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[发明专利]用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用所述剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂的方法-CN201010000401.9有效
发明人：闵盛晙;权赫俊;朴珉春 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。更具体而言，通过含有一种式1表示的化合物，本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物具有优良的光致抗蚀剂剥离能力，并且在光致抗蚀剂的下层膜包含钼(Mo)的情形下，具有对所述光致抗蚀剂的下层膜的优良的防腐蚀效果。
用于光致抗蚀剂剥离组合使用方法

[发明专利]触摸面板的制造方法-CN201480049457.X无效
发明人：水村通伸 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：在包括金属膜、绝缘膜以及透明电极膜的触摸面板的制造方法中，金属膜以及绝缘膜的图形化包括使用印刷用掩膜印刷形成光致抗蚀剂的图案的工序(S4、S5、S10、S11)、以及将光致抗蚀剂的图案作为掩膜进行湿式蚀刻从而图形化的工序(S6、S12)，透明电极膜的形成包括使用具有与应形成的图案对应的开口图案的溅射用掩膜对被图案化的透明电极膜进行溅射成膜的工序。通过使用印刷用掩膜利用印刷形成光致抗蚀剂的图案，且使用溅射用掩膜对被图案化的膜进行成膜，从而能够排除光学加工，因此能够减少设备成本与运行成本。
触摸面板制造方法

[发明专利]制作悬浮结构的方法-CN200610100646.2无效
发明人：康育辅;杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：首先，提供基底，基底上包括加热硬化的图案化光致抗蚀剂层。之后，蚀刻硬化的图案化光致抗蚀剂层，使图案化光致抗蚀剂层具有预定的侧壁形状。接着在部分的基底与部分的图案化光致抗蚀剂层上方形成结构层，随后再进行干式蚀刻工艺以移除图案化光致抗蚀剂层，使结构层成为悬浮结构。
制作悬浮结构方法

[发明专利]用于负显影的含保护羟基的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法-CN201310140833.3有效
发明人：陈光荣;黄武松;李伟健 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及能够负显影的光致抗蚀剂组合物和利用所述光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。所述光致抗蚀剂组合物包括成像聚合物、交联剂和辐射敏感型产酸剂。所述成像聚合物包括具有酸不稳定部分取代的羟基的单体单元。所述图案形成方法利用有机溶剂显影剂来选择性除去光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层中未曝光区域，以在光致抗蚀剂层中形成图案化的结构。所述光致抗蚀剂组合物和图案形成方法尤其可用于利用193nm(ArF)光刻法在半导体衬底上形成材料图案。
用于显影保护羟基光致抗蚀剂组合使用图案形成方法

[发明专利]形成微图案的方法及基板处理设备-CN201811612414.4在审
发明人：张相信;白宗玟;徐训硕;李义福;姜成进;V.阮;郑德泳;安商熏;吴赫祥;刘禹炅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。
辅助层粘合层光敏亲水基团蚀刻目标微图案图案化光致抗蚀剂光致抗蚀剂膜基板处理设备共价键封端基板疏水

[发明专利]树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法-CN202110475544.3在审
发明人：王筱姗;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请涉及树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法。具体地，本文公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案化的光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物以及包含自由基活性官能团和酸不稳定基团的树脂。
树脂光致抗蚀剂组合制造半导体器件方法

[发明专利]光刻方法-CN201410858501.3在审
发明人：朴钟根;C·N·李;C·安德斯;李忠奉 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种制造电子设备的方法，依次包括以下步骤：(a)提供包括一个或多个要图案化的层的半导体基材；(b)在所述一个或多个要图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层由包括以下组分的组合物制成：包括具有酸不稳定基团的单元的基体聚合物；光致酸产生剂；和有机溶剂；(c)在光致抗蚀剂层上涂覆光致抗蚀剂保护层组合物，其中保护层组合物包括淬灭聚合物和有机溶剂，其中所述淬灭聚合物包括含碱性部分的单元，其有效中和了在光致抗蚀剂层的表面区域内由光致酸产生剂产生的酸；(d)将光致抗蚀剂层曝光于活化辐射下；(e)在曝光后烘烤工艺中加热基材；和(f)将曝光的膜用有机溶剂显影剂显影。
光刻方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202110106359.7在审
发明人：杨立柏;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本文提供光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，本文提供一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上形成光致抗蚀剂层；以及使光致抗蚀剂层选择性地曝露于光化辐射以形成潜在图案。通过将显影剂施加至经选择性曝露的光致抗蚀剂层以形成图案，来使潜在图案显影。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物和聚合物。聚合物具有附接到聚合物的碘或碘代基中的一者或多者，并且聚合物包括一种或多种具有交联剂基团的单体单元，并且具有交联剂基团的单体单元为以下中的一者或多者：或者，光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物、含有碘或碘代基的聚合物以及具有两个至六个交联基团的交联剂。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]形成开口于下方层中的方法-CN201810957232.4有效
发明人：林子扬;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：形成开口于下方层中的方法包括：形成光致抗蚀剂层于基板上的下方层上；曝光光致抗蚀剂层；以显影溶液显影曝光的光致抗蚀剂层，以形成光致抗蚀剂图案，且光致抗蚀剂图案覆盖欲形成开口的下方层的区域；形成液体层于光致抗蚀剂图案上；在形成液体层后，进行烘烤工艺以将液体层转变为固体型态的有机层；进行回蚀刻工艺以移除高于光致抗蚀剂图案的有机层的一部分；移除光致抗蚀剂图案，以经由有机层的其余部分露出下方层的部分；采用有机层的其余部分作为蚀刻掩模
形成开口下方中的方法

