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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电铸模的制造方法、电铸模及电铸部件的制造方法-CN200780035977.5有效
发明人：新轮隆;岸松雄;重城幸一郎;保科宏行 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：本发明的电铸模的制造方法，在基板(1)的底部导电膜(2)的上面形成第一光致抗蚀层，将第一光致抗蚀层(3)划分成可溶部(3b)和不溶部(3a)。接着，在第一光致抗蚀层的上面，以发出波长为不使第一光致抗蚀层感光的范围的光的温度范围，对导电性材料进行加热蒸镀，形成中间导电膜(5)。在将该中间导电膜形成图形之后，在因中间导电膜的除去而露出的第一光致抗蚀层的上面和因图案形成而残留的中间导电膜的上面形成第二光致抗蚀层(6)。将该第二光致抗蚀层划分成可溶部(6b)和不溶部(6a)。接着，对第一光致抗蚀层及第二光致抗蚀层进行显影，除去可溶部(3b、6b)，得到在各级的底部具有导电膜的电铸模(101)。
铸模制造方法电铸部件

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202111682535.8在审
发明人：羽贺满;李明琦 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本文公开一种图案形成方法，该方法包括：(a)在半导体基底上施加光致抗蚀剂组合物层，(b)以图案化的方式使该光致抗蚀剂组合物层曝光于i线辐射；以及(c)使该曝光的光致抗蚀剂组合物层显影以提供抗蚀剂浮雕图像；其中该光致抗蚀剂组合物包含非离子型光酸产生剂；溶剂；第一聚合物和第二聚合物；并且其中该第一聚合物包含聚合物染料。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及光致抗蚀剂-CN201510859540.X有效
发明人：訾安仁;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置的制造方法及光致抗蚀剂，此方法包含形成光致抗蚀剂材料在基底上，光致抗蚀剂材料具有聚合物其包含具有链段和联结基的主链，链段包含碳链和紫外线可硬化基，紫外线可硬化基耦接至碳链和联结基；实施第一曝光工艺其经由将联结基从每个链段的连接的紫外线可硬化基去耦接来打断聚合物主链；实施第二曝光工艺以形成图案化的光致抗蚀剂层；以及显影图案化的光致抗蚀剂层。本发明的半导体装置的制造方法和光致抗蚀剂可提供更准确的图案化、更清楚的图案解析度、更低的重加工或废料率及/或其他的益处。
半导体装置制造方法光致抗蚀剂

[发明专利]微透镜阵列及其形成方法-CN202210455425.6在审
发明人：林淯琮 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种形成器件的方法，方法包括：在基板之上沉积第一光致抗蚀剂层，通过图案化和回流第一光致抗蚀剂层形成种子透镜阵列，种子透镜阵列的尺寸跨基板变化，在种子透镜阵列之上形成第二光致抗蚀剂层，以及通过图案化和回流第二光致抗蚀剂层形成微透镜阵列
透镜阵列及其形成方法

[发明专利]光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法-CN201710112538.5在审
发明人：金台勋;李锡薰 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：提供光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法，一种光掩模的制造方法，其具备包含透光部、第1透过控制部和第2透过控制部的转印用图案，该方法包括下述工序准备形成有第1光学膜和第1抗蚀剂膜的光掩模坯后，对第1抗蚀剂膜进行第1绘图，形成第1抗蚀剂图案；使用第1抗蚀剂图案仅对第1光学膜蚀刻，形成第1光学膜图案；在透明基板上形成第2光学膜后，在第2光学膜上形成第2抗蚀剂膜并进行第2绘图，形成第2抗蚀剂图案；和使用第2抗蚀剂图案仅对第2光学膜蚀刻，形成第2光学膜图案；第2抗蚀剂图案具有下述尺寸在覆盖第2透过控制部的形成区域的同时，在第2透过控制部的边缘在相邻的第1透过控制部侧加上了特定宽度的裕量。
光掩模制造方法显示装置

[发明专利]返工处理方法-CN200610116882.3有效
发明人：李建茹;宋铭峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：确定需返工的光致抗蚀剂层；灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；进行介质层表面剥除步骤；重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行检测；对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；获得检测合格的光致抗蚀剂层。通过在移除光致抗蚀剂层后，增加一介质层表层剥除步骤，可去除介质表面变质的薄层，在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面，继而保证在后续刻蚀过程中介质层表面的刻蚀速率不被改变，进而不再形成刻蚀开路缺陷
返工处理方法

[发明专利]图案化光致抗蚀剂的去除-CN201510859346.1有效
发明人：郑雅玲;张庆裕;陈建志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及图案化光致抗蚀剂的去除。具体的，本发明提供一种用于执行光刻工艺的方法。所述方法在光致抗蚀剂已被用作为蚀刻掩模后，促进光致抗蚀剂从晶片的去除。所述光致抗蚀剂可以是负色调光致抗蚀剂，其经历曝露于电磁能的交联过程。通过降低的曝光后烘烤温度和/或减少交联剂加载来限制所述交联，所述光致抗蚀剂或者至少其一部分可具有减小的溶剂式剥除阻力。由于所述减小的溶剂式剥除阻力，所述光致抗蚀剂的一部分可使用溶剂式剥除加以去除。在所述溶剂式剥除之后，可执行干蚀刻以去除所述光致抗蚀剂的剩余部分。
图案化光致抗蚀剂去除

