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[发明专利]一种制备氮掺杂石墨烯材料的电化学方法-CN201810853389.2有效
发明人：景明俊;吴天景;张嘉衡;李梦雪;张萌 -专利权人：湖南理工学院
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明公开一种制备氮掺杂石墨烯材料的电化学方法，该方法以含铵盐和/或氨水的碱性溶液为电解液，以石墨材料为电极，在两根石墨材料电极之间通入交流电进行电化学反应，从电解液中得到氮掺杂石墨烯材料。该方法在温和条件下通过一步电化学反应高效合成氮掺杂石墨烯，成本低，对设备要求低，有利于工业化生产。
一种制备掺杂石墨材料电化学方法

[发明专利]锂位掺杂改性的锂离子电池用高镍低钴三元正极材料及其制备方法-CN202110079128.1在审
发明人：程勇;申亚斌;尹东明;梁飞;王立民 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明公开一种锂位掺杂改性的锂离子电池用高镍低钴三元正极材料及其制备方法，涉及锂离子电池正极材料技术领域。该三元正极材料是将钠盐或钾盐粉末、锂盐和高镍低钴三元正极材料前驱体混合后研磨得到的。本发明还提供一种锂位掺杂改性的锂离子电池用高镍低钴三元正极材料的制备方法。本发明采用在锂化焙烧阶段将三元材料前驱体、锂盐和钠或钾盐三者均匀混合焙烧来直接获得锂位掺杂Na或K的改性高镍低钴三元正极材料。该方法获得了均匀掺杂2％mol Na和1％mol K的LiNi0.6Co0.05Mn0.35O2(NCM60535)高镍低钴三元正极材料，它们在4.5V的高截止电压下均展现了比未掺杂改性材料更好的循环稳定性能，起到了稳定正极材料层状结构的重要作用
掺杂改性锂离子电池用高镍低钴三元正极材料及其制备方法

[发明专利]单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合-CN02809313.5无效
发明人： G·W·泰勒 -专利权人：康涅狄格州大学
申请日： 2002-03-04 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：用彼此反转的二个调制掺杂的晶体管结构组成的外延层结构，在单片衬底(149)上得到了闸流管以及高速晶体管和光电子器件族。借助于对赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)结构进行平面掺杂而得到这种晶体管结构。对于一种晶体管，加入了与PHEMT的调制掺杂相反的被轻掺杂层分隔开的二个相同极性的平面掺杂层。此组合被不掺杂的材料分隔于PHEMT调制掺杂。电荷层薄而重掺杂。顶部电荷层(168)得到了低的栅接触电阻，且底部电荷层(153)确定了相对于PHEMT调制掺杂层的场效应晶体管(FET)电容。对于其它的晶体管，仅仅加入了一个额外的层。
单片光电集成电路调制掺杂流管互补晶体管组合

[发明专利]一种氮掺杂碳纤维/氮掺杂石墨烯/细菌纤维素膜材料的制备方法及其应用-CN201510990574.2在审
发明人：黄玉东;马丽娜;刘荣;刘丽;王芳;黎俊 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01G11/22 文献下载
摘要：一种氮掺杂碳纤维/氮掺杂石墨烯/细菌纤维素膜材料的制备方法及其应用，本发明涉及一种膜材料的制备方法及其应用，本发明是要解决现有方法制备柔性电极材料的不具备良好的稳定性、循环性能及力学性能的问题，方法为：制备细菌纤维素浆料；制备细菌纤维素石墨烯复合材料，制备聚吡咯包覆细菌纤维素石墨烯复合材料，高温碳化制备氮掺杂碳纤维/氮掺杂石墨烯复合材料，制备氮掺杂碳纤维/氮掺杂石墨烯分散液，将细菌纤维素浆料真空抽滤成膜，然后加入分散液继续抽滤成膜，真空干燥，即完成；本发明对设备腐蚀低、成本低、可规模化生产，膜材料循环性能及力学性能好，制备成对称性超级电容器具有很好的电容性。
一种掺杂碳纤维石墨细菌纤维素材料制备方法及其应用

[发明专利]低栅电荷的横向双扩散场效应管-CN201910810132.3在审
发明人：乔明;董仕达;王睿迪;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低栅电荷的横向双扩散场效应晶体管，包括第一导电类型掺杂衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第一第二导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二第二导电类型重掺杂区，第一氧化层与被第一氧化层包裹的重掺杂多晶硅电极，第二导电类型沟道区上表面被栅氧化层与重掺杂多晶硅栅覆盖，本发明体内电极与源极相连，将栅漏电容分解为栅源电容与漏源电容，大大减小了密勒平台的长度，降低了开启所需栅电荷数量，缩短了充电时间，通过调节掩埋结构即体内电极的长度、宽度、深度可以调节充电时间，进而调节栅电荷与导通电阻之间的平衡关系，由于体内电极接低电位，降低了漂移区电场，从而减缓了热载流子效应。
第一导电类型导电类型体内电极重掺杂区漂移区氧化层栅电荷充电横向双扩散场效应晶体管重掺杂多晶硅栅导电类型沟道热载流子效应重掺杂多晶硅电场导通电阻漏源电容平衡关系栅漏电容栅氧化层栅源电容电荷电极低电位上表面衬底低栅减小源极阱区掩埋掺杂分解覆盖

