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[发明专利]一种可调触发板及其控制方法-CN202011640922.0有效
发明人：黄心沿;刘东明;龙会跃;闫海莲;谢成;刘刚;朱辉 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调触发板及其控制方法，此可调触发板具体包括电源单元和集成应用电路单元，集成应用电路单元的输入端与电源单元的输出端相连；电源单元包括直流稳压源电路和RC串并联电路，RC串并联电路包括可调电阻R01、电阻R02和电容C2，可调电阻R01的一端与直流稳压源电路的一输出端相连，可调电阻R01的另一端与电容C2的一端相连，电容C2的另一端则与直流稳压源电路的另一输出端相连，电阻R02的一端与可调电阻R01的另一端相连，另一端则与地相连；集成应用电路单元包括一路以上的集成应用电路，当集成应用电路为多路时，多路集成应用电路相互并联。本发明具有电压及输出电流可调、安全可靠、操作简便且易于实现等优点。
一种可调触发及其控制方法

[发明专利]一种炉体装配工装及炉体装配方法-CN201910566936.3有效
发明人：朱辉;朱晓明;郑浩;吴得轶;龙会跃 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种炉体装配工装及炉体装配方法，工装包括支座、转轴和转筒，所述转筒包括两个端座和多个支撑杆，所述多个支撑杆设于两个端座之间，且多个支撑杆呈环形均匀固定在端座上，所述两个端座穿设在转轴上，所述转轴可拆卸的安装在支座上。方法包括炉丝上工装、卡绝缘子、在炉丝上焊接引线、铺保温棉、炉体下工装、棉圈和端盖安装的步骤。本发明利用上述工装，可实现炉丝、绝缘子、引线、保温棉、炉壳等高质量和高效率安装。利用辅助装置确保了两端棉圈准确安装，大大降低棉圈安装过程的损坏。
一种装配工装方法

[实用新型]一种无变压器的PECVD的电加热炉体-CN201921594580.6有效
发明人：朱辉;朱晓明;郑浩;吴得轶;龙会跃 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无变压器的PECVD的电加热炉体，包括炉壳和炉丝组件，炉丝组件包括至少一个主控段炉丝和两个附控段炉丝，主控段炉丝和两个附控段炉丝相互独立，各主控段炉丝设于两个附控段炉丝的中间，每个主控段炉丝对应设有一对接线结构，每个附控段炉丝对应设有一对接线结构，各对接线结构设于炉壳上。本实用新型将原有的一根炉丝分成多段独立的炉丝，每段炉丝的电阻减少，相应的需要的电压也减少，每段炉丝两端单独接220V电压即可满足，一个炉体节省一台变压器，降低设备成本、减少安装调试工作量、节省了设备的空间。
一种变压器 pecvd 加热炉

[发明专利]一种HJT电池及其制备方法-CN201910554740.2在审
发明人： 龙会跃;成秋云;周奇瑞;罗志高;李斌 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种HJT电池及其制备方法，该电池包括N型硅片，其受光面和背光面上分别设有本征非晶硅层，本征非晶硅层上分别设有P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，P型掺杂非晶硅层上依次设有IMO层和ITO层，N型掺杂非晶硅层上设有ITO导电膜层，ITO层和ITO导电膜层上分别设有金属栅线电极。其制备方法包括：对N型硅片进行制绒清洗，沉积/制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、IMO层、ITO层、ITO导电膜层、金属栅线电极。本发明HJT电池具有优异的电学性能，对于提高异质结电池的应用范围具有十分重要的意义，其制备方法具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、生产效率高等优点。
制备本征非晶硅层电池金属栅线电极背光异质结电池电学性能生产效率制绒清洗受光面沉积量产门槛应用

[发明专利]一种基于金属纳米颗粒的HJT电池及其制备方法-CN201910555525.4在审
发明人：成秋云;龙会跃;周奇瑞;罗志高;李斌 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属纳米颗粒的HJT电池及其制备方法，该电池包括N型硅片，其受光面和背光面上依次设有本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一金属纳米颗粒层、受光面TCO层、背光面TCO层、金属栅线电极。其制备方法包括：对对N型硅片进行制绒清洗，然后依次沉积或制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一金属纳米颗粒层、受光面TCO层、背光面TCO层、金属栅线电极。本发明HJT电池具有光吸收性能好、短路电流高、光电转换效率高等优点，其制备方法具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，对于制备成本低、电学性能优异的HJT电池具有十分重要的意义。
制备电池受光面金属纳米颗粒层本征非晶硅层金属纳米颗粒金属栅线电极背光面背光光电转换效率光吸收性能电学性能短路电流生产效率制绒清洗兼容性量产沉积门槛

