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[发明专利]电荷快速转移的四管有源像素及其制作方法-CN201110280058.2有效
发明人：姚素英;高志远;徐江涛;赵士彬;李伟平 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于微电子学的集成电路设计和集成电路工艺领域，涉及一种电荷快速转移的四管有源像素，包括制作在P型衬底上的光电二极管、传输管、复位管、源跟随器和选通管，光电二极管N区包括第一N型注入层和设置在其上掺杂浓度较低的第二N型注入层，两个N型注入层与传输管的多晶硅栅的版图位置存在交叠区；在交叠区和传输管的栅下区域设置有掺杂浓度不均衡的P型硅半导体注入层，其掺杂浓度在交叠区处最高；传输管的多晶硅的栅极的掺杂在交叠区一侧为N-掺杂，非交叠区一侧为N+掺杂；在光电二极管N区的非交叠区与硅表面之间设置一层钳位层。
电荷快速转移有源像素及其制作方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法-CN201810612052.2有效
发明人：李岩;张武志 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，形成于P型半导体衬底上且包括多个像素单元；各像素单元包括表面钳位光电二极管，钳位光电二极管包括形成于P型半导体衬底中的N型埋层和形成于所述N型埋层表面的表面P+层；相邻的表面钳位光电二极管之间的P型半导体衬底表面形成有场氧层；在场氧层的底部形成有第一P型掺杂隔离区；在N型埋层的底部形成有全面注入的第二P型掺杂隔离区，第一P型掺杂隔离区的底部表面的深度大于等于第二P型掺杂隔离区的顶部表面的深度使第一P型掺杂隔离区的底部和第二P型掺杂隔离区相交叠。
cmos 图像传感器及其制作方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200810181719.4无效
发明人：金钟满 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包括：位于半导体衬底上的栅极；位于栅极第一侧的半导体衬底上的光电二极管；位于栅极第二侧的半导体衬底上的浮置扩散区，其中第二侧位于第一侧的对面；位于栅极下的沟道，该沟道将光电二极管与浮置扩散区相连接；以及位于光电二极管下的阻挡区。本发明在限制区中形成光电二极管，从而可以提高光电二极管的光敏度。具体而言，由于在低亮度下的绿光、蓝光以及红光波长可以产生更加均匀和/或平衡的光电子，因此可以提高光电二极管的光敏度。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN202011036929.1在审
发明人：藤田雅人;李允基;沈殷燮;李景镐;金范锡;金泰汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。
图像传感器

[发明专利]包括图像传感器的电子设备及其操作方法-CN202080090049.4在审
发明人：金东秀;姜和映;金荣恩;朴敏英;尹泳权;赵显哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该图像传感器相机模块的操作设置和外部环境条件，并且在识别出操作设置是预览模式并且外部环境条件是高照度环境时，该图像传感器识别与第一光电二极管和第二光电二极管的信号相对应的第一区域信号，第一光电二极管和第二光电二极管彼此串接并且包括在第一单元像素中，并且识别与第五光电二极管和第六光点二极管的信号相对应的第二区域信号，第五光点二极管包括在第二单元像素中且与第一光电二极管的位置相对应，第六光点二极管包括在第二单元像素中且与第二光电二极管的位置相对应，并且基于第一区域信号和第二区域信号来形成第一自动聚焦(AF)信息。
包括图像传感器电子设备及其操作方法

[发明专利]图像传感器及其操作方法-CN201910358073.0在审
发明人：魏代龙 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：每个像素单元包括：栅极结构，包括栅极和栅极电介质层；多个浮置扩散区；多个光电二极管，与浮置扩散区一一对应地设置在其下方，其中多个浮置扩散区具有第一掺杂类型并且多个光电二极管各自包括具有第一掺杂类型的第一区域；以及多个沟道形成区，每个沟道形成区设置在相应一个浮置扩散区与相应一个光电二极管的第一区域之间并具有第二掺杂类型。每个处理电路由多个像素单元中的至少两个像素单元共用，用于基于该至少两个像素单元的每个浮置扩散区中的电荷来生成电信号并将电信号输出。
浮置扩散区像素单元光电二极管图像传感器掺杂类型沟道形成区处理电路第一区域衬底栅极电介质层电信号输出栅极结构电荷