[发明专利]一种HJT电池及其制备方法-CN201910554740.2在审
发明人：龙会跃;成秋云;周奇瑞;罗志高;李斌 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种HJT电池及其制备方法，该电池包括N型硅片，其受光面和背光面上分别设有本征非晶硅层，本征非晶硅层上分别设有P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，P型掺杂非晶硅层上依次设有IMO层和ITO层，N型掺杂非晶硅层上设有ITO导电膜层，ITO层和ITO导电膜层上分别设有金属栅线电极。其制备方法包括：对N型硅片进行制绒清洗，沉积/制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、IMO层、ITO层、ITO导电膜层、金属栅线电极。本发明HJT电池具有优异的电学性能，对于提高异质结电池的应用范围具有十分重要的意义，其制备方法具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、生产效率高等优点。
制备本征非晶硅层电池金属栅线电极背光异质结电池电学性能生产效率制绒清洗受光面沉积量产门槛应用

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410285928.9有效
发明人：陆阳;黄必亮;任远程;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子（杭州）有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括半导体衬底，位于半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底表面且位于体区两侧的两个栅极结构和侧墙，所述栅极结构横跨体区与半导体衬底的边缘；位于侧墙之间暴露出的体区内的重掺杂源区，位于重掺杂源区靠近栅极结构一侧的低阻轻掺杂源区，位于所述重掺杂源区内的体区连接区，所述体区连接区与侧墙之间的间距小于当前工艺下体区连接区与侧墙之间的最小间距。虽然体区连接区与侧墙之间的间距变小，但由于沟道区的电流能通过导电通道(低阻轻掺杂源区)与重掺杂源区电连接，不会大幅提高LDMOS晶体管的导通电阻，能同时兼顾源区尺寸和导电性能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]有机二极管及其制备方法-CN201210361343.1有效
发明人：黄如;白文亮;蔡一茂;唐昱;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述有机二极管包括透明柔性衬底、透明正电极、透明负电极、掺杂的柔性透明p区和掺杂的柔性透明n区，其中，所述透明负电极位于所述透明柔性衬底之上，所述掺杂的柔性透明n区位于所述透明负电极之上，所述掺杂的柔性透明p区位于所述掺杂的柔性透明n区之上，所述透明正电极位于所述掺杂的柔性透明p区之上。本发明所提供的有机二极管及其制备方法，使用透明的有机材料取代传统的无机材料，成本低，在保证不改变传统无机器件的基本特性的基础上，功耗低、响应速度快，制备过程中无需高温工艺，在降低能耗的基础上还节约了制备时间
有机二极管及其制备方法

[发明专利]一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法-CN201811118793.1有效
发明人：黎大兵;蒋科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭;刘贺男 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：解决了现有技术中P型AlGaN的迁移率低、空穴浓度低的问题。本发明的P型AlGaN材料，包括从下至上依次设置的氮化铝层、掺杂外延层和渐变外延层；氮化铝层为Al极性面；掺杂外延层的材料为Mg掺杂的P型AlGaN，掺杂外延层为金属面极性；渐变外延层为从下至上依次设置的多层结构，每层材料皆为非故意掺杂AlxGa1‑xN材料，且多层非故意掺杂AlxGa<
一种迁移率空穴浓度 algan 材料及其生长方法

[发明专利]提升Mg空穴浓度的LED外延结构及其生长方法-CN201510626813.6有效
发明人：项博媛;徐迪;农明涛;杨云峰 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了提升Mg空穴浓度的LED外延结构及生长方法，外延结构从下至上包括非掺杂u型GaN层、第一高掺杂Si的n型GaN层、n型AlGaN电子阻挡层、第二高掺杂Si的n型GaN层、低温n型掺杂过渡层、浅量子阱、高低温量子阱、低温垒过渡层、P型AlGaN/InGa电子阻挡层、氮氢混气低掺杂P型GaN层、高温P层及高温P型接触层，高温P层从下至上包括第一高温P层、第二高温P层和第三高温P层，第一、三高温本发明生长方法的高温P层Mg掺杂量呈现两头高中间低的趋势，形成梯度电容结构，提升空穴浓度，极大地减少了大电流密度下的衰减效应，提高电子与空穴的复合几率。
提升 mg 空穴浓度 led 外延结构及其生长方法

[发明专利]基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及制备方法-CN202010339710.2有效
发明人：万景;肖凯;陈颖欣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及制备方法，该正反馈晶体管通过凹槽型栅氧化层结构以改进平面栅氧化层正反馈晶体管的缺陷，通过引入关键的沟道区域掺杂以及与沟道区域掺杂反型的衬底掺杂和低漏掺杂区域，从而达到与普通正反馈晶体管相似的电学性能与功能；此外，该正反馈晶体管具有与MOSFET相似的对称物理结构，在正栅极和栅极侧墙的掩蔽作用下，可通过与MOSFET类似的自对准离子注入工艺在沟道区域上形成低漏掺杂区域和阴极区域/阳极区域掺杂；本发明的正反馈晶体管制备工艺与传统的CMOS兼容，增加了栅氧化层电容，使电荷保留时间上升，延长了数据存储时间，提升了该器件作为存储器的性能。
基于半导体衬底凹槽场效应正反馈晶体管制备方法