[发明专利]一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法-CN201910555777.7在审
发明人：李斌;龙会跃;成秋云;周奇瑞;罗志高 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa～2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层；采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa～0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层，完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。本发明HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法具有成本低廉、沉积速率高等优点，不仅能够制备得到高质量透明导电氧化物薄膜，同时能够减少衬底损伤，对于提高异质结电池的转换效率和应用范围具有十分重要的意义。
透明导电氧化物薄膜导电氧化物薄膜制备双层透明电池沉积磁控溅射技术压强受光背光异质结电池衬底损伤转换效率背光面应用

[发明专利]能量过滤磁控溅射镀膜装置、透明导电氧化物薄膜的制备方法及HJT电池-CN201910677899.3在审
发明人： 龙会跃;成秋云;罗志高;周奇瑞;李斌 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种能量过滤磁控溅射镀膜装置、透明导电氧化物薄膜的制备方法及HJT电池，该装置包括真空室内相对设置的溅射靶材和衬底支架，衬底支架与溅射靶材的相对面上装设有需要镀膜的衬底，溅射靶材和衬底之间设置有平行于溅射靶材的过滤电极，过滤电极由若干个相互平行的金属线组成，金属线连接在衬底支架上。透明导电氧化物薄膜由上述装置制得。HJT电池中包含的透明导电氧化物薄膜由上述方法制得。本发明装置具有遮挡面积小、沉积速率高、靶材利用率高、成本低、适用范围广等优点，适合工业大规模生产推广，能够减少对衬底和透明导电氧化物薄膜的损伤，进而制备得到高质量透明导电氧化物薄膜以及具有优异电学性能的异质结电池。
透明导电氧化物薄膜溅射靶材衬底支架衬底制备磁控溅射镀膜装置能量过滤电池金属线电极过滤平行靶材利用率异质结电池电学性能相对设置镀膜沉积遮挡损伤室内

[发明专利]一种用于快速热处理设备的温度测量装置-CN201610870861.4有效
发明人：钟新华;袁卫华;龙会跃;金则军;易文杰;胡振东 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于快速热处理设备的温度测量装置，包括温度测量红外探头组件、发射率测量探头、安装座及反射板，所述反射板位于所述安装座上方，所述温度测量红外探头组件和所述发射率测量探头安装于所述安装座上，所述温度测量红外探头组件穿过所述反射板，所述反射板上开设有通孔，所述发射率测量探头位于所述通孔下方。本发明具有结构简单可靠，不受被测物体发射率差异的影响，温度测量准确等优点。
一种用于快速热处理设备温度测量装置

[发明专利]一种批量硅片吸持装置-CN201310500266.8无效
发明人：许波涛;龙会跃;钟新华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种批量硅片吸持装置，包括顶板和顶板下方的多个结构、大小一致的吸爪，所述顶板的两端安装端板；所述吸爪的一个端面为竖直面，吸爪的上部为连接部而吸爪的下部为夹持部，连接部的底部与夹持部的顶部连接，连接部的厚度大于夹持部的厚度，并设有连接机构沿垂直于吸爪厚度方向将各吸爪叠加固定到两个端板之间，相邻吸爪的夹持部之间的距离大于硅片的厚度；该吸持装置还设有吸附硅片的真空吸附机构。通过本发明的批量硅片吸持装置，可以很好的实现批量吸持硅片，可以大数量同时吸持硅片，也可以小数量同时吸持甚至单个吸爪独立吸持硅片，同时结构非常紧凑，可以直接从硅片花篮盒或石英舟中批量取片，提高搬运效率。
一种批量硅片装置

[发明专利]一种宽带离子束传输方法及离子注入机-CN201210118487.4有效
发明人：彭立波;龙会跃;谢均宇 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带离子束传输方法，其采用两个独立的磁场：分析磁场和校正磁场，以及分析光栏对宽带离子束进行传输；若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿逆时针方向偏转，则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿顺时针方向偏转；若所述分析磁场使从其入射面射入的宽带离子束在水平方向沿顺时针方向偏转，则所述校正磁场使通过所述分析光栏后再次扩散的离子束在水平方向沿逆时针方向偏转；本发明还公开了一种离子注入机。由于分析磁场和校正磁场使离子束在水平方向沿不同方向偏转，使得宽带离子束中所需的离子从校正磁场的出射面射出时具有与入射时相同的分布。
一种宽带离子束传输方法离子注入