[发明专利]正型干膜光致抗蚀剂和用于制备该光致抗蚀剂的组合物-CN200580042324.0有效
发明人：朴世炯;金炳基;朴钟旼;白圣寅 -专利权人：可隆株式会社
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G03F7/022 文献下载
摘要：正型光致抗蚀剂树脂膜包含载体膜和层压在所述载体膜上面的正型光致抗蚀剂树脂层。所述载体膜的峰高(Rp)小于约300nm以消除鱼眼缺陷。所述正型光致抗蚀剂树脂层可以包含碱溶性树脂、重氮化物基光敏化合物、增塑剂以及任选的灵敏度增强剂和释放剂。
正型干膜光致抗蚀剂用于制备光致抗蚀剂组合

[发明专利]光致抗蚀剂剥离液组合物以及光致抗蚀剂的剥离方法-CN200610054750.2无效
发明人：大和田拓央;池上薰 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物、以及光致抗蚀剂和光致抗蚀剂变质层的剥离方法，其在半导体电路元件的制造工序中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层等具有优良的剥离性；且不会对新型的布线材料和层间绝缘膜材料产生浸蚀本发明所使用的光致抗蚀剂剥离液组合物含有：炔醇化合物和有机磺酸化合物之中的至少1种、以及多元醇及其衍生物之中的至少1种。
光致抗蚀剂剥离组合以及方法

[发明专利]多段转印模具的制造方法、多段转印模具以及以该方法、模具而得的零件-CN201180074857.2无效
发明人：佐野孝史;寺田常徳 -专利权人：株式会社LEAP
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：本发明包括：于金属基板上形成零件形状的光致抗蚀剂图案，该零件形状的光致抗蚀剂图案具有所期望的纵横比、且侧壁具有所期望的角度α；于光致抗蚀剂图案上，形成用以获得连接柱的形状与厚度的连接柱形状的光致抗蚀剂图案，连接柱用以与上部层连接；借由电铸造，将形成有连接柱形状的光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案完全填埋、直至达到规定的厚度为止，以制造转印模具；使转印模具离开金属基板，以制造母料模具。
多段转印模制造方法以及模具零件

[发明专利]电致发光元件的制造方法-CN03810515.2无效
发明人：立川智之;伊藤范人 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2003-05-08 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明的主要目的是提供一种在剥离光致抗蚀剂层等不需要的层时可以很好地进行剥离的EL元件制造方法。为了达到上述目的，本发明提供的EL元件的制造方法的特征在于，具有：在至少形成电极层的基板上形成有机EL层的有机EL层形成工序，在所述有机EL层上形成剥离层的剥离层形成工序，在所述剥离层上形成光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂层形成工序，通过对所述光致抗蚀剂层进行曝光、显影而形成图案的光致抗蚀剂层图案形成工序，除去所述光致抗蚀剂层未覆盖的部分的有机EL层的有机EL层显影工序，通过剥离所述剥离层除去层叠在其上面的光致抗蚀剂层的剥离层剥离工序
电致发光元件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN03147147.1无效
发明人：辻田好一郎;中江彰宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-07-04 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的课题是设计使构制图形时留下的光致抗蚀剂的形状为适当的多层膜结构。多层膜结构20具有依次层叠了多晶硅10、氧化硅膜11、抗反射膜12的结构，在抗反射膜12上设置了光致抗蚀剂13。首先，(i)设定氧化硅膜11的膜厚，使得抗反射膜12与光致抗蚀剂13的界面上的、从光致抗蚀剂13一侧看的反射系数的绝对值在第1值以下。接着，(ii)在由工序(i)设定的范围内，设定氧化硅膜11的膜厚，使得反射系数的相位的绝对值在第2值以上。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种形成包括钙钛矿的装置的方法-CN201780036517.8在审
发明人： A·别索诺夫 -专利权人：恩波顿公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种方法包括：提供包括一个或多个电子结构的基板；提供覆盖所述一个或多个电子结构的钙钛矿层；涂覆覆盖所述钙钛矿层的光致抗蚀剂材料层；将掩模与所述一个或多个电子结构对准并图案化所述光致抗蚀剂材料；以及使用相同的蚀刻剂去除所述图案化的光致抗蚀剂材料的部分和位于所述图案化的光致抗蚀剂材料的所述部分下方的所述钙钛矿
光致抗蚀剂材料电子结构图案化钙钛矿层钙钛矿光致抗蚀剂材料层蚀刻剂覆盖基板去除涂覆掩模对准

[发明专利]修整硬掩模层的方法、形成晶体管栅极的方法和堆叠结构-CN200710002192.X有效
发明人：王明俊;陈薏新;杨闵杰;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：三层堆叠层包括有一顶层光致抗蚀剂、一含硅层以及一底层光致抗蚀剂。依序图案化顶层光致抗蚀剂、含硅层、底层光致抗蚀剂和硬掩模层，然后对硬掩模层进行一修整工艺。由于本发明的底层光致抗蚀剂较薄且蚀刻过程中有所耗损，所以不会发生光致抗蚀剂线倒塌的情况。
修整硬掩模层方法形成晶体管栅极堆叠结构

[发明专利]用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法-CN201980009806.8在审
发明人：朴泰文;李东勋;宋贤宇;李佑然 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物以及涉及用于使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物在能够表现出对光致抗蚀剂优异的剥离能力的同时能够抑制剥离过程期间下部金属膜的腐蚀并能够有效地除去氧化物
用于除去光致抗蚀剂剥离组合使用方法

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