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[发明专利]一种具有高低栅及多凹槽的氮化镓调制掺杂场效应晶体管-CN201811284888.0在审
发明人：晋超超;朱天成;侯俊马;王晓璐 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高低栅及多凹槽的氮化镓调制掺杂场效应晶体管，属于场效应晶体管技术领域，其结构自下而上分别为蓝宝石衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层。在铝镓氮势垒层上方中部靠近源极处具有栅电极，栅电极中部为高栅，高栅两侧为左低栅和右低栅。在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层的界面形成异质结沟道，沟道处形成二维电子气。在氮化镓沟道层上表面，左低栅和右低栅的正下方具有凹陷形成的第一凹槽和第二凹槽。
氮化镓调制掺杂场效应晶体管低栅铝镓氮势垒层沟道层栅电极多凹槽上表面场效应晶体管氮化铝成核层电流崩塌效应二维电子气击穿电压界面形成控制能力漏极区域源极区域蓝宝石沟道处靠近源漏电极异质结源电极凹陷衬底沟道削弱

[发明专利]一种利用三氧化二铬生产低氮低镓高收率高纯金属铬的方法-CN202310849552.9在审
发明人：李杰;王亮;金绍祥;刘飞;刘亚凤;高鹏鹤;文明;赵秀媛;张丹 -专利权人：锦州钒业有限责任公司;中国中信集团有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C22B34/32 文献下载
摘要：一种利用三氧化二铬生产低氮低镓高收率高纯金属铬的方法，将三氧化二铬、铝粒、重铬酸钾混合均匀，分两批加入至真空冶炼设备的冶炼炉内；将第一批混合原料加入至所述冶炼炉内作为底料，加入引燃剂，将真空冶炼设备密闭当第一批混合原料呈熔融状态时，第二批混合原料进行连续下料，直至全第二批部混合原料全部进入冶炼炉后，继续冶炼1min后，充保护气，开启真空泵抽真空，关闭真空泵，自然降温600℃以下；冷却仓内继续冷却至200℃以下，精整，得到低氮低镓高纯金属铬优点是：成本低廉，工艺简单合理，通过一步法就可以获得低氮低镓高纯金属铬，且产品的收率高。
一种利用氧化生产低氮低镓高收率高纯金属方法

[发明专利]高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法-CN201010606241.2无效
发明人：彭铭曾;罗卫军;郑英奎;陈晓娟;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法，首先在衬底上生长成核层；在成核层上生长低铝组分的铝镓氮高阻缓冲层；在铝镓氮高阻缓冲层上生长高迁移率氮化镓沟道层；在氮化镓沟道层上生长薄层的氮化铝隔离层；在氮化铝隔离层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长薄层的氮化物帽层；以及在所述氮化物帽层上形成源电极、漏电极以及栅电极。本发明降低了工艺的复杂性，并有效提高了氮化镓基场效应晶体管器件的击穿电压，同时提升了沟道中电子的迁移率。
击穿氮化场效应晶体管器件及其制作方法

[发明专利]一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法-CN201910588142.7有效
发明人：方志来;蒋卓汛;闫春辉;吴征远;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法，在化学气相沉积设备中，通过热氧化生长的方式，在特定氧含量的环境下，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面生长氮掺杂的氧化镓薄膜。该制备方法工艺简单，可控性好，重复率高，氧化镓薄膜粗糙度低且生长迅速。
一种掺杂氧化薄膜结构及其制备方法

[发明专利]低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法-CN201310013408.8无效
发明人：倪金玉;李忠辉;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明是低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法，结构包含硅衬底、氮化铝成核层、铝镓氮过渡层和III族氮化物层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和铝镓氮过渡层间，铝镓氮过渡层位于氮化铝成核层和III族氮化物层间；铝镓氮过渡层含第一铝镓氮层和第二铝镓氮层，第一铝镓氮层的Al组分高于第二铝镓氮层的Al组分，第一铝镓氮层的厚度小于第二铝镓氮层的厚度，且满足条件：两层铝镓氮层的厚度和铝组分乘积的比例大小在0.8~1.2；III族氮化物层的Al组分低于第二层铝镓氮层的Al组分。优点：本发明生长的III族氮化物外延片弯曲度低，满足圆片级器件工艺要求。
弯曲度硅基 iii 氮化物外延生长方法

[发明专利]AlGaN-GaN异质结欧姆接触制作方法-CN201410193498.8无效
发明人：王冲;钟仁骏;陈冲;何云龙;郑雪峰;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：主要解决现有技术接触电阻大、工艺复杂、成本高的问题。其制作过程为：1)在铝镓氮/镓氮异质结表面进行光刻，得到欧姆电极区上带有若干通孔的刻蚀掩膜，这些通孔露出的面积之和为欧姆电极面积的15％～45％；2)在掩膜通孔露出的铝镓氮材料上进行深度为5～15nm的刻蚀挖孔；3)在挖有孔的源、漏区铝镓氮/镓氮材料上淀积钛/铝/镍/金多层金属；4)对淀积电极金属进行800～870℃退火，形成源、漏欧姆接触电极。本发明具有工艺简单易控制、欧姆接触电阻低的优点，可用于制作高工作效率、高增益的铝镓氮/镓氮异质结高频大功率高电子器件。
algan gan 异质结欧姆接触制作方法

