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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110129669.7无效
发明人：田村圭;三好浩司 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法，能使湿法蚀刻后的绝缘膜的锥角较大且确保直线的锥形状，并能抑制锥角在半导体基板面内波动的，该方法包括：在形成于半导体基板(10、11、12)上的绝缘膜(20、23、26)上涂敷光致抗蚀剂，并形成光致抗蚀图案(90、91、92)的光致抗蚀图案形成工序；通过湿法蚀刻除去绝缘膜的不需要部分地加工所述绝缘膜的湿法蚀刻工序；和在所述光致抗蚀图案形成工序之前和/或之后向所述绝缘膜进行离子注入的离子注入工序，其中，所述离子注入工序这样进行：根据所述光致抗蚀图案的有无，使通过所述离子注入而形成于所述绝缘膜(20、23、26)的损伤区域(21、22、24、25、27、28)的深度变化。
半导体装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法,以及具有其的液晶显示器-CN200710003746.8有效
发明人：李钟赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管基板和通过3片掩模工艺制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括：在基板上形成第一导电膜；利用第一光致抗蚀剂膜图案形成包括栅极电极的栅极线；在该基板的整个表面上顺序形成栅极绝缘膜、有源层、欧姆接触层、第二导电膜和保护膜；利用在预定区域具有不同厚度的第二光致抗蚀剂膜图案形成有源区和包括源极－漏极电极的数据线；利用该第二光致抗蚀剂图案通过暴露该有源层的沟道区和部分地暴露该源极－漏极电极来形成接触孔；在该基板的整个表面上形成第三导电膜；以及利用第三光致抗蚀剂膜图案形成像素电极。
薄膜晶体管及其制造方法以及具有液晶显示器

[发明专利]抗蚀图案的形成方法以及使用该方法的微细图案的形成方法以及液晶显示元件的制造方法-CN200510084538.6有效
发明人：森尾公隆 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-07-26 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： G03F7/008 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀图案的形成方法，其具有：(A)在基体(10)上形成光致抗蚀被膜的工序、以及(B)经过包含选择性曝光的光刻工序使所述光致抗蚀被膜形成为具有厚壁部r1和薄壁部r2的阶梯状抗蚀图案形状的工序，其特征在于，使用含有(a)通过凝胶渗透色谱法测量的聚苯乙烯换算重均分子量超过8000的碱溶性酚醛清漆树脂、(b)含萘醌二叠氮基化合物、以及(d)有机溶剂的正型光致抗蚀剂组合物，形成所述光致抗蚀被膜。由此，可以形成耐蚀刻性以及耐热性出色的阶梯状的抗蚀图案。
图案形成方法以及使用微细液晶显示元件制造

[发明专利]干膜光致抗蚀剂及其制备方法-CN200810220127.9有效
发明人：李兆辉 -专利权人：番禺南沙殷田化工有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：印刷电路板加工用的干膜光致抗蚀剂及其制备方法，该干膜光致抗蚀剂由聚酯薄膜，光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分组成。光致抗蚀剂膜为干膜光致抗蚀剂的主体，其制备方法为将感光胶涂布到聚酯薄膜上而成，搅拌加热制成。感光胶的制备方法为将成膜剂、粘结剂、光引发剂、热阻聚剂、色料等加入溶剂中，并在上述组合物中加入二咪唑类化合物。通过测试表明用该方法制备的干膜光致抗蚀剂相对原有方法制备的干膜光致抗蚀剂具有良好的光谱范围，并降低了感光度，从而减少了曝光时间和能源消耗，能有效的提高良品率并降低生产成本。
干膜光致抗蚀剂及其制备方法