[发明专利]光电二极管和光电二极管的制造方法-CN202310337818.1在审
发明人： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;P·福特内奥 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开涉及光电二极管和光电二极管的制造方法。在具有第一表面和第二表面的半导体衬底中形成光电二极管。半导体衬底包括通过外延生长形成的第一N型半导体区域和从第一表面延伸到第一N型半导体区域中的第二N型半导体区域(比第一区域更重掺杂)。第一N型半导体区域的掺杂剂浓度在半导体衬底的第二表面和第一表面之间逐渐增加。在第一表面的第二N型半导体区域中形成注入的重P型掺杂区域。
光电二极管制造方法

[发明专利]使用用于相位检测自动聚焦及图像感测像素的三次读出方法的图像传感器-CN202210543873.1在审
发明人：许程成;王睿;邓伟;杨春生;王雪晴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：一种成像装置包含布置在光电二极管阵列中以响应于入射光而产生电荷的多个光电二极管。多个光电二极管包含第一及第二光电二极管。共享浮动扩散区接收从第一及第二光电二极管转移的电荷。模/数转换器ADC在复位操作之后响应于共享浮动扩散区中的电荷而执行第一次ADC转换以产生参考读数。ADC接下来响应于从第一光电二极管转移到共享浮动扩散区的电荷而执行第二次ADC转换以产生相位检测自动聚焦PDAF读数的前半部。ADC接着响应于从第二光电二极管转移的电荷与共享浮动区中先前从第一光电二极管转移的电荷组合而执行第三次ADC转换以产生全图像读数。
使用用于相位检测自动聚焦图像像素三次读出方法图像传感器

[发明专利]背侧照明式图像传感器及其制作方法-CN201410061250.6有效
发明人：陈晴飞;单庆伟;钱胤;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述半导体层包含像素阵列区，所述像素阵列区包含经配置以通过所述半导体层的所述背侧表面接收图像光的多个光电二极管。所述半导体层还包含外围电路区，所述外围电路区包含用于操作所述多个光电二极管的外围电路元件，所述外围电路区与所述像素阵列区接界。所述外围电路元件发射光子。所述外围电路区还包含经掺杂半导体区，所述经掺杂半导体区经定位以吸收由所述外围电路元件发射的所述光子以防止所述多个光电二极管接收所述光子。
照明图像传感器及其制作方法

[发明专利]具有穿硅鳍片转移门的图像传感器-CN202110922719.0在审
发明人：王勤;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种装置包含光电二极管、浮动扩散区、转移门及沟道区。所述光电二极管经安置在半导体材料中。所述光电二极管经耦合以响应于入射光而生成电荷。所述浮动扩散区经安置在所述半导体材料中。所述转移门经安置在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间。与所述转移门相关联的所述沟道区靠近所述转移门位于所述半导体材料中。所述转移门经耦合以响应于经耦合以由所述转移门接收的转移信号而通过所述沟道区将所述电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区。所述转移门包含延伸到所述半导体材料及所述光电二极管中的多个鳍片结构。
具有穿硅鳍片转移图像传感器