[发明专利]基于体硅的新型半导体场效应正反馈晶体管及制备方法-CN201910772805.0有效
发明人：万景 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种基于体硅衬底的新型半导体场效应正反馈晶体管及方法，其源漏为反型重掺杂，一方为p+型，另一方为n+型掺杂，沟道为弱掺杂，临近沟道的是由栅极侧墙所定义的低漏极掺杂区域(LDD)，而衬底是与沟道反型的掺杂传统的场效应正反馈器件，如Z2‑FET，建立在绝缘层上硅(SOI)的衬底上，价格高昂且结构不对称，与普通的体硅CMOS工艺和器件结构不兼容；本发明通过引入关键的LDD、沟道和衬底掺杂本发明的新型器件工艺成本更低，工艺难度更小，可广泛应用于高性能动态和静态存储器(DRAM和SRAM)，低亚阈摆幅开关，静电保护和传感等领域。
基于新型半导体场效应正反馈晶体管制备方法

[发明专利]锌掺杂三维石墨烯/分级多孔碳水性防腐涂料的制备方法-CN202210402046.0有效
发明人：唐丽;李翔;胡宗贵;朱桂生;代松涛;徐远国;黄春霞;谭永明;邱海芳 -专利权人：江苏索普聚酯科技有限公司;江苏大学;江苏索普化工股份有限公司;江苏索普（集团）有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09D175/04 文献下载
摘要：本发明涉一种锌掺杂三维石墨烯/分级多孔碳水性防腐涂料的制备方法。该方法包括以下步骤：a.锌掺杂三维石墨烯/分级多孔碳复合物制备，采用离子交换树脂作为前驱体，以含锌小分子化合物为催化剂，辅助以致孔剂，在高温下裂解制备；b.分散，将水、助剂、分散剂及锌掺杂三维石墨烯/分级多孔碳复合物进行混合、研磨，制得锌掺杂三维石墨烯/分级多孔碳浆料；c.调漆，在锌掺杂三维石墨烯/分级多孔碳浆料中加入有机硅改性聚氨酯乳液加入混合，然后加入润湿剂、成膜剂、平流剂、消泡剂及增稠剂混合制得锌掺杂三维石墨烯/分级多孔碳水性防腐涂料本发明制备的产品锌含量和三维石墨烯/分级多孔碳含量低、成本低、性能稳定性强、防腐性能好。
掺杂三维石墨分级多孔水性防腐涂料制备方法

[发明专利]利用相分离-水解溶剂热法可控合成非金属离子掺杂纳米二氧化钛的方法-CN201010246066.0无效
发明人：井立强;谢明政;栾云博;付宏刚 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： B01J37/10 文献下载
摘要：利用相分离-水解溶剂热法可控合成非金属离子掺杂纳米二氧化钛的方法，它涉及一种非金属离子掺杂纳米二氧化钛合成方法。本发明解决了现有的纳米二氧化钛的非金属离子掺杂方法的掺杂效率低、工艺复杂、成本高、普适性差的问题。本发明方法如下：一、将钛酸丁酯与甲苯混合后搅拌，得有机相；二、将非金属离子的水溶液加入到高压反应釜内，再将有机相装入U形槽后置于非金属离子的水溶液中，盖盖，溶剂热，冷却，过滤；三、油浴干燥，焙烧；即得到非金属离子掺杂纳米二氧化钛本发明方法工艺简单、掺杂效率高、成本低、适用面广，并且所得到的纳米二氧化钛晶化度高、可见光催化活性好，用于可见光催化降解有机污染物。
利用分离水解溶剂可控合成非金属离子掺杂纳米氧化方法

[实用新型]碳材料氮掺杂系统-CN201821868161.2有效
发明人：康守国;张小诗;张鑫伟 -专利权人：新奥石墨烯技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C01B32/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳材料氮掺杂系统，包括：汽化器，所述汽化器内设有加热器，并且所述汽化器上设有液态氮源入口、氮气入口和混合气出口；反应器，所述反应器内具有自下而上的反应区和出气区，所述反应区设有气体分布器、混合气入口，所述混合气入口的出气端设在所述气体分布器下方，所述混合气入口与所述混合气出口相连，所述气体分布器上布置有碳材料，所述出气区设有尾气出口，在反应区和/或出气区设有氮掺杂碳材料出口。该系统为液态氮源对碳材料进行氮掺杂提供了一种可能，且氮源利用率高，掺杂效果好，工艺简单、能耗低。该系统为液态氮源对碳材料进行氮掺杂提供了一种可能，且氮源利用率高，掺杂效果好，工艺简单、能耗低。
碳材料混合气入口气体分布器出气区氮掺杂反应区汽化器液态氮混合气出口反应器氮源能耗掺杂氮掺杂碳材料加热器本实用新型氮气入口尾气出口出气端源入口出口