[发明专利]一种制备高纯镓粒的新方法-CN202211570849.3在审
发明人：钟勇;曾平生;刘重伟;王坚;朱建华;姚惠君;吴成春;吴选高;刘芳芳;黄大霜 -专利权人：深圳市中金岭南有色金属股份有限公司韶关冶炼厂
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种制备高纯镓粒的新方法，所述制备方法利用含氮有机物，在常温下能将镓液分散成不聚集的粒径均匀的高纯镓颗粒，冷凝后即可得到固体镓粒，该方法操作简单、无污染、生成规模大、成本低。
一种制备高纯新方法

[发明专利]低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法-CN201410443191.9在审
发明人：杨静;赵德刚;乐伶聪;李晓静;何晓光 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层；在氮气环境下，高温退火使P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率P型铝镓氮材料。利用本发明，通过更改生长条件，降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质的浓度，从而减轻了受主补偿作用，达到降低P型铝镓氮材料电阻率的目的。
电阻率型铝镓氮材料及其制备方法

[发明专利]一种氮元素掺杂p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用-CN202210878667.6有效
发明人：何云斌;师道田;卢寅梅;黎明锴;陈陆枫;陈剑;彭清琪;朱弘毅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮元素掺杂p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。该方法通过氧化氮化镓小团簇而得到氮掺杂的氧化镓，有效提高了氮元素在氧化镓薄膜中的溶解度，氮元素取代氧元素产生空穴，从而实现了p型导电氧化镓薄膜；本发明制备的氧化镓薄膜空穴载流子浓度高、电阻率低，且薄膜晶体质量高、所需的设备和制备工艺简单，生产成本低，将促进氧化镓在超宽禁带半导体器件领域的应用。
一种元素掺杂氧化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法-CN202010059433.X有效
发明人：方志来;蒋卓汛;闫春辉;吴征远;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法，通过热氧化生长，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面扩散生长p型氧化镓薄膜，制得的p型氧化镓薄膜载流子浓度为1.0×1011镓薄膜的方法，制备的p型氧化镓薄膜氮掺杂含量高、载流子浓度高、迁移率高、电阻率低，提升了p型氧化镓材料的质量，推动了氧化镓材料的产业化进程。
一种掺杂氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法-CN201410426219.8有效
发明人：杨静;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法，包括如下步骤步骤1将一衬底升温，在氢材料气环境下热处理；步骤2在衬底上生长一层低温成核层，为后续外延生长提供成核中心；步骤3在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；步骤4在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层，形成外延片；步骤5在氮气环境下，将外延片高温退火，使其P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。本发明可以降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质浓度，从而减轻受主补偿作用，达到降低P型材料电阻率的目的。
电阻率低温型铝镓氮材料制备方法

[发明专利]具有氧化锌基透明导电层的紫外发光二极管及其制备方法-CN201210533023.X无效
发明人：张雄;王书昶;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有透明导电层的紫外发光二极管芯片及其制备方法，芯片包括蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、铝镓氮多量子阱有源层、p型铝镓氮电子阻挡层、p型氮化镓层和氧化锌基透明导电层，以及在氧化锌基透明导电层上的p型金属电极，在n型铝镓氮上的n型金属电极。本发明具有低电阻率，高紫外光透光率的优点，制备原料丰富，价格低廉，不污染环境。
具有氧化锌透明导电紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓基功率器件外延结构及其制备方法-CN202110171622.0在审
发明人：梁玉玉;蔡文必;何俊蕾;刘成;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓基功率器件外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：在外延结构的P型盖帽层上沉积掩膜层，外延结构包括栅极区域和非栅极区域，P型盖帽层覆盖栅极区域和非栅极区域的第一铝镓氮层；刻蚀掩膜层，以将非栅极区域的P型盖帽层露出；刻蚀露出的P型盖帽层，以露出非栅极区域的第一铝镓氮层；在露出的第一铝镓氮层上外延生长第二铝镓氮层，第二铝镓氮层的铝离子浓度大于第一铝镓氮层的铝离子浓度，第二铝镓氮层的厚度小于P型盖帽层的厚度。该氮化镓基功率器件外延结构的制备方法能够实现势垒层栅极区域铝组分低、非栅极区域铝组分高，进而提升器件阈值电压及栅极可靠性，并降低导通电阻，提升器件性能。
氮化功率器件外延结构及其制备方法

[实用新型]一种发光二极管外延片-CN201320358814.3有效
发明人：牛志宇 -专利权人：东莞市德颖光电有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管外延片，其结构包括Si衬底层、氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓基层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和接触层，其特征在于：还包括生长在所述Si衬底层上的Al2O3保护层；所述接触层包括低In组分的低掺杂n型In0.05Ga0.95N层和高In组分的高掺杂n型In0.1Ga0.9N层。
一种发光二极管外延

[发明专利]一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法-CN201811384310.2在审
发明人：王东;陈兴;吴勇;张进成;何滇;伍旭东;檀生辉;卫祥;张金生;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括Si衬底、低温氮化铝成核层、铝镓氮过渡层一、铝镓氮过渡层二、铝镓氮过渡层三、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、分居两端的漏电极和源电极以及两者中间的栅电极，上述各层从下至上依次排布，其中在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，栅电极和铝镓氮势垒层之间还设有栅介质层，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于Si衬底氮化镓HEMT器件应用。
衬底铝镓氮过渡层铝镓氮势垒层氮化镓HEMT 欧姆接触氮化镓低电阻沟道层栅电极低温氮化铝成核层氮化镓HEMT器件二维电子气沟道微电子技术领域氮化镓缓冲层栅介质层制造工艺漏电极源电极排布制作应用

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