[发明专利]一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法-CN202210229027.2有效
发明人：奚超超;蔡信裕;陈建铨 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构、光电二极管和浮置扩散区，并形成多晶硅转移栅，多晶硅转移栅位于光电二极管和浮置扩散区之间；直接对光电二极管所在的半导体衬底表面以及多晶硅转移栅的表面进行离子注入，以同时消除光电二极管的表面缺陷引起的白点失效以及多晶硅转移栅的漏电引起的白点失效，解决光电二极管表面缺陷引起的暗电流，还解决多晶硅转移栅漏电引起的暗电流，从而有效降低暗电流所导致的白点失效问题，提高了良率；在形成p型掺杂薄层时无需形成图形化的光刻胶，这样就减少了光罩的成本，同时省略了光刻以及清洁光刻胶层的工艺步骤，降低了工艺成本。
一种降低 cmos 图像传感器电流方法

[发明专利]图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器-CN201110454520.6无效
发明人：田犁;汪辉;陈杰;方娜 -专利权人：上海中科高等研究院
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述图像传感器的感光区域包括设置在支撑衬底表面的一微镜和一光电二极管，所述光电二极管的P型掺杂区域与N型掺杂区域在支撑衬底表面横向布置，入射至图像传感器的入射光朝向所述支撑衬底的表面入射，经过所述微镜反射后形成朝向所述光电二极管侧面反射光，所述微镜的反射光是从所述光电二极管的侧面入射至光电二极管的内部，能够提高所述光电二极管的光俘获效率。本发明的优点在于，入射光能够横向入射，提高入射光吸收区域的深度，从而有效提高了图像传感器的光敏感度和量子效率；并且感光区域中光电二极管上方可以进行金属层布线而不会影响入射光的光路。
图像传感器感光区域以及制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN202110344987.9在审
发明人：李佳龙;范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，像素区的像素单元的光电二极管之间隔离有深沟槽隔离结构；光电二极管的N型区由形成于半导体衬底表面上的N型外延层组成，P型区由N型区底部的半导体衬底组成；N型外延层的厚度根据光电二极管的反偏时的耗尽区的深度要求值设置以实现对光电二极管进行纵向尺寸拓展；深沟槽隔离结构由形成于N型外延层中的深沟槽中的第一本征外延层和内部形成有空气间隙的第二P型外延层叠加而成。本发明能实现对光电二极管的反偏时的耗尽区深度进行精确调节并从而能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展，同时能提高光电二极管之间的光学或电学隔离。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN202110345055.6有效
发明人：肖燏萍;李佳龙;范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，像素区的像素单元的光电二极管之间隔离有深沟槽隔离结构；光电二极管的N型区由形成于半导体衬底表面上的N型外延层组成，P型区由N型区底部的半导体衬底组成；N型外延层的厚度根据光电二极管的反偏时的耗尽区的深度要求值设置以实现对光电二极管进行纵向尺寸拓展；深沟槽隔离结构由形成于N型外延层中的深沟槽中的第一P型外延层、第二介质层和第三多晶硅层叠加而成。本发明能实现对光电二极管的反偏时的耗尽区深度进行精确调节并从而能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展，同时能提高光电二极管之间的光学或电学隔离。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]兼容测距的CMOS图像传感器像素单元及其制作方法-CN201410754289.6有效
发明人：陈哲;吴南健;底衫;曹中祥 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼容测距的CMOS图像传感器像素单元及其制作方法，所述像素单元包括衬底、两个浅槽隔离区、感光单元和信号读出电路，感光单元包括在浅槽隔离区之间沿对称轴对称设置的掩埋型光电二极管；信号读出电路包括在浅槽隔离区之间的两个边缘转移晶体管和两个中心转移晶体管，其中两个边缘转移晶体管沿对称轴对称设置且位于掩埋型光电二极管边缘处靠近浅槽隔离区，而两个中心转移晶体管沿对称轴对称设置且靠近对称轴，其中所述两个边缘转移晶体管的漏极扩散区连接固定电平，所述漏极扩散区复用形成中心浮空扩散区；所述掩埋型光电二极管的埋层掺杂区通过离子注入形成离子注入区，所述离子注入区完全覆盖所述掩埋型光电二极管下方。
兼容测距 cmos 图像传感器像素单元及其制作方法

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