[发明专利]修整光致抗蚀剂图案的方法-CN201010105786.5无效
发明人：林盈志;周珮玉;廖俊雄;冯郅文;张峰溢;蔡尚元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明公开一种于修整光致抗蚀剂图案的方法，以氮气做为蚀刻气体，并且以适当的蚀刻速率修整光致抗蚀剂图案，其方法如下：首先提供一待蚀刻材料层覆有一图案化光致抗蚀剂层，然后进行一削除光致抗蚀剂制作工艺，以氮气修整图案化光致抗蚀剂层的边缘，最后，以修整后的图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻待蚀刻材料层。
修整光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202011301426.2在审
发明人：訾安仁;林进祥;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在半导体基板上方形成包含光致抗蚀剂下层组合物的光致抗蚀剂下层；以及在所述光致抗蚀剂下层上方形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述光致抗蚀剂下层组合物包含具有酸不稳定侧基的聚合物、具有交联基团的聚合物或具有羧酸侧基的聚合物、产酸剂和溶剂。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物、光活性化合物和溶剂。
光致抗蚀剂下层形成图案方法

[发明专利]提升图案精密度的方法-CN201510143553.7有效
发明人：林品宏;林嘉祺;赖俊丞 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种提升图案精密度的方法，包括下列步骤。提供目标图案。将目标图案分解成多个分割图案。分别由多个分割图案产生多个光致抗蚀剂强度分布。处理多个分割图案的多个光致抗蚀剂强度分布，得到光致抗蚀剂强度分布图像。根据光致抗蚀剂强度分布图像定义高感光区域以及强度不足区域。修正所述光致抗蚀剂强度分布图像的强度不足区域。根据修正后的光致抗蚀剂强度分布图像得到结果图案。
提升图案精密度方法

[发明专利]使用了两层型防反射膜的光致抗蚀剂图形的形成方法-CN200580040348.2有效
发明人：畑中真 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2005-11-01 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工序中、使用能用光致抗蚀剂用显影液进行显影的防反射膜、形成光致抗蚀剂和防反射膜都为矩形形状的图形的方法。本发明通过提供下述光致抗蚀剂图形的形成方法解决了上述课题，即，一种光致抗蚀剂图形的形成方法，其包括形成可溶于光致抗蚀剂用显影液的第1防反射膜的工序；在上述第1防反射膜上形成可溶于光致抗蚀剂用显影液并且对光致抗蚀剂用显影液的溶解速度比上述第1防反射膜小的第2防反射膜的工序；在上述第2防反射膜上形成光致抗蚀剂的工序；对由上述第1防反射膜、上述第2防反射膜和上述光致抗蚀剂被覆的半导体基板进行曝光的工序；和利用光致抗蚀剂用显影液进行显影的工序。
使用两层型防反射光致抗蚀剂图形形成方法

[发明专利]蚀刻掩膜形成方法、控制程序以及程序存储介质-CN200810161240.4无效
发明人：八田浩一;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供不使用复杂图案的中间掩膜也能够高精度且容易地形成非直线状的微细图案的蚀刻掩膜的蚀刻掩膜形成方法、控制程序以及程序存储介质。使用第1中间掩膜，将直线状的曝光图案(10)复制、显影于光致抗蚀剂(11)上、并进行修整，其后以其作为掩膜来蚀刻SiO₂层(12)。接着，使用第2中间掩膜，将直线状的曝光图案(15)复制、显影于光致抗蚀剂(14)上，其后对光致抗蚀剂(14)端部从SiO₂层(12)凸出的凸出量L进行测定。接着，将光致抗蚀剂(14)的图案修整为规定的粗细、长度，并且使凸出量L为规定量以下，以其作为掩膜对Si₃N₄层(13)进行蚀刻，从而形成大致L字型的蚀刻掩膜。
蚀刻形成方法控制程序以及程序存储介质