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201711183989.4有效
发明人：张莉琳;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本公开提供光刻图案化的方法的实施例。方法包括涂布光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包括第一聚合物、第一光产酸剂、以及化学添加剂混合于溶剂中；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及对光致抗蚀剂层进行显影工艺，以形成图案化光致抗蚀剂层。化学添加剂在光致抗蚀剂层中的分布不一致。
光刻图案方法

[发明专利]有机膜组合物和抗蚀剂图案形成方法-CN200580020810.2无效
发明人：池崎洋次;山田达也;西岛佳孝 -专利权人：长濑化成株式会社
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：本发明提供一种有机膜组合物以及抗蚀剂图案形成方法，所述有机膜组合物为下层用有机膜组合物，该组合物在2层光致抗蚀剂处理中能够形成优异的侧凹形状而不会产生上层抗蚀剂和下层膜的混杂层，实用性较高。更详细地说，本发明提供下述的下层有机膜组合物以及使用该下层有机膜组合物的抗蚀剂图案形成方法，所述下层有机膜组合物用于在基板上形成具有侧凹形状的抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案是通过使形成于基板上的下层有机膜和上层正型光致抗蚀剂膜这2层有机膜隔着掩模进行曝光并显影而形成的，其中，所述组合物含有碱可溶性树脂(A)和溶剂(B)，所述碱可溶性树脂(A)是通过使下述(A1)的酚成分与(A2)的醛成分进行缩合而成的，所述(A1)的酚成分为3
有机组合抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]清洗衬底的方法、制造光掩模的方法及清洗光掩模的方法-CN201910973167.9有效
发明人：许有心;张浩铭;魏绍琦;许盛昌;林政旻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及清洗衬底的方法、制造光掩模的方法及清洗光掩模的方法。提供一种用于制造光掩模的方法。所述方法包含：接收具有放置于其上方的硬掩模的衬底；在所述硬掩模上方形成图案化光致抗蚀剂；使用所述图案化光致抗蚀剂作为掩模来图案化所述硬掩模；及去除所述图案化光致抗蚀剂。所述去除所述图案化光致抗蚀剂包含：使所述衬底上方的有机材料氧化；将碱性溶液涂覆到所述图案化光致抗蚀剂上；及通过机械冲击来去除所述图案化光致抗蚀剂。本发明还提供一种用于清洗衬底及光掩模的方法。
清洗衬底方法制造光掩模

[发明专利]图案形成方法-CN201810153834.4有效
发明人：平野祯典;柳泽秀好 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明为图案形成方法。通过以下形成图案：(i)将包括(A)基础树脂、(B)光致产酸剂、(C)有机溶剂和(D)聚乙烯醇或聚乙烯基烷基醚的化学增幅正型抗蚀剂组合物施加至基板上以在其上形成抗蚀剂膜，(ii)将抗蚀剂膜曝光至辐射，和(iii)采用含氧气的气体干法蚀刻抗蚀剂膜以显影。使用所述化学增幅正型抗蚀剂组合物，经由干法显影形成正型图案而不需要硅烷化。
图案形成方法

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201710565649.1有效
发明人：赖韦翰;王建惟;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：光刻图案化的方法包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光敏剂包含共振环，且共振环包含氮与至少一双键。方法亦包括对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。方法亦包括显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。
光刻图案方法

[发明专利]半导体器件的阱光致抗蚀剂图案及其形成方法-CN200610099506.8无效
发明人：金成茂 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种半导体的阱光致抗蚀剂图案及其制造方法。该方法包括以下步骤：(a)在半导体衬底上形成牺牲氧化物层；(b)在该牺牲氧化物层上施加HDMS；(c)在该HMDS上施加光致抗蚀剂；(d)对该光致抗蚀剂进行软烘烤；(e)通过对在衬底上所传递的光的DOF(焦距深度)进行散焦，将光致抗蚀剂曝光；(f)对光致抗蚀剂进行曝光后烘烤；(g)对所曝光的光致抗蚀剂进行显影以形成阱图案；以及(h)对阱光致抗蚀剂图案进行硬烘烤。优选地，所述曝光通过光的正(+)散焦来执行。
半导体器件阱光致抗蚀剂图案及其形成方法