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[发明专利]光致抗蚀剂图案的形成方法以及修整方法-CN200410082014.9无效
发明人：吴得鸿;张圣岳;黄正惠 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种形成光致抗蚀剂图案的方法，此方法是首先在衬底上形成光致抗蚀剂层，之后对光致抗蚀剂层进行一曝光工艺。接着，进行一显影工艺以使光致抗蚀剂层形成一图案化光致抗蚀剂层。然后，对此图案化光致抗蚀剂层进行多重修整步骤，其中此多重修整步骤包括进行至少一次的碱性溶液处理步骤以及/或是至少一次的中性溶液处理步骤，以改善光致抗蚀剂图案的轮廓粗糙度、特征尺寸均匀度以及特征尺寸缩小化
光致抗蚀剂图案形成方法以及修整

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物-CN202211555124.7在审
发明人： L-S·柯;A·查韦斯;山田晋太郎 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种形成图案的方法，该方法包括：在衬底上施加光致抗蚀剂底层组合物以提供光致抗蚀剂底层；在该光致抗蚀剂底层上形成光致抗蚀剂层；将该光致抗蚀剂层图案化；以及将图案从该图案化的光致抗蚀剂层转移到该光致抗蚀剂底层该光致抗蚀剂底层组合物包括包含如本文所描述的由式1表示的重复单元的聚合物、包含如本文所描述的由式2表示的取代基的化合物、以及溶剂。
光致抗蚀剂底层组合

[发明专利]CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件-CN200610119151.4无效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成CMOS器件应力膜的方法，所述CMOS器件包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述方法包括下列步骤：在所述NMOS晶体管和PMOS晶体管表面沉积应力膜；在所述应力膜表面涂布光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层使所述光致抗蚀剂层覆盖所述PMOS晶体管表面的应力膜并露出所述NMOS晶体管表面的应力膜；紫外线照射所述NMOS晶体管表面的应力膜；移除所述光致抗蚀剂层。本发明能够在NMOS晶体管和PMOS晶体管表面形成连续的应力膜，而且简化了工艺。
cmos 器件应力形成方法

[发明专利]光致抗蚀剂蚀刻中前边界点技术-CN200310100592.6有效
发明人：韩太准;姚小强 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2003-10-20 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制等离子体处理室中光致抗蚀剂蚀刻步骤的方法。光致抗蚀剂蚀刻步骤设计成将沉积在衬底表面上的光致抗蚀层向后蚀刻成具有预定光致抗蚀剂厚度的更薄的光致抗蚀层。该方法包括使用等离子体蚀刻过程蚀刻光致抗蚀层，并检测来自该光致抗蚀层的干涉图案。该方法还包括在干涉图案的分析表明达到该预定光致抗蚀剂厚度时终止该光致抗蚀剂蚀刻步骤，从而该预定光致抗蚀剂厚度大于零。
光致抗蚀剂蚀刻边界技术

[发明专利]化学增幅型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201880012894.2有效
发明人：林敏映;金智慧;金容美 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及化学增幅型光致抗蚀剂组合物、由所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物产生的光致抗蚀剂图案、以及用于制备化学增幅型光致抗蚀剂图案的方法，所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物包含碱溶性树脂和具有预定结构的聚合物光致产酸剂
化学增幅型光致抗蚀剂组合光致抗蚀剂图案用于制备方法

[发明专利]碱性显影液可溶性的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN201880043979.7在审
发明人：柴山亘;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供能够用光致抗蚀剂的曝光后的显影所使用的碱性显影液，与光致抗蚀剂的显影同时将存在于其下层的抗蚀剂下层膜也按照抗蚀剂图案同时除去的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述抗蚀剂下层膜是在上层抗蚀剂显影时与该上层抗蚀剂一起按照抗蚀剂图案用碱性显影液溶解除去的含有硅的抗蚀剂下层膜，上述组合物包含成分(a)和要素(b)，该成分引起在碱性显影液中溶解的要素(b)为光产酸剂。
碱性显影液可溶性含有抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]具有图像的透明构件及在透明构件上形成图像的方法-CN201310026057.4无效
发明人：崔春镐;李枝荣 -专利权人：劳恩创新科技有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：提供了一种在透明构件上形成图像的方法以及具有图像的透明构件，该方法包括：a）在透明构件的表面上形成涂层；b）在涂层上附接干膜光致抗蚀剂；c）使用具有图像图案的光掩膜覆盖干膜光致抗蚀剂并且使用UV照射光掩膜，从而对干膜光致抗蚀剂曝光；d）执行显影工序；e）执行蚀刻工序；以及f）执行剥离工序，以便移除干膜光致抗蚀剂的图像区域。
具有图像透明构件形成方法