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置-CN202080000006.2在审
发明人：刘宁;王庆贺;张扬;李广耀;宋威;李伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：该方法可以包括：提供基板；在基板上形成有源层和覆盖有源层的栅极绝缘材料层；在所述栅极绝缘层的远离所述基板的表面上形成栅极层；在栅极层上形成包括第一光致抗蚀剂的第一光致抗蚀剂图案；在第一光致抗蚀剂图案上形成包括第二光致抗蚀剂的第二光致抗蚀剂图案；对栅极层执行第一蚀刻以形成栅极；以及使用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为掩模对栅极绝缘材料层执行第二蚀刻，以形成栅极绝缘层；其中第一光致抗蚀剂不同于第二光致抗蚀剂。
薄膜晶体管及其制造方法显示面板显示装置

[发明专利]光致抗蚀剂去除组合物、制造半导体装置和封装件的方法-CN202210185641.3在审
发明人：尹孝鎭;金承源;金泰永;朴友情;裵珍惠;申贤燮;李玟泰;韩勋;金文荣;金文昌;梁哲模;崔允硕 -专利权人：三星电子株式会社;KPX化工有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：提供了一种光致抗蚀剂去除组合物以及使用该组合物制造半导体装置和半导体封装件的方法。所述光致抗蚀剂去除组合物包括极性有机溶剂、烷基氢氧化铵、不包括羟基的脂肪胺和一元醇。为了制造半导体装置，可以在基底上形成光致抗蚀剂图案，然后可以将光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案。为了制造半导体封装件，可以在基底上形成包括多个通孔的光致抗蚀剂图案。可以在所述多个通孔内部形成包括金属的多个导电柱，并且可以通过将发明构思的光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案来去除光致抗蚀剂图案。半导体芯片可以在相应的导电柱之间粘附到基底。
光致抗蚀剂去除组合制造半导体装置封装方法

[发明专利]图案修整方法-CN201710106431.X有效
发明人： K·罗威尔;刘骢;徐成柏;I·考尔;朴钟根 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：修整光致抗蚀剂图案的方法包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50重量％或更多的一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案。
图案修整方法

[发明专利]形成半导体器件的隔离膜的方法-CN200310120669.6无效
发明人：李圣勋 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成半导体器件的隔离膜的方法。该方法包括步骤：在硅衬底上顺序形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜；在衬垫氮化膜上形成透过其开放隔离区域的光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻衬垫氮化膜和衬垫氧化膜，由此暴露隔离区域的硅衬底；实施电化学蚀刻工艺以在暴露的隔离区域的硅衬底中形成多孔硅；移除光致抗蚀剂图案；以及，实施热氧化工艺以氧化多孔硅，藉此在隔离区域形成氧化膜。
形成半导体器件隔离方法

[发明专利]半导体器件金属连接孔的制造方法-CN200610148813.0无效
发明人：吴汉明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件金属连接孔的制造方法，包括：在介质层表面形成金属层取代通常的介质掩膜层(例如SiON)；在所述金属层表面涂布光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层并透过所述图案化的光致抗蚀剂层构图所述金属层；移除所述图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀所述介质层形成通孔；利用物理溅射工艺清理所述通孔；在所述通孔中填充金属材料形成金属连接孔。本发明的方法能够避免溅射工艺清理通孔过程中通常介质掩膜产生的再沉积(Re－deposition)，通孔内壁出现聚合残留物。
半导体器件金属连接制造方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法-CN200710141862.6有效
发明人：黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用数量减少的掩模来制造互补金属氧化物半导体(CMOS)TFT的方法，该方法包括：在基底的整个表面上形成缓冲层；在基底的具有缓冲层的整个表面上形成多晶硅层和光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝光并显影，以形成第一光致抗蚀剂图案；利用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻多晶硅层，以将第一TFT的半导体层和第二TFT的半导体层图案化；对第一光致抗蚀剂图案执行第一灰化工艺，以形成第二光致抗蚀剂图案；利用第二光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT的源极区和漏极区中注入第一杂质；对第二光致抗蚀剂图案执行第二灰化工艺，以形成第三光致抗蚀剂图案；利用第三光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT中注入第二杂质，以对第二TFT执行沟道掺杂。
互补金属氧化物半导体薄膜晶体管制造方法