在基板表面形成一光致抗蚀剂层覆住基板，该光致抗蚀剂层具有开孔以露出线路层作为电性接触垫区域的那部分；移除未被该光致抗蚀剂层所覆盖的导电膜；在基板表面形成另一光致抗蚀剂层覆住残露于前述光致抗蚀剂层开孔区的导电膜；对该基板的电性接触垫进行电镀镍/金，使所述电性接触垫整个表面皆镀上镍/金层；最后移除光致抗蚀剂层与所覆的导电膜。
芯片封装基板电性接触电镀制作方法结构