[发明专利]切割鳍状结构的方法-CN202110589682.4在审
发明人：黄伟豪;陈俊隆;廖琨垣;郭龙恩;许珈玮 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：首先，提供一光掩模，其中光掩模包含一蛇形图案。接着，形成一光致抗蚀剂层覆盖鳍状结构，其中鳍状结构位于一基底上。之后，进行曝光显影以于光致抗蚀剂层形成一光致抗蚀剂图案，其中光致抗蚀剂图案对应蛇形图案。而后，转移光致抗蚀剂图案并蚀刻鳍状结构的切割部分，以切割鳍状结构。
切割结构方法

[发明专利]基底处理设备-CN202211011661.5在审
发明人：许硕;高次元;金贤友;洪尚俊;姜景元;金东昱;徐璟源;张永日;崔容锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设光致抗蚀剂膜；加湿器，增大基底上的光致抗蚀剂膜暴露到的环境中的湿气的量；以及曝光器，用光照射暴露于具有增大的量的湿气的环境中的光致抗蚀剂膜加湿器设置在光致抗蚀剂涂覆器与曝光器之间。
基底处理设备

[发明专利]相机模块及其制造方法-CN201110274849.4有效
发明人：郑杰元;林宏烨 -专利权人：采钰科技股份有限公司;美商豪威科技股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G03B17/12 文献下载
摘要：相机模块包含透镜结构以及图像感测元件芯片设置于透镜结构下方，透镜结构包含透明基底，具有第一表面以及相对的第二表面，透镜设置于透明基底的第一表面上，间隙物设置于透明基底的第一表面上且围绕透镜，其中间隙物包含基础图案和干膜光致抗蚀剂此方法包含在载体上形成基础图案，将干膜光致抗蚀剂贴附至载体和基础图案上，进行压膜工艺将干膜光致抗蚀剂平坦化，然后将干膜光致抗蚀剂图案化形成间隙物，提供具有多个透镜的透明基底，将间隙物从载体剥离，贴附至透明基底上
相机模块及其制造方法

[发明专利]形成反色调图像的硬掩模方法-CN200980131798.0无效
发明人： D·J·阿卜杜拉;R·R·达莫尔;M·尼瑟 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基底上形成吸收性底层；b)在所述底层上形成正性光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)用硬化性化合物处理所述第一光致抗蚀剂图案，从而形成经硬化的光致抗蚀剂图案；e)在所述经硬化的光致抗蚀剂图案上由硅涂料组合物形成硅涂层；f)干蚀刻所述硅涂层以除去所述硅涂层直到所述硅涂层具有与所述光致抗蚀剂图案几乎相同的厚度；和g)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和底层，从而在所述光致抗蚀剂图案的原始位置下方形成沟槽
形成色调图像硬掩模方法

[发明专利]用以使用二次曝光界定多个层图案的方法-CN201510859496.2有效
发明人：翁明晖;张庆裕;陈俊光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供用以使用二次曝光界定多个层图案的方法，包含在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层，保护层材料沉积于第一光致抗蚀剂层上方以形成保护层。在保护层上方形成第二光致抗蚀剂层。通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成底部潜在图案。通过第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成顶部潜在图案，其中顶部潜在图案与底部潜在图案至少部分地重叠。显影第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层以及保护层，以形成分别来自底部潜在图案及顶部潜在图案的第一主要特征及第二主要特征及保护层中的与第二主要特征垂直对准的开口。
用以使用二次曝光界定多个层图案方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110334311.1在审
发明人：魏嘉林;翁明晖;刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;郑雅如;李志鸿;张庆裕;李资良;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
制造半导体器件方法

[发明专利]光致抗蚀剂层脱气防止-CN202110434939.9在审
发明人：陈彥儒;刘之诚;郭怡辰;李志鸿;李资良;翁明晖;郑雅如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
光致抗蚀剂层脱气防止

[发明专利]微影方法-CN201611193075.1在审
发明人：郑雅玲;王筱姗;陈建志;林纬良;陈俊光;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种微影方法，包括形成第一层于基板上；形成图案化光致抗蚀剂层于第一层上；施加溶液于图案化光致抗蚀剂层上，以形成顺应层于图案化光致抗蚀剂层上，其中顺应层还包括第一部分于图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及第二部分沿着图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除图案化光致抗蚀剂层的上表面上的顺应层的第一部分；以及选择性移除图案化光致抗蚀剂层，以保留顺应层的第二部分。
方法