[发明专利]宽带离子束分析器-CN201110354972.7有效
发明人：彭立波;龙会跃;谢均宇 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带离子束分析器，用于从宽带离子束中分离出所需的离子，包括上磁极、下磁极、上励磁线圈、下励磁线圈、分析光栏和磁轭，其中：所述上磁极和下磁极均具有弧形的入射端边界和出射端边界；所述入射端边界和出射端边界的弧面半径都等于所述所需的离子在磁场中的偏转半径。本发明通过采用具有弧形入射端边界和出射端边界的上磁极和下磁极，且弧面半径都等于所述所需的离子在磁场中的偏转半径，使得宽带离子束中所需的离子能够在磁场中部理想聚焦，得到焦斑尺寸等于0的理想焦点，可以通过选取合适的最小的分析缝宽度而获得最佳的分析分辨率，实现宽带离子束中所需的离子与其他离子完全分离。
宽带离子束分析器

[发明专利]一种宽带束均匀性控制的方法与装置-CN201110347067.9无效
发明人：彭彬;杨占光;龙会跃 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带束均匀性控制的装置，主要包括：工控机(1)，SPI适配器(2)，PMAC闭环测控板(3)，剂量控制器(4)，直线电机(5)、七个采样法拉第杯(6)，闭环法拉第杯1(7)，闭环法拉第杯2(8)，移动法拉第电机(9)和移动法拉第杯(10)构成。其特征在于，其中PMAC闭环测控板(3)插入工控机的ISA插槽中，剂量控制器(4)通过SPI适配器(2)与工控机(2)进行通讯，用于发送和采集数据。本发明能够自动实现宽带束离子注入剂量的精确检测、自动实现注入离子分布的均匀性和剂量的准确性控制。
一种宽带均匀控制方法装置

[发明专利]一种批量硅片导向装置-CN201210118107.7无效
发明人：许波涛;钟新华;龙会跃 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2012-04-21 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种批量硅片导向装置，为了解决现有的导向装置为一维导向，易受到外界影响，导向性差的问题，本发明所述的批量硅片导向装置包括可以上下升降的底导向板，每个所述底导向板的两侧上方均设有侧面导向板，该侧面导向板与可驱动侧面导向板在两侧面导向板之间作往复直线运动的侧面导向板驱动机构相连。当硅片运动到底导向板上方时，底导向板平稳上升，硅片盒中的硅片先进入底导向板的导向槽中，底导向板继续上升将硅片盒中的硅片托起并送入侧面导向板形成的导向槽中，然后侧方向调节侧面导向板，可确保所有硅片对齐并保持同等的间隙。这样就可以很好地实现了批量硅片导向，提高了取片可靠性。
一种批量硅片导向装置

[发明专利]一种离子注入机双法拉第杯测量比值校正系统及校正方法-CN200910090665.5有效
发明人：邱小莎;伍三忠;龙会跃;邓颖辉;李涛 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子束注入机上对双法拉第杯测量比例值进行校正的系统和方法。该校正系统包括移动法拉第杯、剂量采样法拉第杯，闭环控制法拉第杯、剂量检测器、数控扫描发生器、电机运动控制器、控制计算机，各个组件之间的连接关系如摘要附图所示。校正步骤包括：1、启动离子束沿水平方向均匀地扫描，将移动法拉第杯移到硅晶片的中心位置，对扫描离子束进行剂量采样，求算出中心位置处的注入剂量值，公式为：2、再用闭环控制法拉第杯采样扫描离子束的注入剂量，计算出该处的注入剂量值，公式为：3、计算出两法拉第杯剂量探测的比例值，公式为：本发明将两个法拉第杯对注入剂量的探测统一到同一标准，保证离子注入剂量检测的准确性。
一种离子注入法拉第测量比值校正系统方法

[发明专利]一种快速热处理炉用的晶片盒定位支撑台-CN200910090661.7无效
发明人：袁卫华;龙会跃;邱小莎;钟新华;金则军 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片盒的定位支撑台，涉及快速热处理炉，属于半导体制造领域。该结构包括：一个片盒架、一个拉簧控制的转动钩型连杆，一个固定支架台，一与压簧和压杆连动的微型行程开关。所述的片盒架，用于支撑晶片盒，由螺钉与固定支架台连接；所述的拉簧助力的转动钩型连杆用于钩住固定晶片盒；所述的固定支架台用于整个片盒架的固定，以及将整个片盒架台固定在晶片传输系统中，让机械手取送晶片到晶片盒内的准确位置，晶片盒在定位支撑台上时，下压弹簧压杆，行程开关闭合，检测电路指示灯亮。
一种快速热处理晶片定位支撑

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